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公开(公告)号：KR100402200B1
公开(公告)日：2003-10-17
申请号：KR1020010003412
申请日：2001-01-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J37/30
Abstract: PURPOSE: A gas cluster ion accelerator is provided to generate gas cluster by using adiabatic expansion and readily adjust acceleration energy of gas cluster. CONSTITUTION: A gas cluster ion accelerator comprises a cluster generating unit, an ionizing unit(32), a lens unit(52), a cluster measuring unit(36), an accelerating unit(54) and scanning units(56,58). The cluster generating unit jets gas from high pressure to low pressure under adiabatic expansion condition to convert the gas to cluster state. The ionizing unit(32) ionizes the cluster from the cluster generating unit. The lens part(52) adjusts focus of the ionized cluster from the ionizing unit(32). The cluster measuring unit(36) measures size of the ionized cluster from the lens part(52). The accelerating unit accelerates the ionized cluster. The scanning units(56,58) scan the accelerated ionized cluster from the accelerating unit(54) onto a target(75).
Abstract translation: 用途：提供气体团簇离子加速器，利用绝热膨胀产生气体团簇，随时调整气体团簇的加速能量。 本发明公开了一种气体团簇离子加速器，包括团簇生成单元，电离单元32，透镜单元52，簇测量单元36，加速单元54和扫描单元56,58。 气体发生单元在绝热膨胀条件下将气体从高压喷射到低压，以将气体转化为团簇状态。 电离单元（32）使簇生成单元的簇离子化。 透镜部分（52）调整来自电离单元（32）的电离簇的焦点。 簇测量单元（36）测量来自透镜部分（52）的电离簇的尺寸。 加速单元加速电离簇。 扫描单元（56,58）将加速离子化簇从加速单元（54）扫描到目标（75）上。
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公开(公告)号：KR1020020036125A
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1020000066143
申请日：2000-11-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/02
Abstract: PURPOSE: A ZnO/Si heterojunction photodiode is provided to simply embody a photodiode through a single deposition process of a ZnO thin film by using the ZnO thin film as a visible ray transmission window, and to increase quantum efficiency by 50 percent through a thickness control of the ZnO thin film and crystallinity. CONSTITUTION: A heterojunction photodiode includes a silicon substrate and a zinc oxide layer formed on the silicon substrate. The silicon substrate is of a p-type conductivity type, and the zinc oxide layer is of an n-type conductivity type. The zinc oxide layer has an energy band gap of 3.1-3.2 electron-volt.
Abstract translation: 目的：提供ZnO / Si异质结光电二极管，通过使用ZnO薄膜作为可见光透射窗，通过ZnO薄膜的单次沉积工艺实现光电二极管，并通过厚度控制将量子效率提高了50％ 的ZnO薄膜和结晶度。 构成：异质结光电二极管包括形成在硅衬底上的硅衬底和氧化锌层。 硅衬底为p型导电型，氧化锌层为n型导电型。 氧化锌层的能带隙为3.1-3.2电子伏特。
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公开(公告)号：KR101579161B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140100212
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F10/32
CPC classification number: H01F1/10 , H01F10/32 , H01F41/0253
Abstract: 본발명은쌍을이루지않은전자스핀이존재하는도핑원소가쌍을이루지않은전자스핀이존재하는투명산화물내에도핑된것을특징으로하는투명자석소재에대한것으로, 전혀자성을띠지않는도핑원소가자성이없는산화물속에들어가면상기전자스핀때문에자기모멘트가발생하여자석이되는특징이있다. 본발명에포함된도핑원소는 cohesive energy 가높지않아서산화물내에고루잘 퍼져있게되고, 결함에의한자성의세기및 농도보다훨씬크며진공이나고압과같은극한의실험조건을사용해야하는한계점을극복하고상온에서안정적으로자성을갖는다. 따라서본 발명은광학적, 전자, 메모리소재로광범위하게응용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种透明磁体材料，其中在存在不成对电子自旋的透明氧化物中掺杂有现有不成对电子自旋的掺杂元素。 当完全非磁性掺杂元素进入非磁性氧化物时，掺杂元素由电子自旋产生的磁矩变成磁体。 根据本发明，掺杂元素不具有高的内聚能，因此可以均匀地分布在氧化物中。 掺杂元素的强度和磁化浓度远远大于缺陷的磁性强度和浓度; 克服了必须使用极端实验条件如真空和高压的限制; 并在室温下具有稳定的磁性。 因此，本发明可以广泛地用作光学，电子和记忆材料。
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公开(公告)号：KR100860603B1
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020070006794
申请日：2007-01-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 관한 것으로서, 격자 정합된(lattice-matched) InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 3파장 반도체 레이저 집적광소자를 위한 에피박막의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 격자 정합된 다중 양자우물 구조의 집적광소자용 에피박막의 제조방법에 있어서, 격자 정합된 에피박막 구조의 다중 양자우물 기판에 대하여 이온주입을 실시하는 단계와; 상기 다중 양자우물 기판의 에피박막 최상층에 300 nm의 SiO
2 박막을 증착하여 형성하는 단계와; SiO
2 박막이 증착된 다중 양자우물 기판을 온도를 달리하여 1차와 2차로 2단계의 열처리를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상기와 같이 2단계로 진행되는 열처리 공정에 의해 양자우물 혼합(QWI)이 극대화되면서 최대의 파장 이동이 가능해지고, 결정 결함의 재결정화에 의해 이온주입에 의한 잡음 특성과 PL 광세기가 크게 향상되면서 크기와 전력소모가 작은 고기능 광집적회로를 쉽게 제작할 수 있는 효과가 있게 된다.
