-
公开(公告)号：KR1020180079600A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184217
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 본발명은반도체기판으로부터에피층을분리하기위한것으로서, 반도체기판으로부터이종물질의에피층을분리하는방법에있어서, 상기반도체기판상에상기에피층의갈라짐배열(crack array)을결정짓는패턴을형성하는제1단계와, 상기패턴이형성된반도체기판상에에피층을성장시키는제2단계와, 상기패턴에대응하여상기에피층에갈라짐배열을형성시키는제3단계및 상기에피층의갈라짐배열에식각용액을침투시켜상기갈라짐배열을따라상기에피층에상기식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여상기반도체기판으로부터에피층을분리하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는갈라짐패턴을이용한에피층분리방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은반도체기판상에갈라짐패턴을형성함에따라에피층에식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여반도체기판으로부터에피층을신속히분리할수 있는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101875416B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020160184216
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/50 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。
-
公开(公告)号：KR101666400B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150117744A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020140042909
申请日：2014-04-10
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, 상기목적을달성하기위해본 발명은, 기판상에마스크층을형성하는단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기기판의일부영역을노출시키는패턴을형성하는단계및 상기기판의노출된영역상에발광층을포함하는질화물계나노막대를성장시키는단계를포함하여이루어지되, 상기나노막대의직경또는간격을조절함으로써나노막대간 그림자효과(shadow effect)에따른상기나노막대의유효조성물의함량을제어하여, 상기발광층의발광파장을조절하는것을특징으로하는나노막대를이용한백색발광소자의제조방법및 이에의해제조된나노막대를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해기판상에나노막대형태로발광층을형성함으로서, 형광체없는백색광원의제조가가능하며, 발광층을나노막대형태로형성하여결함밀도를최소화하여고품질의발광소자의제조가가능한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有无磷工艺的白色发光元件。 为了实现该目的，本发明包括在基板上形成掩模层的步骤; 形成图案的步骤，通过图案化掩模层曝光基板的部分区域; 以及在衬底的暴露区域上生长包括发光层的氮化物纳米棒的步骤。 该方法能够通过控制纳米棒的间隙或直径，通过根据纳米棒的阴影效应来控制纳米棒的有效复合物的含量来控制发光层的发光波长。 因此，由于在纳米棒状的基板上形成发光层，所以能够制造无磷白色光源，通过将纳米棒状的发光层形成为 以制造高质量的发光元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101531875B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130165611
申请日：2013-12-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76807 , H01L21/32055 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판을준비하는제1단계와, 상기실리콘기판상에산화막을증착시키는제2단계와, 상기산화막을패터닝하여, 상기실리콘기판의일부영역을노출시키면서, 상기실리콘기판상에는트랩홀에의한계단형트렌치를형성하는제3단계와, 상기트랩홀에의한계단형트렌치형성후, 노출된상기실리콘기판영역과상기트랩홀에의한계단형트렌치상측에화합물반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트랩홀에의한계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적화합물반도체소자를형성하는방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판상에트랩홀에의한계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의화합물반도체소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用由陷阱阶梯形的沟槽在硅衬底上制造化合物半导体器件的方法。 关键技术是通过使用由陷阱阶梯式的沟槽形成大型化合物半导体器件的方法，包括：制备硅衬底的第一步骤; 在硅衬底上层压氧化膜的第二步骤; 第三步骤，通过对所述硅衬底的部分区域进行曝光来形成所述氧化物膜，从而通过所述硅衬底上的陷阱来形成沟槽; 以及第四步骤，在由陷阱阶梯形的沟槽上增加化合物半导体层，并且在形成由陷阱分阶段形成的沟槽之后增加暴露的硅衬底区域的上侧上的化合物半导体和由陷阱阶梯形的沟槽 孔。 因此，该方法通过形成由硅衬底上的陷阱阶梯形的沟槽而在硅和化合物半导体器件之间的界面处产生的被穿透的前点捕获而不会产生缺陷。
-
公开(公告)号：KR101374611B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120038623
申请日：2012-04-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 소자 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법은 노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 포지티브 감광막을 도포하는 단계와, 상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계와, 상기 제2 전극이 형성된 영역의 감광막이 남고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 반도체층 상부 표면이 노출되도록 감광막을 현상하는 단계와, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계와, 상기 감광막을 제거하는 단계와, 상기 제2 전극의 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계와, 상기 투명기판을 분리하는 단계와, 제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크 정렬 단계 없이 전류 저지층을 형성하여 공정의 단순화 및 신뢰성을 개선할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020130116114A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120038623
申请日：2012-04-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a vertical structured light emitting diode device is provided to prevent a current spreading effect by forming a minute current blocking layer. CONSTITUTION: A current blocking layer (70) is formed in a semiconductor layer region. A photoresist layer is removed. A conductive support layer (80) is formed in the upper surface of the current blocking layer and the upper surface of a second electrode. A transparent substrate is separated. A first electrode (90) is formed on a first electrode formation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造垂直结构的发光二极管器件的方法，以通过形成微小电流阻挡层来防止电流扩散效应。 构成：在半导体层区域中形成电流阻挡层（70）。 去除光致抗蚀剂层。 导电支撑层（80）形成在电流阻挡层的上表面和第二电极的上表面上。 分离透明基板。 第一电极（90）形成在第一电极形成层上。
-
公开(公告)号：KR101296281B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O
2 가스에 대한 에칭 저항성 레진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시� ��는 단계를 포함함으로써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020130068667A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110135976
申请日：2011-12-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a light emitting diode using an imprint stamp is provided to increase light extraction efficiency by forming a concave-convex pattern on the upper part of an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(105) including a concave-convex pattern is formed on the lower side of an n-electrode(106). An active layer(104) emitting light is formed on the lower side of the n-type semiconductor layer. A p-type semiconductor layer(103) is formed on the lower part of the active layer. A combination metal layer(102) reflecting the light generated in the active layer is formed on the lower part of the p-type semiconductor layer. A substrate or a thin film(101) is formed on the lower part of the combination metal layer.
Abstract translation: 目的：提供使用压印印模的发光二极管的制造方法，以通过在n型半导体层或p型半导体层的上部形成凹凸图案来提高光提取效率。 构成：在n电极（106）的下侧形成有包含凹凸图案的n型半导体层（105）。 在n型半导体层的下侧形成发光的有源层（104）。 在有源层的下部形成p型半导体层（103）。 反射在有源层中产生的光的组合金属层（102）形成在p型半导体层的下部。 在组合金属层的下部形成有基板或薄膜（101）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
74
records
(took 0.035 seconds)
