公开(公告)号：KR1019960005571B1

公开(公告)日：1996-04-26

申请号：KR1019920024671

申请日：1992-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  유현규 ,  강원구 ,  조덕호 ,  강성원

IPC: H01L27/10

Abstract: The method for manufacturing dynamic semiconductor device of silicon on insulator type using silicon direct bonding technology comprises the steps of: growing a first separation oxide film(16) and a second separation oxide film(17) on an active region(43); forming a substrate contact electrically connecting the buried structure and an active region and a defining pattern of capacitors(20a,20b) to use an insulation film; connecting a handle wafer(24), on which an insulation film(25) is formed, with a seed wafer(15) which is filled with plate type polysilicon(22); forming the seed wafer to a thin film by abrasion process; defining a connection region of a plate electrode after forming the contact region(29) of the plate type polysilicon and depositing polysilicon(30) for electrode connection and an oxide film(31) in turn; forming a side wall oxide film(34) by LDD process after growing a gate oxide film(32) and defining a word line(33); forming source/drain(37,38) of a transistor on the SOI(28) by ion-implanting process; and forming a word line electrode, bit line electrode and plate electrode.

Abstract translation: 使用硅直接粘合技术制造绝缘体上的动态半导体器件的方法包括以下步骤：在有源区（43）上生长第一分离氧化物膜（16）和第二分离氧化膜（17）; 形成电连接所述掩埋结构和有源区的衬底接触和限定图案的电容器（20a，20b）以使用绝缘膜; 将其上形成有绝缘膜（25）的处理晶片（24）与填充有板状多晶硅（22）的晶种晶片（15）连接; 通过磨损方法将种晶片形成薄膜; 在形成板状多晶硅的接触区域（29）并依次沉积用于电极连接的多晶硅（30）和氧化膜（31）之后，限定平板电极的连接区域; 在生长栅极氧化膜（32）并限定字线（33）之后，通过LDD工艺形成侧壁氧化膜（34）; 通过离子注入工艺在SOI（28）上形成晶体管的源极/漏极（37,38）; 并形成字线电极，位线电极和平板电极。

公开(公告)号：KR1019920022497A

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019910009086

申请日：1991-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  강원구 ,  강상원

IPC: H01L27/04

公开(公告)号：KR100030055B1

公开(公告)日：1989-11-01

申请号：KR1019860006016

申请日：1986-07-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  신웅호 ,  유현규

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR101668460B1

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：KR1020120058672

申请日：2012-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박필재 ,  김천수 ,  유현규

IPC: G01S7/03

CPC classification number: G01S13/02 ,  G01S7/032 ,  G01S13/726 ,  G01S13/878 ,  G01S13/92

Abstract: 본발명은기준신호원에인젝션락 방식을적용하여송신기및 수신기에필요한신호를생성함으로써, 고집적화, 소형화및 저전력화설계가가능한다중송수신레이더시스템에관한것이다. 이를위하여본 발명의실시예에따른다중송수신레이더시스템은적어도하나이상의수신기및 송신기를이용한다중송수신레이더시스템에있어서, 적어도하나이상의송신기중 어느하나에서발생되는기준신호원을이용하여위상의동조된다수의신호원을생성하며, 생성된다수의신호원각각을적어도하나이상의수신기및 다른송신기에제공하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101449484B1

公开(公告)日：2014-10-13

申请号：KR1020100115078

申请日：2010-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박정우 ,  이영재 ,  유현규 ,  민병훈 ,  김성도 ,  호아이남 ,  이상국

IPC: H04B1/16 ,  H03D7/00

Abstract: 본 발명은 직접 변환 수신기에 관한 것으로서, 샘플링 주파수에 따라서 입력 전류를 전하 샘플링하는 샘플러부 및 낮은 입력 임피던스를 가지면서 샘플러부의 출력 신호를 수신하여 증폭하고 전류신호를 출력하는 버퍼부를 포함하는 고선형성 믹서 장치와, 믹서 장치의 출력 신호를 데시메이션하고 FIR 필터링 하는 필터 장치를 포함하며, 필터 장치는, 입력 신호를 서로 상이한 샘플링 주기만큼 지연시키고 서로 동일한 또는 상이한 웨이트(weight)를 부여하여 다수의 지연 신호를 생성하여 출력하는 신호전달부와, 신호전달부로부터 출력되는 다수의 지연 신호를 가산하여 결과를 출력하는 가산부를 포함한다.

