公开(公告)号：DE102012112994A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102012112994

申请日：2012-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: F21S8/12 ,  F21V9/40 ,  F21V13/08 ,  F21Y101/02 ,  H01S5/00

Abstract: Es wird eine Scheinwerfervorrichtung (1) angegeben umfassend – eine Laserlichtquelle (2) zur Emission von kollimierter Primärstrahlung (3), – ein Konversionselement (4) aufweisend Konversionsbereiche (5), die zur zumindest teilweisen Umwandlung der kollimierten Primärstrahlung (3) in Sekundärstrahlung (6) vorgesehen sind und im Betrieb Leuchtbereiche bilden, und Trennstege (7), welche die Konversionsbereiche (5) voneinander trennen und für die Primärstrahlung (3) und Sekundärstrahlung (6) undurchlässig sind, – eine Umlenkeinrichtung (8), welche dazu vorgesehen ist, die im Betrieb von der Laserlichtquelle (2) kommende kollimierte Primärstrahlung (3) auf das Konversionselement (4) zu lenken und als Abtaststrahl (9) über Teilbereiche des Konversionselements (4) zu führen.

公开(公告)号：DE102018101582B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102018101582

申请日：2018-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK PETER ,  GRÖTSCH STEFAN ,  PAWLIK STEPHAN ,  WITTMANN MICHAEL ,  HILLER ULI

IPC: H01L25/16 ,  G05D25/02 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H05B45/00 ,  H05B47/10

Abstract: Strahlung emittierende Vorrichtung (1) umfassend- einen pixelierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission einer ersten Strahlung (S1) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (λ1) vorgesehen ist und mehrere nebeneinander angeordnete Halbleiterbereiche (20) aufweist,- ein Konversionselement (3) oder Farbsteuerungsmittel, das zur Umwandlung zumindest eines Teils der ersten Strahlung (S1) in eine zweite Strahlung (S2) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (A2) vorgesehen ist,- ein Farbsteuerungselement (4), das eine Halbleiterdiode zur Absorption eines Teils der ersten und/oder zweiten Strahlung (S1, S2) aufweist, wobei in einem ersten Betriebszustand (I) eine Rückwärtsspannung (UR) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SI) einer ersten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) zusammensetzt, von der Vorrichtung emittiert wird, und in einem zweiten Betriebszustand (II) eine Vorwärtsspannung (UF) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SII) einer zweiten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) und einer durch die absorbierte erste und/oder zweite Strahlung (S1, S2) in der Halbleiterdiode erzeugten dritten Strahlung mit einer dritten Peak-Wellenlänge (λ3) zusammensetzt, von der Vorrichtung (1) emittiert wird.

公开(公告)号：DE102017119344A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119344

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  ZITZELSPERGER MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN ,  KOCH HOLGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102004047061B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102004047061

申请日：2004-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN BERTHOLD DR ,  BRUNNER HERBERT ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/02 ,  H01L33/48

Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit- einem Gehäuse, das einen Gehäusegrundkörper und mindestens eine erste und mindestens eine zweite elektrische Leiterbahn aufweist, wobei der Gehäusegrundkörper einen Chipträger und einen Chiprahmen umfasst, durch welchen eine Kavität definiert ist, und die erste Leiterbahn auf einer vom Chipträger abgewandten Seite des Chiprahmens einen ersten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt,- mindestens einem Halbleiterchip zum Emittieren oder Empfangen von elektromagnetischer Strahlung, der in dem Gehäuse montiert ist und elektrisch leitend mit den elektrischen Leiterbahnen verbunden ist, wobei die zweite Leiterbahn auf einer dem Chiprahmen zugewandten Seite des Chipträgers einen zweiten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt, wobei die zweite Leiterbahn teilweise vom Chiprahmen bedeckt ist, wobei der Halbleiterchip in der Kavität mittels eines Füllmaterials umfüllt ist, das zur Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten Keramikpartikel enthält, die Galliumnitrid aufweisen oder daraus bestehen.

公开(公告)号：DE102008011866B4

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102008011866

申请日：2008-02-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  PETERSEN KIRSTIN DR ,  STREPPEL ULRICH DR

