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公开(公告)号：KR1020120140279A
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020110059903
申请日：2011-06-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B7/10 , B01J3/04
Abstract: PURPOSE: A pressure vessel for growing a single crystal is provided to easily replace a liner by including a constant taper part in the inner wall of an external vessel and an outer wall of an inner liner. CONSTITUTION: A pressure vessel body(120) is made of heat resistant alloy. A liner(110) is made of corrosion resistant materials and is inserted into the pressure vessel body. A lower support stand(130) passes through the lower side of the pressure vessel body and supports the lower side of the liner. A liner is separated from the pressure vessel body by upwardly pushing and raising the lower support stand.
Abstract translation: 目的：提供用于生长单晶的压力容器，以通过在外部容器的内壁和内衬的外壁中包括恒定的锥形部分来容易地更换衬里。 构成：压力容器本体（120）由耐热合金制成。 衬套（110）由耐腐蚀材料制成，并被插入到压力容器本体中。 下支撑支架（130）穿过压力容器主体的下侧并支撑衬套的下侧。 通过向上推动下支撑架将衬套与压力容器本体分开。
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公开(公告)号：KR1020120125102A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110043189
申请日：2011-05-06
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205 , C23C16/06 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/02175 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a tin oxide thin film is provided to improve electrical characteristics by using a tin source in which fluorine pollution material is eliminated and to produce a thin film in which thickness is uniform. CONSTITUTION: A tin amino alkoxide is provided to an atomic layer deposition reactor. A tin chemical species is absorbed on a substrate. An oxygen source is provided to the atomic layer deposition reactor. An oxygen chemical species is absorbed on the substrate which absorbs the tin chemical species.
Abstract translation: 目的：提供一种制造氧化锡薄膜的方法，以通过使用消除氟污染物质的锡源和改善厚度均匀的薄膜来提高电气特性。 构成：将锡氨基醇盐提供给原子层沉积反应器。 锡化学物质被吸收在基材上。 向原子层沉积反应器提供氧源。 氧化学物质被吸收在吸收锡化学物质的基底上。
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公开(公告)号：KR101190161B1
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020090053697
申请日：2009-06-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/06 , H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 아연 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Zn[OA-NR
1 R
2 ]
2
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있으며; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]
본 발명에 따르는 아연 아미노알콕사이드 화합물은 아연 전구체로서 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 아연을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 아연 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
아연, 전구체, 투명, 전극, 전도성, 박막-
公开(公告)号：KR101153721B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100023166
申请日：2010-03-16
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은신규한 2차원그라펜나노리본(Two-dimensional graphene nanoribbons) 및이의제조방법에관한것이다. 자세하게는유기합성적제조방법을이용한고품질의그라펜소재및 그라펜의에지(Edge)에기능성유기치환체의결합을통하여기능제어된그라펜나노리본및 이의제조방법을제공한다. 본발명에따라제조된그라펜나노리본은길이가 20 내지 80 nm이고, 폭이약 2.5 nm이며, 두께가약 0.16 내지 0.17nm의 2차원구조를갖는것이특징이다.
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公开(公告)号：KR101116246B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090048255
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 본발명에따른실리콘아미노알콕사이드화합물은상온에서액체상태로존재하며낮은온도에서휘발되는특성을나타냄으로실리콘을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금제조에실리콘원료물질로유용하게사용될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101104876B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020090095598
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 안정적으로 p형을 유지하는 산화아연 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 고안정성 p형 산화아연 박막의 제조방법은 a) 기판상 n형 산화아연 박막을 형성하는 단계; b) 상기 n형 산화아연 박막에 물리적으로 질소를 주입하는 단계; 및 c) 질소가 주입된 산화아연 박막을 열처리하여 p형 산화아연 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 특징이 있다.
산화아연, p형, 반도체, 불순물, 코도핑, 갈륨, 질소, 주입, 열처리-
公开(公告)号：KR101082330B1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：KR1020090030679
申请日：2009-04-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따르는인듐알콕사이드화합물은인듐선구물질로서상온에서액체상태로존재하며증기압이매우높아인듐을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금증착에인듐원료물질로유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110119191A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038772
申请日：2010-04-27
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/003 , C01G23/006 , C01G35/006 , C01P2002/34 , C01P2004/64 , C23C4/04 , C23C16/404
Abstract: PURPOSE: A novel alkaline earth metal compound using modified glycine derivatives is provided to ensure easy maintenance and excellent thermal stability. CONSTITUTION: An alkaline earth metal compound is denoted by chemical formula 1. The alkaline earth metal compound of chemical formula 1 is prepared by reacting alkaline earth metal halide compound of chemical formula 2(MX_2) with sodium(bis-(alkoxyalkyl))glycinate or sodium(bis-(dialkylaminoalkyl))glycinate of chemical formula 3(NaOCOCH_2N &(CH_2)nY R_2). An alkaline earth metal oxide thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition.
Abstract translation: 目的：提供使用改性甘氨酸衍生物的新型碱土金属化合物，以确保易于维护和优异的热稳定性。 化学式1的碱土金属化合物是通过使化学式2（MX_2）的碱土金属卤化物与（双 - （烷氧基烷基））甘氨酸钠或 化学式3（NaOCOCH 2 N＆（CH 2）n Y R 2）的（双（二烷基氨基烷基））甘氨酸钠。 通过金属有机化学气相沉积形成碱土金属氧化物薄膜。
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公开(公告)号：KR101052360B1
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020080113183
申请日：2008-11-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G15/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Ga[OA-NR
1 R
2 ]
x [R
3 ]
3-x
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 내지 R
3 는 서로 독립적으로 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 전구체로서 상온에서 액체 또는 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 휘발되는 특성을 나타내므로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 전구체, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)
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