公开(公告)号：DE102013111163B4

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102013111163

申请日：2013-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  KNOTT BERNHARD ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Verfahren zum Fertigen von MEMS-Bauelementen (105; 205; 305), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Dünnen eines Halbleitersubstrats (110; 210; 310) auf eine Dicke von 50 µm bis 200 µm;Bilden eines MEMS-Stapels (120; 220; 320) auf einer ersten Hauptoberfläche (111; 211; 311) des Halbleitersubstrats (110; 210; 310);Bilden einer Polymerschicht (140; 250; 340) mit einer Dicke in einem Bereich von 50 µm bis 300 µm auf einer zweiten Hauptoberfläche (112; 212; 312) des Halbleitersubstrats (110; 210; 310); undBilden einer ersten Öffnung (154; 254; 344) in der Polymerschicht (140; 250; 340) und dem Halbleitersubstrat(110; 210; 310), sodass die erste Öffnung (154; 254; 344) an den MEMS-Stapel (120; 220; 320) angrenzt.

公开(公告)号：DE102016122479A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE102016122479

申请日：2016-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN ,  STRASSER JOHANN ,  PORWOL DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01N21/3504 ,  H01L49/00

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Herstellen einer Infrarotemitteranordnung aufweisen: Bereitstellen eines Trägers (102), wobei der Träger an einer ersten Seite (102v) des Trägers mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) und an einer der ersten Seite des Trägers gegenüberliegenden zweiten Seite (102r) des Trägers mindestens eine Aussparung (106) aufweist, wobei sich die mindestens eine Aussparung von der zweiten Seite des Trägers in Richtung der mindestens einen Infrarotemitterstruktur erstreckt; und Befestigen einer Infrarotfilterschichtstruktur (108) an der zweiten Seite des Trägers derart, dass die mindestens eine Aussparung die mindestens eine Infrarotemitterstruktur von der Infrarotfilterschichtstruktur separiert.

公开(公告)号：DE19928563C2

公开(公告)日：2002-06-13

申请号：DE19928563

申请日：1999-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：DE102019122888B4

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102019122888

申请日：2019-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  PINDL STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseitenoberfläche (10-1) aufweist; und- eine erste Passivierungsschicht (15-1), die oberhalb der Vorderseitenoberfläche (10-1) angeordnet ist, wobei die erste Passivierungsschicht (15-1) eine polykristalline Diamantschicht ist; wobei- die polykristalline Diamantschicht (15-1) Kristalle mit einem Durchmesser von wenigstens 10 nm umfasst;- die polykristalline Diamantschicht (15-1) eine Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 1200 W/(K m) aufweist;- die polykristalline Diamantschicht (15-1) wenigstens teilweise oberhalb einer Randabschlussstruktur (13) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) angeordnet ist;- eine zweite Passivierungsschicht (15-2) zwischen der ersten Passivierungsschicht (15-1) und der Vorderseitenoberfläche (10-1) angeordnet ist; wobei die zweite Passivierungsschicht (15-2) wenigstens eines der folgenden Materialien umfasst: Oxid, amorpher Kohlenstoff, amorphes Silicium, amorphes Siliciumcarbid, Nitrid; und wobei.- eine dritte Passivierungsschicht (15-3) oberhalb der polykristallinen Diamantschicht (15-1) angeordnet ist, wobei die dritte Passivierungsschicht (15-3) eine Polyimidschicht, eine Oxidschicht und/oder eine Nitridschicht umfasst.

公开(公告)号：DE102018209024B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Vorrichtung mit:einem halbleiterbasierten Substrat (12) mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat (12) ausgebildeten Funktionsstruktur;einer Rahmenstruktur (16), die die Funktionsstruktur (14) umgibt;einer Beschichtung (22), die die Funktionsstruktur (14) bedeckt und von der Rahmenstruktur (16) begrenzt ist;wobei die Beschichtung (22) ein Nanomaterial, insbesondere ein Kohlenstoff-Nanomaterial, umfasst;wobei die Funktionsschicht (14) eine elektrisch leitfähige Funktion und/oder eine Schutzfunktion vor mechanischen und/oder chemischen Einflüssen bereitstellt;wobei die Vorrichtung als eines aus einem Chemosensor und einem Transistor gebildet ist.