다중 양자우물 구조, 집적광소자, 에피박막, 반도체 레이저-
15.发明授权격자 정합된 ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법 有权通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光器件外延层结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100766027B1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：KR1020060008217
申请日：2006-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고에너지 이온 주입에 의한 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법에 관한 것으로서, 고에너지 이온 주입에 의한 밴드갭 파장 이동을 극대화할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과, 이온 주입 및 열처리 공정의 최적화 등 양자우물 혼합 과정을 최적화하여 최소 100nm 이상의 밴드갭 파장 이동을 얻을 수 있는 에피박막층의 제조방법에 관한 것이다.
고에너지, 이온 주입, 격자 정합, 양자우물, 열처리, 무질서화, 밴드갭, 에피박막층, 활성층, 클래딩층, 보호층, 덮개층, 광전소자, 광집적회로, 반도체 레이저-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020067710A
公开(公告)日：2002-08-24
申请号：KR1020010007963
申请日：2001-02-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/00
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/20
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for depositing a metallic thin film for shielding an electromagnetic wave are provided to deposit the metallic thin film on a substrate simply, safely and environment friendly by implanting the plasma ions onto the substrate after generating metal plasma ions. CONSTITUTION: The apparatus for depositing a metallic thin film for shielding an electromagnetic wave comprises a plasma generation part(10) in which metal plasma ions are generated between the anode and the cathode; a particle removing filter part(20) removing neutral particles produced during generation of the metal plasma ions and guiding the metal plasma ions; an ion implantation part(30) implanting the metal plasma ions guided from the particle removing filter part(20) onto a substrate of a sample holder; and a vacuum chamber(40) forming an external appearance so that the metal plasma ions are generated under the vacuum state to be implanted onto the substrate, wherein the plasma generation part(10) comprises a trigger power source part(11) evaporating a cathode material between the anode and cathode by impressing a high voltage to a trigger electrode positioned between the anode and cathode; and a pulse power source part(12) generating arc by impressing a pulse type voltage to the anode as the high voltage is being impressed to the trigger, and the particle removing filter part(20) comprises a coil part guiding the metal plasma ions to the sample holder; and a coil power source part forming a magnetic field in the coil part by impressing a pulse type current to the coil part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积用于屏蔽电磁波的金属薄膜的装置和方法，用于通过在产生金属等离子体离子之后将等离子体离子注入到衬底上，将金属薄膜简单，安全和环境地沉积在衬底上。 构成：用于沉积用于屏蔽电磁波的金属薄膜的装置包括其中在阳极和阴极之间产生金属等离子体离子的等离子体产生部分（10）; 去除过滤器部件（20），去除在产生金属等离子体离子期间产生的中性粒子并引导金属等离子体离子; 离子注入部分（30）将从颗粒去除过滤器部分（20）引导的金属等离子体离子注入到样品保持器的基底上; 和形成外观的真空室（40），使得在真空状态下产生金属等离子体离子以注入到基板上，其中等离子体产生部分（10）包括将阴极蒸发的触发电源部分（11） 通过向位于阳极和阴极之间的触发电极施加高电压而在阳极和阴极之间施加材料; 以及脉冲电源部分（12），当高电压被施加到触发器时，通过向阳极施加脉冲型电压而产生电弧，并且所述颗粒去除过滤器部分（20）包括将金属等离子体离子引导到 样品架; 以及线圈电源部，其通过向所述线圈部施加脉冲型电流而在所述线圈部中形成磁场。
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公开(公告)号：KR100343949B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020000003690
申请日：2000-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 종래의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물인 GaN를 대체하기 위하여 상온에서 딥-레벨 발광이 전혀 없고 단지 NBE만이 관측될 수 있는 양질의 ZnO 박막을 제조하기 위한 경제적으로 저렴한 방법 및 그를 위한 장치를 제공하기 위하여, 진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O
2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고, 기판을 예열하고, 기판 위에 설치되는 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착한 후, 상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법 및 그를 위한 장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020020049494A
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1020000078679
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: H01S5/5036 , G02F1/3517 , G02F2/004 , G02F3/00
Abstract: PURPOSE: An all optical AND logic operation method of a Mach-Zehnder interferometer type all optical wavelength converter is provided, which realizes a ultra high speed logic operator having a compact size and a small input intensity using an XPM wavelength converter constituted with a semiconductor optical amplifier of Mach-Zehnder interferometer type. CONSTITUTION: The configuration of the method comprises a mode locked laser(100), and an attenuator(120) attenuating an optical output, and a multiplexer(MUX)(140), and the first optical delay line(160) delaying a speed of the optical output. A 3-dB optical fiber coupler(180) separates the optical intensity into a ratio of 50:50, and a polarization controller(200) controls a polarization state to obtain a maximum optical wavelength efficiency. The second optical delay line(220) delays the speed of the optical output, and an optical isolator(240) transmits the optical wavelength. The configuration also comprises an XPM wavelength converter(260), an erbium doped fiber amplifier(EDFA)(280), a wavelength filter(300) and a signal analyzer(320).
