公开(公告)号：DE102013112683A1

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：DE102013112683

申请日：2013-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  HIRSCHLER JOACHIM

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes aufweisen: Ausbilden mindestens einer Öffnung in einem Werkstück (202); Ausbilden einer ersten leitfähigen Schicht innerhalb der mindestens einen Öffnung, wobei die erste leitfähige Schicht die mindestens eine Öffnung nicht vollständig füllt (204); Ausbilden einer Füllschicht über der ersten leitfähigen Schicht innerhalb der mindestens einen Öffnung (206); und Ausbilden einer zweiten leitfähigen Schicht über der Füllschicht (208).

公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102015119413A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102015119413

申请日：2015-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  MISCHITZ MARTIN ,  ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats Folgendes enthalten: Bedecken von mehreren Chipbereichen des Halbleitersubstrats mit einem Metall (110); Bilden von mehreren Chips aus dem Halbleitersubstrat, wobei jeder Chip aus den mehreren Chips mit dem Metall bedeckt ist (120); und nachfolgend Tempern des Metalls, das wenigstens einen Chip aus den mehreren Chips bedeckt (130).

公开(公告)号：DE102014103446A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103446

申请日：2014-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  HIMMELSBACH CHRISTIAN ,  HIRSCHLER JOACHIM

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/673

Abstract: Es werden Hubstifte und Vorrichtungen, die Hubstifte haben, bereitgestellt. Gemäß einer Erscheinungsform kann ein Hubstift einen verjüngten distalen Teil haben. Gemäß einer weiteren Erscheinungsform kann ein Hubstift zwei Teile haben, die durch Verschrauben miteinander im Eingriff sind. Gemäß einer weiteren Erscheinungsform kann ein Hubstift an einer Hubplatte mit Spiel befestigt werden.