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公开(公告)号：KR101313232B1
公开(公告)日：2013-09-30
申请号：KR1020090121079
申请日：2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/13
Abstract: 도파로 절단면 형성 방법 및 이를 채용하는 포토닉스 소자가 제공된다. 이 방법은 기판 상에 도파로들을 포함하는 적어도 하나의 광소자 다이를 형성하고, 기판의 하부면에 적어도 하나의 트렌치를 형성한 후, 기판을 쪼갬으로써 트렌치의 상부에서 도파로들의 절단면들을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 트렌치는 도파로들의 아래에서 도파로들을 가로지르는 방향으로 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020120034436A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100095996
申请日：2010-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01P7/088 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , H01P1/2135
Abstract: PURPOSE: A resonant wavelength varying method of a ring resonator is provided to change a resonant wavelength of a ring resonator by inducing a refractive index phase change phenomenon of a dielectric layer. CONSTITUTION: A ring resonator includes a ring waveguide and a dielectric layer coating the ring waveguide. A refractive index phase change of the dielectric layer is induced by heating the ring resonator. A temperature of the refractive index phase change is determined by a deposition temperature of the dielectric layer. The ring waveguide includes silicon. The dielectric layer includes a cladding dielectric layer which covers the upper side and the lower side of the ring waveguide. The dielectric layer includes a first sub dielectric layer which covers the upper side of the ring waveguide.
Abstract translation: 目的：提供环形谐振器的谐振波长变化方法，以通过引起电介质层的折射率相变现象来改变环形谐振器的谐振波长。 构成：环形谐振器包括环形波导和涂覆环形波导的电介质层。 通过加热环形谐振器来诱导电介质层的折射率相位变化。 折射率相变的温度由介电层的沉积温度决定。 环形波导包括硅。 电介质层包括覆盖环形波导的上侧和下侧的包层电介质层。 电介质层包括覆盖环形波导的上侧的第一子电介质层。
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公开(公告)号：KR1020060067801A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050061951
申请日：2005-07-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581
Abstract: 본 발명은 넓은 파장가변 특성을 갖는 레이저와 TDM data 구조를 결합하고 여기에 필요한 광 부품을 적절히 활용함으로써 근거리 광 통신망인 WDM-PON 시스템에 채널교환기능을 추가하고 잠재적인 전송속도를 크게 확대한다. 또한 광원과 AWG의 파장천이가 있을 경우 Loop-Back 네트워크구조를 이용하여 추가적인 우회 회선 없이 파장을 추적하고 전달되는 신호의 크기를 최적화 한다. 그리고 전기적으로 파장을 변화시키는 파장가변 레이저를 이용하여 OLT(Optical line terminal)의 온도 안정화에 필요한 온도 제어기(TEC, thermo-electric controller)의 수를 최소화 한다.
파장 가변 레이저, 채널 교환, WDM-PON-
公开(公告)号：KR1020060067130A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050064178
申请日：2005-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/0264 , G02B6/29361 , H01L27/153 , H01S5/0614
Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED-
公开(公告)号：KR1020040098421A
公开(公告)日：2004-11-20
申请号：KR1020030030777
申请日：2003-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1228
Abstract: PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.
Abstract translation: 目的：提供根据相位控制区域的折射率变化而振荡的可广泛调整的SG-DFB（采样光栅分布反馈）激光二极管，以通过将增益区域的光波直接连接到光纤而不加 失利。 构成：广泛可调的SG-DFB激光二极管包括第一增益区和第二增益区。 广泛可调的SG-DFB激光二极管还包括第一SG-DFB结构和第二SG-DFB结构。 第一SG-DFB包括形成在第一增益区上的第一周期的第一采样光栅（34a）和形成在第一采样光栅之间的第一相位控制区（35a）。 第二SG-DFB包括形成在第二增益区上的第二周期的第二采样光栅（34b）和形成在第二采样光栅之间的第二相位控制区（35b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040057864A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020030020673
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: PURPOSE: A wavelength variation type semiconductor laser and a fabricating method thereof are provided to change continuously a wavelength within a broad wavelength band by applying the electric field or the current to electrodes. CONSTITUTION: A wavelength variation type semiconductor laser includes an optical waveguide, an active region, an electrode array, a Fabry-Perot filter, and a curve mirror. The optical waveguide is formed on a substrate in order to guide an optical signal by a cladding layer. The active region(14) is formed at a part of the optical waveguide in order to generate the optical signal. The electrode array(18) is formed at one side of the active region in order to change the traveling direction of the optical signal by applying the electric field and the current to a part of the optical waveguide. The Fabry-Perot filter(13) is used for filtering the optical signal of the selected wavelength. The curve mirror(17) is used for reflecting the optical signal.