Abstract translation: 目的：提供马赫 - 曾德干涉仪全光学波长转换器的所有光学AND逻辑运算方法，实现了具有紧凑尺寸和小输入强度的超高速逻辑运算器，使用由半导体光学器件构成的XPM波长转换器 马赫 - 曾德干涉仪放大器。 方案：该方法的配置包括锁模激光器（100）和衰减光输出的衰减器（120）和多路复用器（MUX）（140），并且第一光延迟线（160）延迟 光输出。 3分贝光纤耦合器（180）将光强度分离成50:50的比例，并且偏振控制器（200）控制极化状态以获得最大的光波长效率。 第二光延迟线（220）延迟光输出的速度，并且光隔离器（240）传输光波长。 该配置还包括XPM波长转换器（260），掺铒光纤放大器（EDFA）（280），波长滤波器（300）和信号分析器（320）。
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公开(公告)号：KR1020010076504A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000003690
申请日：2000-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/0047 , C23C14/086 , C30B23/02 , C30B29/16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing ZnO film for an infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature and an apparatus therefor are provided to replace GaN by manufacturing ZnO film at lower costs. CONSTITUTION: The method for manufacturing ZnO film for the infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature includes following steps. At first, a gas including Ar and O2 gases at predetermined ratio in a vacuum chamber to maintain the vacuum level lower than 1 to 500mTorr. Then, the substrate is pre-heated. At third, C and N are induced from an atom radicals implemented on the substrate and a ZnO single crystal film is vaporized on the substrate(3) by using an RF magnetron sputtering method. At third, the partial pressure of the oxygen in the chamber used while vaporizing ZnO film is maintained while the substrate is cooled down slowly. The Ar/O2 ratio is much less than 4/1. Alternatively, the Ar/O2 ratio is much less than 4/1.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的方法及其装置，以较低成本制造ZnO膜来代替GaN。 构成：在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的制造方法包括以下步骤。 首先，在真空室中以预定比例包括Ar和O 2气体的气体以保持真空度低于1至500mTorr。 然后，将衬底预热。 第三，通过使用RF磁控溅射法，在基板上实现的原子自由基诱导C和N，并在基板（3）上蒸发ZnO单晶膜。 第三，在使衬底缓慢冷却的同时保持在蒸镀ZnO膜时使用的室中的氧的分压。 Ar / O2比值远低于4/1。 或者，Ar / O 2比远小于4/1。
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公开(公告)号：KR100802986B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060033717
申请日：2006-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/20
Abstract: 본 발명은 폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법에 관한 것으로서, 금속박막을 증착하기 이전에 수 ~ 수백 keV의 에너지를 갖는 고 선속 금속이온 조사(high flux metal ion irradiation)를 통한 폴리머 모재의 표면 세정(surface cleaning), 이온빔의 에너지 전달에 의한 상기 모재의 표면 개질(surface modification), 금속이온주입에 의한 계면 원자간 친화력 활성층 형성 등의 효과와 연속 일괄 증착공정을 통해 금속박막을 형성함으로써, 증착된 금속박막간의 계면 접착력(interface adhesion)의 향상은 물론, 별도의 화학세정 전처리 공정을 수행하지 않아도 되므로 공정 단순화를 도모할 수 있는 폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법에 관한 것이다.
폴리머 모재, 금속박막 증착방법, 표면 세정, 표면 개질, 고 선속 이온원, 계면 접착성
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