公开(公告)号：DE102014119395A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014119395

申请日：2014-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: Es ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement enthält eine Vielzahl von Feldstrukturen, die eine Vielzahl von Mesaregionen in einem Halbleiterkörper definieren und von denen jede eine Feldelektrode und ein Feldelektrodendielektrikum aufweist; eine Vielzahl von Gatestrukturen in jeder Halbleiter-Mesaregion, wobei jede Gatestruktur eine Gateelektrode und ein Gatedielektrikum aufweist und in einem Graben der Halbleiter-Mesaregion angeordnet ist; eine Vielzahl von Bodyregionen, eine Vielzahl von Sourceregionen und eine Driftregion. Jede Bodyregion grenzt an das Gatedielektrikum von zumindest einer von der Vielzahl von Gatestrukturen an und ist zwischen einer von der Vielzahl von Sourceregionen und der Driftregion angeordnet.

公开(公告)号：DE102014105968A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102014105968

申请日：2014-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Trenchtransistor-Zellanordnung in einem Siliziumhalbleiterkörper (105) mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche. Eine Hauptlateralseite (107) des Halbleiterkörpers (105) zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche hat eine erste Länge (l1) längs einer ersten lateralen Richtung parallel zu den ersten und zweiten Hauptoberflächen. Die erste Länge (l1) ist gleich wie oder größer als Längen (l3, l4) von anderen lateralen Seiten (115, 117) des Halbleiterkörpers (105). Die Trenchtransistor-Zellanordnung umfasst vorwiegend lineare Gatetrenchteile (1001, 1002, ..., (1000+n)). Wenigstens 50 % der linearen Gatetrenchteile (1001, 1002, ..., (1000+n)) erstrecken sich längs einer zweiten lateralen Richtung (x2) oder senkrecht zu der zweiten lateralen Richtung. Ein Winkel zwischen den ersten und zweiten lateralen Richtungen (x1, x2) ist in einem Bereich von 45° ± 15°.

公开(公告)号：DE102012019782A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012019782

申请日：2012-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOGL ERWIN JOHANN ,  ZUNDEL MARKUS ,  WINKLER MARKUS

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Elektrisches Kontakt-Pad, wobei das Elektrische Kontakt-Pad in wenigstens zwei elektrisch voneinander getrennte Bereiche unterteilt ist.

公开(公告)号：DE102012216969A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102012216969

申请日：2012-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei wenigstens eine Elektrode in wenigstens einem Graben sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hineinerstreckt und wobei sich ein Halbleitervia in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers innerhalb des Halbleiterkörpers zu der zweiten Oberfläche erstreckt. Das Halbleitervia ist elektrisch von dem Halbleiterkörper durch eine Via-Isolationsschicht isoliert. Die wenigstens eine Elektrode erstreckt sich in einer ersten lateralen Richtung des Halbleiterkörpers durch die Via-Isolationsschicht und ist elektrisch an das Halbleitervia angeschlossen.

公开(公告)号：DE102007041885B4

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：DE102007041885

申请日：2007-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/784

Abstract: A method for dividing a semiconductor substrate involves providing a semiconductor substrate. At least one separating trench is produced at a front side of the semiconductor substrate. A layer is produced at least at the bottom of the at least one separating trench. The semiconductor substrate is thinned at a rear side of the semiconductor substrate at least as far as the layer at the bottom of the at least one separating trench. The layer is severed in order to divide the semiconductor substrate into individual pieces.

公开(公告)号：DE10223699B4

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：DE10223699

申请日：2002-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: The MOS-transistor array has a mesa (M) and trench (T,30) layout. The trenches are crossed by body contact strips (Bk) with transistor channel areas (K) in regions of lowered height (E) between the mesas. These areas are also avalanche breakthrough regions (A). The depth of the trenches may also be reduced in these regions.

公开(公告)号：DE102006005033A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：DE102006005033

申请日：2006-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/01 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: The arrangement has a trench-transistor with a gate electrode (11), a source-zone (6), a drain-zone (2) and a body-zone (5), where the body-zone is arranged in a semiconductor zone of conduction type. A temperature measuring arrangement has a temperature measuring resistor (13), which is formed over a part of the semiconductor zone, where an evaluation circuit is coupled to the temperature measuring resistor.

公开(公告)号：DE102005014744A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：DE102005014744

申请日：2005-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: The transistor has trenches formed inside a semiconductor body and an isolation layer provided adjacent to the body. A gate electrode is provided adjacent to the layer in the trench. A field formed between the trenches has a drift field (D) and a body field with body contact and source fields. A breakthrough is formed in the field for increasing the avalanche rigidity in a depth lying in the area of a trench bottom. An independent claim is also included for a method of manufacturing a trench transistor.

公开(公告)号：DE10343083B4

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE10343083

申请日：2003-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SANDER RAINALD ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102004063946A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004063946

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A transistor has a cell array with two or more transistor cells, a temperature sensor, which is integrated in the cell array or is adjacent to the cell array, and an isolation structure. The isolation structure isolates the temperature sensor from the cell array, and has an isolation trench, which is arranged between the cell array and the temperature sensor. The distance between the temperature sensor and the active transistor cell that is closest to the temperature sensor corresponds approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.