自对准同轴通路电容器
    218.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1284428C

    公开(公告)日:2006-11-08

    申请号:CN00819235.9

    申请日:2000-12-07

    Abstract: 本发明同轴电容器的各种实施例是自对准的且形成于通路中,通路包括盲通路、埋入式通路和镀通孔。所述同轴电容器被设置成利用镀通路的镀层(125)作为第一电极。形成介电层(130)来覆盖第一电极(125),且使一部分通路未被填充。将第二电极(135)形成于未被介电层(130)填充的通路部分中。这类同轴电容器适用于去耦和功率阻抑应用,以降低信号和电源的噪声和/或减少电子器件中功率的过冲及下降。在这些应用中,通常需要把多个同轴电容器,往往是数以千计,相并连以得到所需的电容量。

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