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公开(公告)号：KR1020130070962A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: An electric component having a metal diffusion prevention graphene layer and a manufacturing method there of form a graphene layer between a bonding layer and a metal layer, increasing reproducibility. CONSTITUTION: A metal layer (203) comprises single metal or alloy. A graphene layer (202) is formed on the lower side of the metal. The thickness of the graphene layer is 0.2nm to 1.5μm. A bonding layer (201) is formed one the lower side of the graphene. The bonding layer is formed with one or more of single metal film, alloy film, oxide film, organic layer or inorganic film.
Abstract translation: 目的：具有金属扩散防止石墨烯层的电气部件及其制造方法，其在接合层和金属层之间形成石墨烯层，提高再现性。 构成：金属层（203）包括单一金属或合金。 石墨烯层（202）形成在金属的下侧。 石墨烯层的厚度为0.2nm至1.5μm。 在石墨烯的下侧形成有接合层（201）。 接合层由单金属膜，合金膜，氧化膜，有机层或无机膜中的一种以上形成。
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公开(公告)号：KR1020130052175A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C33/3807 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a multilayer nanostructure is provided to suppress photo reflection due to difference of refractivity between semiconductor material and air and to minimize damages by etching. CONSTITUTION: A manufacturing method of a multilayer nanostructure comprises a step of forming a polymer layer on the upper part of a substrate; a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer and an imprint resin layer with Si or metal oxide nanoparticle in the upper part thereof. The imprint resin layer pressurizes the photosensitive metal-organic material layer by a stamp and forms a resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer by heating or light irradiation. An undercut is formed to expose the substrate, by etching one or more of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof. One or more layers of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof is formed on one or more upper part of the substrate. A nanostructure(100) is obtained by lifting off one or more of the metal, metal oxide, fluoride, nitride, or sulfide film, by solvent.
Abstract translation: 目的：提供一种多层纳米结构的制造方法，以抑制由于半导体材料与空气之间的折射率差异引起的光反射，并且通过蚀刻使损伤最小化。 构成：多层纳米结构体的制造方法包括在基板的上部形成聚合物层的工序; 在其上部形成感光金属 - 有机材料前体层和用Si或金属氧化物纳米颗粒的压印树脂层的步骤。 压印树脂层通过印模对感光性金属有机材料层进行加压，通过加热或光照射形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层。 通过蚀刻树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层中的一个或多个，形成底切以暴露基底。 树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层的一层或多层形成在基板的一个或多个上部上。 通过溶剂提取一种或多种金属，金属氧化物，氟化物，氮化物或硫化物膜来获得纳米结构（100）。
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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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24.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160124986A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101540080B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101357065B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 기판 또는 박막 상에 형성된 고분자 층의 상부에 임프린트 리소그래피로 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하고, 박막의 식각 선택비에 따른 식각으로 고분자 층에 언더컷(Undercut)을 형성하며, 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 다층 나노 구조체를 제조하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 고분자 층을 형성하는 단계, 고분자 층 상부에 Si(Silicon) 또는 금속산화물(Metal Oxide) 나노입자(Nanoparticle)가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계, 임프린트용 스탬프를 제거하고, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층 또는 고분자 층 중 어느 하나 이상을 식각하여, 기판 또는 박막이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층, 기판 또는 박막 중 어느 하나 이상의 상부에 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 중 어느 하나 이상의 막을 형성하는 단계 및 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 패턴 중 어느 하나 이상을 용매를 이용해 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노 구조체를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101357046B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 전자 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드 또는 반도체 소자에 포함된 접합층 및 금속층 사이에 금속 확산 방지층을 형성하여, 외부 압력 또는 열에 의해 금속층의 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층의 이온이 금속층으로 확산되는 것을 막아주는 금속 확산 방지층이 구비된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 단일 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속층, 금속층 하면에 형성되는 그래핀(graphene) 층, 그래핀 층 하면에 형성되는 접합층(bonding layer)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m-1개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 하고, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 접합 층과 금속층 사이에 금속 확산 방지용 그래핀 층을 형성함으로써, 금속층에 포함된 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층에 포함된 금속 이온이 금속층으로 확산되는 것을 방지한다.
나아가, 접합층과 금속층 사이에 흑연에서 가장 얇게 한 겹을 떼어낸 구조의 그래핀 층을 형성함으로써, 금속 확산 방지층의 두께와 공정 난이도를 감소시키고, 전자 소자의 제조 원가를 절감하며, 재현성을 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR101319824B1
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120001307
申请日：2012-01-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 본 발명은 냉각장치가 구비된 웨이퍼 클램프에 관한 것으로서, 중앙부에 개구부를 가지며, 테두리를 따라 냉매 이동관을 삽입하기 위한 상부 삽입홈이 형성된 상부 웨이퍼 클램프와, 상부 웨이퍼 클램프와 대응되는 형상으로 이루어지고, 상부 삽입홈에 대응되는 하부 삽입홈이 형성된 하부 웨이퍼 클램프와, 상부 삽입홈 및 하부 삽입홈에 삽입되어 상부 웨이퍼 클램프 및 하부 웨이퍼 클램프를 냉각시키기 위한 냉매 이동관과, 냉매 이동관에 냉매(냉각수, 냉각 가스)를 공급하고 배출하기 위한 냉매 공급장치와, 상부 웨이퍼 클램프와 하부 웨이퍼 클램프를 결합하기 위한 결합수단을 포함함으로써, 냉매 공급장치를 통한 냉매 이동관의 냉매 순환으로 웨이퍼 클램프 냉각시키는 효과가 있고, 웨이퍼 클램프와 냉매 이동관의 결함이나 노후로 인한 부품 교체가 필요할 경우, 웨이퍼 클램프와 냉매 이동관 분리를 통해 해당 부분에 대한 개별적인 수리 및 교체 가능한 효과가 있다.
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