公开(公告)号：KR101377588B1

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020100081571

申请日：2010-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최장홍 ,  부현호 ,  유현규

IPC: H04L27/12 ,  H04B1/50

Abstract: 디지털입력신호를 RF 신호로변환하는디지털 RF 변환기에서, 차동스위치가발진신호에응답하여서제1 및제2 노드를제1 및제2 RF 출력단자에선택적으로연결한다. 적어도하나의디지털지연소자열이디지털입력신호에해당하는입력비트를차례로지연하여서복수의단위비트를출력하고, 전치프로세서가디지털지연소자열의출력을합산한다. 복수의전류원에각각대응하는복수의스위치가복수의전류원중 전치프로세서의합산값에대응하는개수의전류원의전류를제1 및제2 노드중 어느하나로전달한다.

公开(公告)号：KR101354650B1

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：KR1020100035946

申请日：2010-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  한선호 ,  김영화 ,  조성환

IPC: H03M1/38

Abstract: 본 발명은 최소한의 캐패시터만을 구비하여 아날로그-디지털 변환 동작을 수행될 수 있도록 함으로써, 감소된 정전 용량과 회로 면적을 가질 수 있을 뿐 만 아니라 공정 변화에도 매우 강한 특성을 가질 수 있도록 하는 연속 근사 아날로그-디지털 데이터 변환기에 관한 것으로, 상기 연속 근사 아날로그-디지털 데이터 변환기는 기준전류를 공급하는 기준전류 공급부; 상기 기준전류를 충전하여 생성되는 기준신호와 외부로부터 입력되는 입력신호를 저장하는 신호 저장부; 상기 기준신호와 상기 입력신호를 비교하는 비교부; 상기 비교부의 비교 결과를 기반으로 디지털 출력신호를 발생함과 동시에 상기 기준전류 공급부를 제어하여 상기 신호 저장부에 공급되는 기준전류의 공급량이 이진코드에 비례하여 변화되도록 하는 제어부를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR101304596B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020090055584

申请日：2009-06-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이자열 ,  민병훈 ,  김성도 ,  유현규

IPC: H03B5/08 ,  H03L7/099

Abstract: CMOS 공정을 이용하여 금속-산화물-금속(MOM) 구조의 평판 캐패시터에 스위치를 적용하여 제어신호에 따라 서로 다른 캐패시턴스를 형성하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터가 개시된다. 상기 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터는, 하나의 제1 금속층을 포함하는 복수의 금속층 및 상기 복수의 금속층 사이에 개재된 복수의 유전체층을 포함하는 적층구조물; 및 상기 복수의 금속층 중 상기 제1 금속층을 제외한 나머지 금속층 중 적어도 하나의 금속층에 일단이 연결된 적어도 하나의 스위치를 갖는 스위치부를 포함하며, 상기 제1 금속층과 상기 스위치의 타단은 캐패시터의 양 단자가 되며, 상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 상기 양 단자 사이에 적어도 두 개의 캐패시턴스를 제공한다.
가변, 캐패시턴스, 캐패시터, 디지털 제어 발진기, 단위 캐패시턴스, 스위치, CMOS, MOM

公开(公告)号：KR101263220B1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：KR1020090062191

申请日：2009-07-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병훈 ,  유현규

IPC: H03D7/00

Abstract: 본발명은, 프로그래머블분주기를사용하여주파수발진기의주파수를낮춘다음디지털블록으로구현가능한위상락 루프를구성하여락 시간을단축할수 있는주파수합성기를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明可以通过使用可编程分频器降低频率振荡器的频率，通过配置可以作为数字块实现的锁相环来提供能够缩短锁定时间的频率合成器。

公开(公告)号：KR1020130036697A

公开(公告)日：2013-04-12

申请号：KR1020120052201

申请日：2012-05-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최장홍 ,  박문양 ,  부현호 ,  한선호 ,  유현규

IPC: H04L27/18

CPC classification number: H04L27/20

Abstract: PURPOSE: A device for inputting the signal of a digital-RF converter is provided to improve a signal-noise ratio by generating noise generated by the excessive response of an input signal in a specific frequency or a random frequency. CONSTITUTION: A device for inputting the signal of a digital-RF converter(100) includes a phase-modulated signal input unit inputting a phase-modulated transmission signal into the LO switch(130) of the digital-RF converter; and a digital signal input unit modifying a digital signal in order to correspond to the phase-modulated transmission signal and inputting the modified digital signal into the data switch(121,122) of the digital-RF converter.

Abstract translation: 目的：提供用于输入数字RF转换器的信号的装置，用于通过产生由特定频率或随机频率的输入信号的过度响应产生的噪声来提高信噪比。 构成：用于输入数字RF转换器（100）的信号的装置包括相位调制信号输入单元，其将相位调制的发送信号输入到数字RF转换器的LO开关（130）中; 以及数字信号输入单元，其修改数字信号以便对应于相位调制的传输信号，并将修改的数字信号输入到数字RF转换器的数据开关（121,122）中。