公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102016118012A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118012

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOSS STEPHAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  GAWLINA YVONNE

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine gemeinsame Dotierungsregion, die sich innerhalb eines Halbleitersubstrats des Halbleiterbauelements befindet. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen ersten Abschnitt. Eine maximale Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts ist höher als 1·1015 cm–3. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen zweiten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts ist geringer als 50% der maximalen Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts der gemeinsamen Dotierungsregion. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen dritten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des dritten Abschnitts ist um mehr als 30% höher als die minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts. Der zweite Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion befindet sich vertikal zwischen dem ersten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion und dem dritten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion.

公开(公告)号：DE102015118524A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102015118524

申请日：2015-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Beschrieben werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen desselben. Das Halbleiterbauelement umfasst: Mehrere Bauelementzellen, die jeweils ein Bodygebiet, ein Sourcegebiet und eine zu dem Bodygebiet benachbarte und diel elektrisch durch ein Gatedielektrikum gegenüber dem Bodygebiet isolierte Gateelektrode aufweisen; und eine elektrisch leitende Gateschicht, die die Gateelektroden aufweist oder elektrisch an die Gateelektroden der mehreren Bauelementzellen angeschlossen ist. Die Gateschicht ist elektrisch an einen Gateleiter angeschlossen und weist wenigstens eines von einem Gebiet mit erhöhtem Widerstand und einem Gebiet mit verringertem Widerstand auf.

公开(公告)号：DE102015213630A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung (1) präsentiert, die ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist, und ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, aufweist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst ferner ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren. Das Halbleiter-Body-Gebiet (102) isoliert das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) und weist eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke auf, die ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke im Halbleiter-Body-Gebiet (102) angeordnet ist, so dass die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen.

公开(公告)号：DE102014110366B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102014110366

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜSKEN HOLGER ,  TÜRKES PETER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Gatewiderstandsstruktur auf einem Halbleiterkörper (100), wobei der Halbleiterkörper (100) eine Gateelektrode (18) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp oder einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Gateelektrode (18) eine Oberseite (101) aufweist, wobei die Gatewiderstandsstruktur Folgendes aufweist:einen ersten Halbleiterbereich (184) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich von der Oberseite (101) in die Gateelektrode (18) in eine vertikale Richtung erstreckt,einen zweiten Halbleiterbereich (183) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, der in der Gateelektrode (18) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) angeordnet ist und daher einen p-n-Übergang mit dem ersten Halbleiterbereich (184) bildet, wobei der zweite Halbleiterbereich (183) unterhalb des ersten Halbleiterbereichs (184) in eine vertikale Richtung angeordnet ist;eine Isolierschicht (181), die angeordnet ist, um den ersten Halbleiterbereich (184) von der umgebenden Gateelektrode (18) zu isolieren,eine Kontaktschicht (19), die auf der Oberseite (101) angeordnet ist, die den ersten Halbleiterbereich (184) abdeckt, um den ersten Halbleiterbereich (184) elektrisch zu verbinden, und zusätzlich Teile der Oberseite (101) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) in eine horizontale Richtung abdeckt.

公开(公告)号：DE102015213630B4

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (1), welche Folgendes aufweist:- ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist,- ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, und- ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren, wobei das Halbleiter-Body-Gebiet (102) das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) isoliert und eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke aufweist, welche ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen; und wobeider erste Lastanschluss (E) ein Kontaktmetall (3) aufweist, das in Kontakt sowohl mit dem Source-Gebiet (104) als auch mit der Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke angeordnet ist; und wobeidas Halbleiter-Body-Gebiet (102) ferner eine Anti-latch-up-Zone (102-1) aufweist, wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) in Kontakt mit dem Source-Gebiet (104) und dem Kontaktmetall (3) angeordnet ist und eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweist als das Halbleiter-Body-Gebiet (102) außerhalb der Anti-latch-up-Zone (102-1), wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) und die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke ein gemeinsames Überlappungsgebiet (102-5) aufweisen.

公开(公告)号：DE102015101736A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101736

申请日：2015-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Ionenimplantationsgerät (100) umfasst eine Ionenstrahl- Richteinheit (120), einen Substratträger (190) und einen Controller (150). Der Controller (150) ist gestaltet, um eine Relativbewegung zwischen einem durch die Ionenstrahl-Richteinheit laufenden Ionenstrahl (101) und dem Substratträger (190) zu bewirken. Eine Strahlspur (109) des Ionenstrahles (101) auf einem auf dem Substratträger (190) befestigten Substrat (200) umfasst Kreise oder eine Spirale.