公开(公告)号：DE102018214302A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018214302

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLACER CHRISTOPH ,  PINDL STEPHAN ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  WEBER WERNER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L7/00 ,  H01L43/14 ,  H04R19/04

Abstract: Offenbart wird ein Verfahren zum Herstellen eines graphenbasierten Sensors, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Trägersubstrates;Ausbilden einer Trägerstruktur an dem Trägersubstrat, derart, dass an einer Oberseite der Trägerstruktur eine oder mehrere Trennstrukturen ausgebildet werden; undnasschemischer Transfer einer Graphenschicht auf die Oberseite der Trägerstruktur, welche die Trennstrukturen aufweist;wobei die Trennstrukturen und eine Reißfestigkeit der Graphenschicht so aufeinander abgestimmt sind, dass die Graphenschicht bei dem nasschemischen Transfer jeweils an den Trennstrukturen einreißt.

公开(公告)号：DE102017204817B4

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102017204817

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

Abstract: Vorrichtung (10) miteiner Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (11) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung integriert ist, undeiner zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (11, 12) angeordneten Hohlraumstruktur (14), die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist,wobei die Vorrichtung (10) ein optisches Filter (39) aufweist, das ausgebildet ist, um eine von der ersten Schaltungsanordnung (11) ausgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu filtern, wobei das optische Filter (39) in einer Hauptabstrahlrichtung (47) der elektromagnetischen Strahlung nach der ersten Schaltungsanordnung (11) angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten Schaltungsanordnung (11) und dem Filter (39) eine zweite Hohlraumstruktur (41) ausgebildet ist, die einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist.

公开(公告)号：DE102015122781B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102015122781

申请日：2015-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  FUELDNER MARC ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Kondensatormikrophon (100), umfassend:eine Membran (304); eine erste perforierte Rückplatte (306);eine zweite perforierte Rückplatte (802), die auf einer Seite der Membran angeordnet ist, die einer Seite der Membran, auf der die erste perforierte Rückplatte angeordnet ist, entgegengesetzt ist;ein Gehäuse aufweisend eine Schallöffnung, wobei das Gehäuse um die Membran, die erste perforierte Rückplatte und die zweite perforierte Rückplatte herum bereitgestellt ist;eine erste Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, und eine zweite Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist;eine dritte Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, und eine vierte Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, die der ersten Seite der zweiten Rückplatte entgegengesetzt ist;wobei weitere Isolierschichten auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der ersten perforierten Rückplatte (306) angeordnet sind und mindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdecken; undwobei Isoliermaterial auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der zweiten perforierten Rückplatte angeordnet ist undmindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdeckt.

公开(公告)号：DE102018111231A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111231

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  PINDL STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) wird präsentiert. Die Leistungshalbleitervorrichtung umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der ein aktives Gebiet (106), das zum Leiten eines Laststroms konfiguriert ist, einen Chiprand (109), der den Halbleiterkörper (10) lateral abschließt, und ein Randabschlussgebiet (108), das lateral zwischen dem Chiprand (109) und dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist, aufweist; eine halbisolierende Schicht (15), die wenigstens einen Teil des Halbleiterkörpers (10) innerhalb des Randabschlussgebiets (108) bedeckt; und eine erste Passivierungsschicht (16), die auf wenigstens einem Teil der halbisolierenden Schicht (15) angeordnet ist. Die erste Passivierungsschicht (16) umfasst ein mit Silicium dotiertes amorphes Aluminiumoxid.

公开(公告)号：DE102017204817A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102017204817

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung (10) mit einer Substratanordnung (13) mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (11) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung (13) integriert ist. Ferner weist die Vorrichtung (10) eine zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (11, 12) angeordnete Hohlraumstruktur (14) auf, die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. Die vorliegende Offenbarung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Vorrichtung (10).