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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE EINE OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG
    11.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE EINE OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022063645A1

    公开(公告)日：2022-03-31

    申请号：PCT/EP2021/075296

    申请日：2021-09-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VON MALM, Norwin ,  KREINER, Laura ,  GOLDBACH, Matthias

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Mehrzahl von Bauelementbereichen (21); b) Ausbilden einer Filterschicht (3) auf dem Trägerverbund (20); c) Ausbilden einer Strahlungskonversionsschicht (4) auf der Filterschicht (3); d) Anordnen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (5) auf der Strahlungskonversionsschicht (4), wobei die Halbleiterkörper (5) jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (50) mit einem zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (53) aufweisen und frei von einem den Halbleiterkörper (5) stabilisierenden Substrat sind; e) Ausbilden einer Kontaktschicht (6) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Halbleiterkörpern (5); f) Ausbilden einer Isolationsschicht (7) auf der Kontaktschicht (6); g) Ausbilden von elektrischen Kontaktflächen (65), die jeweils mit der Kontaktschicht (6) elektrisch leitend verbunden sind; und h) Vereinzeln des Trägerverbunds (20) in die optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1), wobei die vereinzelten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1) jeweils einen Träger (2) als Teil des Trägerverbunds (20), eine Mehrzahl von elektrisch miteinander verbundenen Halbleiterkörpern (5) und zumindest zwei elektrische Kontaktflächen (65) für die externe elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisen. Weiterhin werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) und eine optoelektronische Anordnung (10) angegeben.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT
    13.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021122112A1

    公开(公告)日：2021-06-24

    申请号：PCT/EP2020/084928

    申请日：2020-12-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIEN, Matthias ,  GOLDBACH, Matthias

    IPC: H01L33/62 ,  H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49861 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) angegeben, aufweisend die Schritte: a) Bereitstellen eines Leiterrahmenverbundes (3) mit einer Mehrzahl von Bauelementbereichen (35), wobei der Leiterrahmenverbund (3) stellenweise eine erste Dicke (d1) und stellenweise eine zweite Dicke (d2), welche kleiner ist als die erste Dicke (d1), aufweist; b) Befestigen von jeweils mindestens einem Halbleiterchip (2) auf einem der Bauelementbereiche (35); c) Umformen des Leiterrahmenverbunds (3) mit einer Formmasse zur Ausbildung eines Formkörperverbunds (4); d) Bereichsweises Entfernen von Material des Leiterrahmenverbunds; e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) entlang von Vereinzelungslinien (9) zwischen benachbarten Bauelementbereichen (3). Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    15.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021074009A1

    公开(公告)日：2021-04-22

    申请号：PCT/EP2020/078302

    申请日：2020-10-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DOBNER, Andreas ,  WALDSCHIK, Andreas ,  GOLDBACH, Matthias

    IPC: H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement umfasst zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Hauptfläche, an der zwei elektrische Kontakte angeordnet sind, einen Ansteuerchip zur Steuerung des Halbleiterchips mit einer Vielzahl von elektrischen Anschlussstellen und ein Gehäuse mit einem Gehäusekörper. Der optoelektronische Halbleiterchip ist mit einer Montagefläche, die quer zur Hauptfläche verläuft, an einer ersten Ausnehmung des Gehäusekörpers angeordnet. Eine Seitenfläche der ersten Ausnehmung bildet mit einer Bodenfläche der ersten Ausnehmung einen stumpfen Winkel aus. Mindestens einer der elektrischen Kontakte des optoelektronischen Halbleiterchips ist über eine Leiterbahn elektrisch leitend mit einer elektrischen Anschlussstelle des Ansteuerchips verbunden, wobei die Leiterbahn zumindest stellenweise an der Seitenfläche der ersten Ausnehmung aufgebracht ist.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    18.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2017055483A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：PCT/EP2016/073314

    申请日：2016-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOLDBACH, Matthias ,  GRUENDL, Andreas

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schicht, die ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, mit einer Schicht, die ein Konversionsmaterial und ein Streumaterial aufweist, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um die erste Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung zu einer zweiten Wellenlänge zu verschieben, und wobei das Streumaterial ausgebildet ist, um die erste Wellenlänge stärker als die zweite Wellenlänge diffus zu streuen.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有层，其被设计为产生具有第一波长的电磁辐射，具有包括转换材料和扩散材料的层的光电元件，所述转换材料形成为所述电磁辐射的第一波长 移动到第二波长，并且其中所述漫射材料形成散射所述第一波长多于第二波长分散。

    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN
    19.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021160596A1

    公开(公告)日：2021-08-19

    申请号：PCT/EP2021/053053

    申请日：2021-02-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HAHN, Berthold ,  GOLDBACH, Matthias ,  BOGNER, Georg

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50

    Abstract: Eine Optoelektronische Vorrichtung, die insbesondere für die Verwendung im Automobilbereich eine sehr hohe mechanische Stabilität, sowie eine hohe Effizienz für sehr dünne Lichtleiter bietet umfasst einen Glasträger, wenigstens eine lichtstreuende Schicht, die auf dem Glasträger aufgebracht ist und wenigstens ein oberflächenemittierendes Bauelement in Chip-Size-Package mit einer Emissionsfläche und einer der Emissionsfläche abgewandten Fläche aufweisend ein erstes und ein zweites Kontaktpad. Die Emissionsfläche ist mittels eines Klebers auf der lichtstreuenden Schicht angeordnet und wenigstens eine Kontaktleitung, welche das zweite Kontaktpad des wenigstens einen oberflächenemittierendes Bauelements kontaktiert verläuft entlang einer dem zweiten Kontaktpad benachbarten Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements in Richtung des Glasträgers. Weiterhin weist die optoelektronische Vorrichtung eine lichtformende Struktur auf, welche auf der dem optoelektronischen Bauelement abgewandten Oberfläche des Glasträgers angeordnet ist.

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