CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION COMPRISING NON-IONIC SUIRFACTANT AND CARBONATE SALT

    公开(公告)号:MY176981A

    公开(公告)日:2020-08-31

    申请号:MYPI2015000013

    申请日:2013-06-21

    Applicant: BASF SE

    Abstract: A chemical mechanical polishing composition comprising: (A) Inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, wherein the particles are cocoon-shaped, (B) a non-ionic surfactant, (C) a carbonate or hydrogen carbonate salt, (D) an alcohol, and (M) an aqueous medium. A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of a substrate used in the semiconductor industry in the presence of a CMP composition and the use of CMP composition thereof are also provided.

    КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ (СМР), СОДЕРЖАЩАЯ НЕИОННОЕ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНОЕ ВЕЩЕСТВО И КАРБОНАТНУЮ СОЛЬ

    公开(公告)号:RU2643541C9

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:RU2015103813

    申请日:2013-06-21

    Applicant: BASF SE

    Abstract: Изобретениеотноситсяк композициидляхимико-механическойполировки (СМР). Композициясодержит (А) неорганическиечастицы, органическиечастицыилиихсмесь, илиихкомпозит, гдечастицынаходятсяв формекокона, (В) амфифильноенеионноеповерхностно-активноевеществонаосновеполиоксиэтилен-полиоксипропиленовогоалкиловогопростогоэфирав видесмесимолекул, содержащихв среднемалкильнуюгруппу, имеющуюот 10 до 16 атомовуглерода, от 5 до 20 оксиэтиленовыхмономерныхзвеньев (b21) иот 2 до 8 оксипропиленовыхмономерныхзвеньев (b22) вслучайномраспределении, (C) карбонатнуюилигидрокарбонатнуюсоль, (D) спирти (М) воднуюсреду. Такжеописаныспособполученияполупроводниковыхустройств, включающийхимико-механическуюполировкуподложки, применяемойв полупроводниковойпромышленности, вприсутствииСМРкомпозициии применениеСМРкомпозиции. 6 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл., 2 пр.

    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATE MATERIALS FOR ELECTRICAL, MECHANICAL AND OPTICAL DEVICES

    公开(公告)号:SG10201506220PA

    公开(公告)日:2015-09-29

    申请号:SG10201506220P

    申请日:2011-09-06

    Applicant: BASF SE

    Abstract: An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive particles which are positively charged when dispersed in an aqueous medium having a pH in the range of from 3 to 9 as evidenced by the electrophoretic mobility; (B) water-soluble and water-dispersible hydroxy group containing components selected from (b1) aliphatic and cycloaliphatic hydroxycarboxylic acids, wherein the molar ratio of hydroxy groups to carboxylic acid groups is at least 1; (b2) esters and lactones of the hydroxycarboxylic acids (b1) having at least one hydroxy group; and (b3) mixtures thereof; and (C) water-soluble and water-dispersible polymer components selected from (c1) linear and branched alkylene oxide polymers; (c2) linear and branched, aliphatic and cycloaliphatic poly(N-vinylamide) polymers; and (c3) cationic polymeric flocculents having a weight average molecular weight of less than 100,000 Dalton.; and a process for polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices.

    КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОСЛЕ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ (ПОСЛЕ - СМР), СОДЕРЖАЩАЯ КОНКРЕТНОЕ СОДЕРЖАЩЕЕ СЕРУ СОЕДИНЕНИЕ И САХАРНЫЙ СПИРТ ИЛИ ПОЛИКАРБОНОВУЮ КИСЛОТУ

    公开(公告)号:RU2631870C2

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:RU2014136176

    申请日:2013-01-24

    Applicant: BASF SE

    Abstract: Очищающаякомпозицияпослехимико-механическогополирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющеесобойцистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевинуилиихпроизводное, (В) эритрит, (С) воднуюсредуи (Е) поменьшеймереодноповерхностно-активноевещество, иееприменениедляудаленияостаткови загрязненийс поверхностиполупроводниковыхподложек, содержащихэлектропроводящиеслои (такиекакмедныеслои), электроизолирующиедиэлектроизолирующиедиэлектрическиеслои (такиекакслоидиэлектриковс низкойилисверхнизкойдиэлектрическойпроницаемостью) ибарьерныеслои (такиекакслоитантала, нитридатантала, нитридатитанаилирутения), т.е. изобретениеотноситсяк применениюочищающейкомпозициипослеСМРдляудаленияостаткови загрязнений, содержащихбензотриазолпослеСМР. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 ил.

Patent Agency Ranking