公开(公告)号：DE102014117538A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102014117538

申请日：2014-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78

Abstract: Ein erstes dotiertes Gebiet (115) wird in einem einkristallinen Halbleitersubstrat (500a) ausgebildet. Leichte Ionen (499) werden durch eine Prozessoberfläche (102a) in das Halbleitersubstrat (500a) implantiert, um Kristallgitterleerstellen zwischen dem ersten dotierten Gebiet (115) und der Prozessoberfläche (102a) zu erzeugen, wobei eine Hauptstrahlachse (495) eines zur Implantation der leichten Ionen (499) verwendeten Implantationsstrahls um höchstens 1,5 Grad von einer Hauptkristallrichtung (485), entlang der Channeling leichter Ionen (499) auftritt, abweicht. Ein zweites dotiertes Gebiet (122) mit einem zum ersten dotierten Gebiet (115) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wird auf Basis der Kristallgitterleerstellen und Wasserstoffatomen gebildet.

公开(公告)号：DE102014112386A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112386

申请日：2014-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters offenbart, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12); Bilden einer n-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine erste Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die erste Seite (11) bis auf eine erste Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10); und Bilden einer p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine zweite Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die zweite Seite (12) bis auf eine zweite Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10), wodurch ein pn-Übergang (13) zwischen der n-dotierten Zone und der p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) entsteht.

公开(公告)号：DE102021103788A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103788

申请日：2021-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines SiC-MOSFETs und ein SiC-MOSFET offenbart. Das Verfahren beinhaltet das Bilden eines Gate-Dielektrikums (2), das an ein in einem Halbleiterkörper (100) angeordnetes Body-Gebiet (11) angrenzt, und das Bilden einer Gate-Elektrode (3) auf dem Gate-Dielektrikum (2). Das Bilden der Gate-Elektrode (3) beinhaltet das Bilden einer ersten Elektrodenschicht (31), das Implantieren von eine Austrittsarbeit einstellenden Atomen in die erste Elektrodenschicht (31) und das Bilden einer zweiten Elektrodenschicht (32) auf der ersten Elektrodenschicht (31).

公开(公告)号：DE102015117821B4

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：DE102015117821

申请日：2015-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335

Abstract: Ein Verfahren (100, 200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:Implantieren (110) von Dotierungsionen in ein Halbleitersubstrat, wobei eine Abweichung zwischen einer Hauptrichtung eines Dotierungsionenstrahls, der die Dotierungsionen implantiert, und einer Hauptkristallrichtung des Halbleitersubstrats weniger als ±0,5° während des Implantierens der Dotierungsionen in das Halbleitersubstrat ist; undSteuern (120) einer Temperatur des Halbleitersubstrats während der Implantation der Dotierungsionen, sodass die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines Zieltemperaturbereichs für mehr als 70 % einer Implantationsprozesszeit ist, die zum Implantieren der Dotierungsionen verwendet wird,wobei der Zieltemperaturbereich von einer unteren Zieltemperaturgrenze zu einer oberen Zieltemperaturgrenze reicht, wobei die untere Zieltemperaturgrenze gleich einer Zieltemperatur minus 30 °C ist und die obere Zieltemperaturgrenze gleich der Zieltemperatur plus 30 °C ist, wobei die Zieltemperatur höher als 80 °C ist, wobei die Hauptkristallrichtung (142) des Halbleitersubstrats (102) eine [110] oder [111] Richtung eines kubischen Diamantkristallgitters des Halbleitersubstrats (102) ist.

公开(公告)号：DE102019114312A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102019114312

申请日：2019-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ESTEVE ROMAIN ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L21/426 ,  H01L21/334 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Substrat (700) wird bereitgestellt, das eine Driftschicht (730) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen Graben (770) enthält, der sich von einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) in die Driftschicht (730) erstreckt. Erste Dotierstoffe werden durch eine erste Graben-Seitenwand (771) des Grabens (770) implantiert. Die ersten Dotierstoffe weisen einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf und werden unter einem ersten Implantationswinkel in das Siliziumcarbid-Substrat (700) implantiert, wobei unter dem ersten Implantationswinkel Channeling auftritt. Die ersten Dotierstoffe bilden eine erste Kompensationsschicht (181), die sich parallel zur ersten Graben-Seitenwand (771) erstreckt.

公开(公告)号：DE102015117821A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102015117821

申请日：2015-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Implantieren von Dotierungsionen in ein Halbleitersubstrat. Eine Abweichung zwischen einer Hauptrichtung eines Dotierungsionenstrahls, der die Dotierungsionen implantiert, und einer Hauptkristallrichtung des Halbleitersubstrats ist weniger als ±0,5° während des Implantierens der Dotierungsionen in das Halbleitersubstrat. Das Verfahren umfasst ferner ein Steuern einer Temperatur des Halbleitersubstrats während der Implantation der Dotierungsionen, sodass die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines Zieltemperaturbereichs für mehr als 70% einer Implantationsprozesszeit ist, die zum Implantieren der Dotierungsionen verwendet wird. Der Zieltemperaturbereich reicht von einer unteren Zieltemperaturgrenze zu einer oberen Zieltemperaturgrenze. Die untere Zieltemperaturgrenze ist gleich einer Zieltemperatur minus 30°C und die obere Zieltemperaturgrenze ist gleich ist zu der Zieltemperatur plus 30°C, wobei die Zieltemperatur höher als 80°C ist.

公开(公告)号：DE102015109545A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets und von dem Feldelektrodendielektrikum in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements beabstandet ist, wobei die Feldelektrode in einem Graben angeordnet ist, der in einer Bodenebene des Halbleiterkörpers einen Boden aufweist, und wobei das Lawinengebiet zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich näher an der Bodenebene befindet als an einer durch das Sourcegebiet definierten Oberfläche des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102015107085A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102015107085

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JELINEK MORIZ ,  STADTMÜLLER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Bestimmen einer Information, die eine extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) und eine intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) in einem Halbleiterwafer (100) angibt. Auf der Grundlage der Information über die extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) und die intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) sowie Information über eine Erzeugungsrate oder eine Dissoziationsrate von sauerstoffkorrelierten thermischen Donatoren in dem Halbleiterwafer (100) wird ein Prozesstemperaturgradient (Tproc(t)) bestimmt, um sauerstoffkorrelierte thermische Donatoren zu erzeugen oder zu dissoziieren, um eine Differenz zwischen einer Zieldotierstoffkonzentration (Dtarg) und der extrinsischen Dotierstoffkonzentration (Dext) zu kompensieren.

公开(公告)号：DE102015202121A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：DE102015202121

申请日：2015-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND ,  WEBER HANS ,  JANTSCHER WOLFGANG

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist.

公开(公告)号：DE102014116666A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014116666

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  JELINEK MORIZ ,  OEFNER HELMUT ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Implantieren einer definierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat und das Tempern des Halbleitersubstrats gemäß einem definierten Temperaturprofil. Zumindest eines der definierten Dosis von Protonen und des definierten Temperaturprofils wird abhängig von einem Kohlenstoff-bezogenen Parameter ausgewählt, der Informationen über eine Kohlenstoffkonzentration innerhalb von zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats anzeigt.