公开(公告)号：DE112011101378T5

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE112011101378

申请日：2011-06-10

Applicant: IBM

Inventor： CHAN KEVIN K ,  DUBE ABHISHEK ,  HOLT JUDSON R ,  JOHNSON JEFFREY B ,  LI JINGHONG ,  PARK DAE-GYU ,  ZHU ZHENGMAO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es werden Halbleiterstrukturen offenbart, welche darin eingebettete Stressorelemente aufweisen. Die offenbarten Strukturen weisen mindestens einen FET-Gate-Stapel (18) auf, welcher auf einer oberen Fläche eines Halbleitersubstrats (12) angeordnet ist. Der mindestens eine FET-Gate-Stapel weist Source- und Drain-Ausdehnungszonen (28) auf, welche innerhalb des Halbleitersubstrats an einer Standfläche des mindestens einen FET-Gate-Stapels angeordnet sind. Ein Einheitskanal (40) ist zwischen der Source- und Drain-Ausdehnungszone (28) und unterhalb des mindestens einen Gate-Stapels (18) ebenfalls vorhanden. Die Struktur weist ferner eingebettete Stressorelemente (33) auf, welche auf gegenüberliegenden Seiten des mindestens einen FET-Gate-Stapels und innerhalb des Halbleitersubstrats angeordnet sind. Jedes eingebettete Stressorelement weist von unten nach oben eine erste Schicht eines ersten Epitaxie-dotierten Halbleitermaterials (35), welches eine Gitterkonstante aufweist, die sich von einer Gitterkonstante des Halbleitermaterials unterscheidet und zu einer Spannung in dem Einheitskanal führt, eine zweite Schicht eines zweiten Epitaxie-dotierten Halbleitermaterials (36), die auf der ersten Schicht angeordnet ist, und eine Delta-Monoschicht eines Dotierstoffs auf, die auf einer oberen Fläche der zweiten Schicht angeordnet ist. Die Struktur weist ferner einen Metall-Halbleiter-Legierungs-Kontakt (45) auf, welcher direkt auf einer oberen Fläche der Delta-Monoschicht (37) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013200549A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013200549

申请日：2013-01-16

Applicant: IBM

Inventor： ADAM THOMAS N ,  CHENG KANGGUO ,  HE HONG ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  LI JINGHONG ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

Abstract: Es wird eine verbesserte Silicium-Kohlenstoff-Dünnschichtstruktur offenbart. Die Dünnschichtstruktur enthält mehrere Schichten von Silicium-Kohlenstoff und Silicium. Die mehreren Schichten bilden Spannungsdünnschichtstrukturen, die einen erhöhten Austausch-Kohlenstoff-Gehalt aufweisen und zum Induzieren von Spannungen dienen, die die Trägermobilität für bestimmte Typen von Feldeffekttransistoren verbessern.

公开(公告)号：GB2492524B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：GB201220031

申请日：2011-04-08

Applicant: IBM

Inventor： CHAN KEVIN K ,  DUBE ABHISHEK ,  HOLT JUDSON R ,  LI JINGHONG ,  NEWBURY JOSEPH ,  ONTALUS VIOREL C ,  PARK DAE-GYU ,  ZHU ZHENGMAO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：SG184824A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：SG2012075586

申请日：2011-06-10

Applicant: IBM

Inventor： CHAN KEVIN K ,  DUBE ABHISHEK ,  HOLT JUDSON R ,  JOHNSON JEFFREY B ,  LI JINGHONG ,  PARK DAE-GYU ,  ZHU ZHENGMAO

Abstract: Semiconductor structures are disclosed that have embedded stressor elements therein. The disclosed structures include at least one FET gate stack (18) located on an upper surface of a semiconductor substrate (12). The at least one FET gate stack includes source and drain extension regions (28) located within the semiconductor substrate at a footprint of the at least one FET gate stack. A device channel (40) is also present between the source and drain extension regions (28) and beneath the at least one gate stack (18). The structure further includes embedded stressor elements (33) located on opposite sides of the at least one FET gate stack and within the semiconductor substrate. Each of the embedded stressor elements includes, from bottom to top, a first layer of a first epitaxy doped semiconductor material (35) having a lattice constant that is different from a lattice constant of the semiconductor substrate and imparts a strain in the device channel, a second layer of a second epitaxy doped semiconductor material (36) located atop the first layer, and a delta monolayer of dopant located on an upper surface of the second layer. The structure further includes a metal semiconductor alloy contact (45) located directly on an upper surface of the delta monolayer (37).

公开(公告)号：AT521089T

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：AT07797521

申请日：2007-05-17

Applicant: IBM

Inventor： LI JINGHONG ,  LIU YAOCHENG ,  LUO ZHIJIONG ,  MADAN ANITA ,  ROVEDO NIVO

IPC: H01L29/76

Abstract: The present invention relates to a semiconductor device comprising at least one n-channel field effect transistor (n-FET). Specifically, the n-FET comprises first and second patterned stressor layers that both contain a carbon-substituted and tensilely stressed single crystal semiconductor. The first patterned stressor layer has a first carbon concentration and is located in source and drain (S/D) extension regions of the n-FET at a first depth. The second patterned stressor layer has a second, higher carbon concentration and is located in S/D regions of the n-FET at a second, deeper depth. Such an n-FET with the first and second patterned stressor layers of different carbon concentration and different depths provide improved stress profile for enhancing electron mobility in the channel region of the n-FET.