公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102017127010B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102017127010

申请日：2017-11-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOSER ANDREAS ,  KUENLE MATTHIAS ,  DAINESE MATTEO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/786

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines monokristallinen Halbleitersubstrats (10) mit einer ersten Seite (11);Bilden mehrerer Aussparungsstrukturen (12a) in dem Halbleitersubstrat (10) auf der ersten Seite (11);Füllen der Aussparungsstrukturen (12a) mit einem dielektrischen Material zum Bilden von dielektrischen Inseln (12) in den Aussparungsstrukturen (12a);Bilden einer Halbleiterschicht (13) auf der ersten Seite (11) des Halbleitersubstrats (10) zum Bedecken der dielektrischen Inseln (12);Aussetzen der Halbleiterschicht (13) einer Wärmebehandlung und Rekristallisieren der Halbleiterschicht (13) zum Bilden einer rekristallisierten Halbleiterschicht (13), wobei sich die Kristallstruktur der rekristallisierten Halbleiterschicht (13) an die Kristallstruktur des Halbleitersubstrats (10) anpasst, wobei das Halbleitersubstrat (10) und die Halbleiterschicht (13) zusammen einen Verbundwafer (14) bilden, wobei die dielektrischen Inseln (12) zumindest teilweise in dem Halbleitermaterial des Verbundwafers (14) vergraben sind; undDünnen des Halbleitersubstrats (10) des Verbundwafers (14) auf einer der ersten Seite (11) gegenüberliegenden zweiten Seite, wobei das Dünnen an den dielektrischen Inseln (12) angehalten wird.

公开(公告)号：DE102018122109A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018122109

申请日：2018-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUENLE MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ILLEMANN CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  STORBECK OLAF

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: Ein CDV-Reaktor (100), einschließlich einer Abscheidungskammer (110), die einen ersten Suszeptor (121a) und einen zweiten Suszeptor (121b) aufnimmt, wobei der erste Suszeptor (121a) eine Kavität zur Aufnahme eines ersten Substrats (101a) aufweist, das erste Substrat (101a) eine Vorderfläche (102a) und eine Rückfläche (103a) aufweist, der zweite Suszeptor (121b) eine Kavität zur Aufnahme eines zweiten Substrats (101b) aufweist, das zweite Substrat (101b) eine Vorderfläche (102b) und eine Rückfläche (103b) aufweist und der erste Suszeptor (121a) und der zweite Suszeptor (121b) angeordnet sind, so dass die Vorderfläche (102a) des ersten Substrats (101a) gegenüberliegend von der Vorderfläche (102b) des zweiten Substrats (101b) ist, wodurch ein Abschnitt eines Gasstromkanals ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102020119953A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020119953

申请日：2020-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KUENLE MATTHIAS ,  OEFNER HELMUT ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei die erste Halbleiterschicht von dem gleichen Dotierstofftyp wie das Halbleitersubstrat ist, wobei die erste Halbleiterschicht eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Halbleitersubstrat aufweist, ein Erhöhen der Porosität der ersten Halbleiterschicht, ein erstes Tempern der ersten Halbleiterschicht bei einer Temperatur von zumindest 1050°C, ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht und ein Trennen der zweiten Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat durch Spalten innerhalb der ersten Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102017127010A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102017127010

申请日：2017-11-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOSER ANDREAS ,  KUENLE MATTHIAS ,  DAINESE MATTEO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/786

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bereitstellen eines monokristallinen Halbleitersubstrats (10) mit einer ersten Seite; Bilden mehrerer Aussparungsstrukturen (12a) in dem Halbleitersubstrat (10) auf der ersten Seite; Füllen der Aussparungsstrukturen (12a) mit einem dielektrischen Material zum Bilden von dielektrischen Inseln (12) in den Aussparungsstrukturen (12a); Bilden einer Halbleiterschicht (13) auf der ersten Seite des Halbleitersubstrats (10) zum Bedecken der dielektrischen Inseln (12); und Aussetzen der Halbleiterschicht (13) einer Wärmebehandlung und Rekristallisieren der Halbleiterschicht (13). Die Kristallstruktur der rekristallisierten Halbleiterschicht passt sich an die Kristallstruktur des Halbleitersubstrats an. Das Halbleitersubstrat (10) und die Halbleiterschicht (13) bilden zusammen einen Verbundwafer, wobei die dielektrischen Inseln (12) zumindest teilweise in dem Halbleitermaterial des Verbundwafers vergraben sind.