IPC: G02B27/18 ,  F21V13/12 ,  F21Y115/10 ,  G02B27/14 ,  G03B21/14 ,  H01L33/00

Abstract: Lichtquellenanordnung mit einer Halbleiterlichtquelle, umfassend:- eine Primärstrahlungsquelle (110) mit einer Schichtenfolge, die im Betrieb eine erste elektromagnetische Primärstrahlung entlang einer ersten Hauptstrahlrichtung emittiert;- ein von der Primärstrahlungsquelle (110) beabstandetes Lumineszenzkonversionselement (120), das einen Kühlkörper (121) und ein daran angeordnetes Lumineszenzmaterial (122) aufweist, welches zumindest einen Teil der eingekoppelten Primärstrahlung mittels mindestens eines Leuchtstoffs in eine Sekundärstrahlung entlang einer zweiten Hauptstrahlrichtung wellenlängenkonvertiert;- ein wellenlängenselektives Reflektorelement (160), das im Strahlengang der Primärstrahlungsquelle (110) angeordnet und ausgeführt ist, die Primärstrahlung auf das Lumineszenzmaterial (122) des Lumineszenzkonversionselements (120) zu lenken oder von dem Lumineszenzmaterial (122) in Richtung der Primärstrahlungsquelle (110) abgegebene Sekundärstrahlung umzulenken, und- eine zweite Primärstrahlungsquelle (130), die eine dritte elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei die zweite Primärstrahlungsquelle (130) der Primärstrahlungsquelle (110) gegenüberliegend angeordnet ist, und wobei das wellenlängenselektive Reflektorelement (160) zur Umlenkung der dritten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE10324909B4

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE10324909

申请日：2003-05-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KROMOTIS PATRICK ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: H01L33/48 ,  F21K99/00 ,  F21Y115/10 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

Abstract: Gehäuse für zumindest zwei strahlungsemittierende Bauelemente, insbesondere LEDs, mit einem Systemträger (1) und einer Reflektoranordnung (2), die auf dem Systemträger (1) angeordnet ist, wobei die Reflektoranordnung eine Anzahl an Reflektorelementen (3) aufweist, die jeweils zur Aufnahme zumindest eines strahlungsemittierenden Bauelements dienen, und die mit einer separat von der Reflektoranordnung gefertigten Haltevorrichtung (4) aneinander befestigt sind, wobei der Systemträger (1) und die Haltevorrichtung (4) aus einem ersten Material mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten und die Reflektoranordnung (2) aus einem zweiten Material mit einem zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten bestehen, und das zweite Material ein Kunststoff ist.

公开(公告)号：DE102016103552A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103552

申请日：2016-02-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  GRÖTSCH STEFAN ,  SCHWARZ THOMAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L25/075 ,  B60Q1/00 ,  F21S8/10 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Leuchte, insbesondere für einen Scheinwerfer eines Fahrzeuges, mit einem Träger, wobei auf dem Träger lichtemittierende Halbleiterchips angeordnet sind, wobei erste planare elektrische Leitungen auf dem Träger angeordnet sind, wobei erste Anschlusskontakte der Halbleiterchips mit den ersten elektrischen Leitungen verbunden sind, wobei die ersten Leitungen zu einem Randbereich der Anordnung der Halbleiterchips geführt sind, wobei eine Anschlussleitung neben der Anordnung der Halbleiterchips auf dem Träger angeordnet ist, wobei die Anschlussleitung mit wenigstens einer elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden ist, wobei auf dem Träger weitere Trägerkontakte angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips auf den weiteren Trägerkontakten angeordnet sind, wobei ein Halbleiterchip auf einer Unterseite einen zweiten Anschlusskontakt aufweist, wobei die zweiten Anschlusskontakte mit den weiteren Trägerkontakten elektrisch verbunden sind, wobei die weiteren Trägerkontakte über wenigstens eine elektrische Leitung, die im Träger angeordnet ist, mit Trägerkontakten verbunden sind, wobei die Trägerkontakte und die Anschlussleitung für eine Stromversorgung der Halbleiterchips vorgesehen sind.

公开(公告)号：DE112014001263A5

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112014001263

申请日：2014-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  BRANDL MICHAEL

IPC: H01L33/46 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102013215374A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102013215374

申请日：2013-08-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN

IPC: F21V8/00

Abstract: Eine Beleuchtungsanordnung umfasst eine Lichtquelle, einen Taper und einen zweidimensionalen Bildgeber. Dabei ist der Taper dazu vorgesehen, Licht von der Lichtquelle zu dem zweidimensionalen Bildgeber zu leiten.

公开(公告)号：DE102013204291A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102013204291

申请日：2013-03-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  F21S8/10 ,  F21W101/10 ,  F21Y101/02 ,  H01L25/13 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, aufweisend ein Trägersubstrat (140, 240, 245), einen einzelnen auf dem Trägersubstrat (140, 240, 245) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (120, 220), eine Emissionsfläche (131, 231) zum Abgeben einer Lichtstrahlung, welche Bestandteil einer Vorderseite (111, 211) des optoelektronischen Bauelements ist, und eine an der Vorderseite (111, 211) des optoelektronischen Bauelements an die Emissionsfläche (131, 231) angrenzende reflektive Schicht (150, 250). In einer Ausgestaltung ist die Emissionsfläche (131) derart angeordnet, dass die Emissionsfläche (131) einen Teil des Randes der Vorderseite (111) des optoelektronischen Bauelements bildet. In einer weiteren Ausgestaltung weist die Emissionsfläche (231) eine wenigstens so große Querschnittsbreite auf wie eine der Vorderseite (211) entgegen gesetzte Rückseite (212) des optoelektronischen Bauelements. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Leuchtvorrichtung aufweisend mehrere optoelektronische Bauelemente.