Abstract translation: 目的：提供波长变化型半导体激光器及其制造方法，通过向电极施加电场或电流来连续地改变宽波长带内的波长。 构成：波长变化型半导体激光器包括光波导，有源区，电极阵列，法布里 - 珀罗滤波器和曲线镜。 光波导形成在基板上，以便通过包覆层引导光信号。 有源区（14）形成在光波导的一部分处以产生光信号。 电极阵列（18）形成在有源区域的一侧，以通过将电场和电流施加到光波导的一部分来改变光信号的行进方向。 法布里 - 珀罗滤波器（13）用于对所选波长的光信号进行滤波。 曲线镜（17）用于反射光信号。
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公开(公告)号：KR1020030048686A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010078667
申请日：2001-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02F1/3558 , C03C25/1063 , C03C25/22 , C03C25/52 , G02B6/02 , G02B6/2826 , G02F1/0115
Abstract: PURPOSE: A method for forming two conductive layers insulated therebetween on an optical fiber is provided to form an electrode for polling the optical fiber by forming conductive layers at the optical fiber of a single mode or a multiple mode. CONSTITUTION: A plurality of grooves(120,121) are formed on an upper surface of a substrate(110). A plurality of optical fibers(126,127) are adhered on the grooves(120,121) by using photoresist(130,131). A photoresist pattern(140) is formed on a surface of the optical fibers. A plurality of conductive layers(145,145a,145b) are formed on the resultant including the photoresist pattern. The photoresist pattern is removed. The optical fibers are separated from the grooves. The conductive layer is removed from the photoresist pattern. The conductive layers are formed on an opposite side to the conductive layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在光纤上形成绝缘在其间的两个导电层的方法，以形成用于通过在单模或多模光纤处形成导电层来轮询光纤的电极。 构成：在基板（110）的上表面上形成多个凹槽（120,121）。 多个光纤（126,127）通过使用光致抗蚀剂（130,131）粘附在凹槽（120,121）上。 光纤图案（140）形成在光纤的表面上。 在包含光致抗蚀剂图案的结果上形成多个导电层（145,145a，145b）。 去除光致抗蚀剂图案。 光纤与槽分离。 从光致抗蚀剂图案中去除导电层。 导电层形成在与导电层相反的一侧上。
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公开(公告)号：KR1020150004178A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130077318
申请日：2013-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박상기
Abstract: 본 발명은 광학 모듈, 광통신 장치, 및 그를 구비하는 정보처리 시스템을 개시한다. 그의 모듈은, 하부 클래드 층과, 상기 하부 클래드 층 상에서 일방향으로 연장되는 광 도파로와, 상기 광 도파로 상의 광 소자와, 상기 광 소자와 상기 광 도파로 사이에 배치되고, 상기 광 도파로의 굴절률 보다 큰 굴절률을 갖는 프리즘과, 상기 프리즘 및 상기 광 소자를 덮는 하우징과, 상기 프리즘에 인접하고 상기 하우징과 상기 광 도파로 사이에 배치된 전극 층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种光模块，光通信装置和包括该模块的信息处理系统。 该模块包括：下包层; 在下包层上沿一个方向延伸的光波导; 光波导上的光学元件; 棱镜，其布置在所述光学元件和所述光波导之间并且具有大于所述光波导的折射率的折射率; 覆盖所述棱镜和所述光学元件的壳体; 以及布置在壳体和光波导之间并且靠近棱镜的电极层。
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公开(公告)号：KR1020110064460A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121079
申请日：2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/13
Abstract: PURPOSE: A method for forming waveguide facet and a photonic device embodying the same are provided to divide a substrate in a predetermined place in which photonic elements are partially sawn. CONSTITUTION: Light device dies are formed on a substrate(S1). One or more reference fiducial mark is formed in the predetermined area of the substrate(S2). First partially sawing areas are formed by the partially sawing process under the substrate(S3). Second partially sawing areas are formed by the partially sawing process on the substrate(S4). Full sawing lines are formed by performing the full sawing under the lower surface of the substrate(S5). Fragment substrates are divided into a plurality of fragment dies through a cleaving process(S6).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成波导面的方法和具有该方法的光子器件，以将基板划分在光子元件部分锯切的预定位置。 构成：在基板上形成光器件管芯（S1）。 在基板的预定区域中形成一个或多个参考基准标记（S2）。 第一部分锯切区域通过在基底下的部分锯切工艺形成（S3）。 通过在基板上的部分锯切工艺形成第二部分锯切区域（S4）。 通过在基板的下表面下进行完全锯切来形成全切割线（S5）。 片段底物通过裂解过程分成多个片段模片（S6）。
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公开(公告)号：KR1020110027549A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100066675
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An electro-optic modulating device is provided to form vertical PN junctions or vertical PIN junctions in an optical waveguide, thereby increasing a change of an effective refractive index during a device operation. CONSTITUTION: A semiconductor film(30) configuring an optical waveguide(WG) is arranged on a substrate(10). The optical waveguide comprises the first slab part(SP1), the second slab part(SP2), and a lip part(RP). The lip part includes a thickness thicker than the first and second slab parts. The first and second doping areas(D1,D2) are formed on the first and second slab parts respectively. A vertical doping area(50) configuring a vertical structure is formed in the lip part.
Abstract translation: 目的：提供电光调制装置以在光波导中形成垂直PN结或垂直PIN结，从而在器件操作期间增加有效折射率的变化。 构成：构成光波导（WG）的半导体膜（30）配置在基板（10）上。 光波导包括第一板坯部（SP1），第二板坯部（SP2）和唇部（RP）。 唇部包括比第一和第二板坯部分厚的厚度。 第一和第二掺杂区域（D1，D2）分别形成在第一和第二平板部件上。 在唇部形成垂直结构的垂直掺杂区域（50）。
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