-
公开(公告)号：CN119961702A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411938794.6
申请日：2024-12-26
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G06F18/23 , G06N3/088 , G06F18/214 , G06F18/2135 , G06F18/22 , G06F17/14
Abstract: 本发明提供了一种基于无监督机器学习的水下目标轴频磁场信号识别方法，包括：通过阵列式磁浮标或无人机集群获取多组同步观测的轴频磁场数据时间序列，构建多通道观测数据集；对多通道观测数据集进行主成分分析，提取并分离原始数据中的大尺度低频干扰信号；将去除低频干扰信号后的各通道观测数据按时间顺序进行分割，对时间切片构成的信号矩阵进行聚类分析；选取各聚类簇中心点对应的轴频磁场观测数据与仿真生成的轴频信号进行相关分析；选取相关系数最高的时间切片进行功率谱分析，若符合轴频信号线谱特征，则认为存在目标信号，反之则认为不存在。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中信号检测效率较低的技术问题。
-
公开(公告)号：CN118897324A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410913513.5
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01V3/165 , G01V3/38 , G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F17/18 , G06F17/16
Abstract: 本发明提供了一种基于VMD‑1DCNN的磁异常感知方法及相关装置，包括：获取原始数据s(t)，采用VMD算法对原始数据s(t)进行分解，得到多个模态分量；对得到的多个模态分量分别计算排列熵，将所有模态分量的排列熵值从大到小进行排列，筛选出后n个模态分量，其中n由所有排列熵值的三分位数自适应确定，根据后n个模态分量对模态分量进行线性重构以得到线性重构信号，对线性重构信号移除趋势项得到处理后的静磁信号m(t)；建立训练样本数据集；搭建1DCNN模型；将m(t)输入模型，判断是否存在目标磁异常，实现磁异常感知。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中在进行信号识别时，通常是通过人为设定筛选阈值，此种方式难以充分抑制噪声，导致目标识别准确度低的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117029874B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310869115.3
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C25/00 , G01C19/5691
Abstract: 本发明提供了一种半球谐振子与电极装配偏心误差快速识别和调整装置，适用于半球谐振子与电极装配过程中的偏心问题的调整。所述方法采用非接触在线测量法获取半球谐振子最大外径的圆，以及电极最大外径的圆，计算两个圆心的距离即半球谐振子与电极装配的偏心量，判断偏心量是否符合要求，若不符合要求，进行偏心量调整，重复测量和误差识别，直至偏心量调整满足要求为止。所述调整装置包括基座、测量装置、调整器、夹持座和旋转机构，所述基座将测量装置、调整器、夹持座和旋转机构连接成一体。本发明可实现高精度同轴误差的非接触检测和在线调整，提升陀螺装配后Q值和频差，为半球谐振陀螺性能提升提供有力技术支撑。
-
公开(公告)号：CN117824607A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311779412.5
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/567 , G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种半球谐振子非接触激励装置及频率特性辨识方法，所述装置包括石英套筒、四个分立叉指电极、真空装置和多普勒激光测振系统。所述石英套筒为一个上下无盖的空心圆柱，所述四个分立叉指电极之间夹角为90°，镀在石英套筒上，所述多普勒激光测振系统用于测量谐振子振动信号。所述频率特性辨识方法，包括刚性轴辨识方法和频差辨识方法，所述刚性轴辨识方法为在同一大小激励下，分两步测量角度相差22.5°的两点振子振动信号，拟合出振子的刚性轴角度；所述频差辨识方法为拍频测量法，选定谐振子上一点激励后，通过测量谐振子振动拍频信号，辨识出频差大小。本发明为一种非接触激励方法，不会损坏振子表面状态。
-
公开(公告)号：CN117754284A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311723181.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B23P21/00
Abstract: 本发明公开了一种半球谐振陀螺整表装配机构和方法，所述装配机构包括竖直升降装置(5)、外壳夹具(6)、水平伸缩装置(7)、水平搭载机构(8)、基座固定工装(9)。所述基座固定工装(9)用于陀螺基座(3)的加热以及基座限位；所述水平伸缩装置(7)用于控制水平搭载机构(8)的水平移动，通过调节所述水平搭载机构(8)实现陀螺平板电极(2)与半球谐振子(1)相对位置的固定，所述水平伸缩装置(7)和搭载机构(8)各为两套，位于待装配半球谐振陀螺两侧；所述外壳夹具(6)用于固定陀螺外壳(4)，通过所述竖直升降装置控制陀螺外壳(4)的升降。本发明实现了陀螺整表高效率、高精度、低成本装配。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117685943A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311563152.8
申请日：2023-11-22
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5691 , G01C19/5783
Abstract: 本发明公开了一种半球谐振陀螺平板电极插针帽粘接工装及方法，所述工装包括底座、固定挡片、支撑面、支撑柱。所述底座为圆形柱体，用于安装所述固定挡片和所述支撑柱。所述固定挡片为圆弧形，内径比平板电极直径稍大，分为左右两片，分别固定在底座上端两侧。所述支撑面位于所述固定挡片内侧，高度比所述固定挡片高度低，与所述固定挡片顶端间的高度差比平板电极厚度稍大，其宽度比平板电极正面倒角宽度稍小。所述支撑柱位于所述底座上，由个相互独立的圆柱体组成，圆柱体顶端高度比所述支撑面高度稍低，圆柱体的分布与平板电极插针孔分布相同。本发明可在有效保护电极表面膜层的前提下高效率完成插针帽粘接工艺。
-
-
公开(公告)号：CN117305766A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311235317.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种半球谐振子变厚度金属膜层镀制装置和方法，所述装置包括公转平台(1)、升降杆(2)、自转平台(3)、半球谐振子夹具(4)及掩膜遮挡版(7)。所述自转平台(3)安装在公转平台(1)上，由公转平台(1)带动自转平台(3)移动和定位；所述升降杆(2)安装在自转平台(3)上，自转平台(3)带动升降杆(3)作自转运动；所述升降杆(2)上端连接半球谐振子夹具(4)，升降杆(2)带动半球谐振子夹具(4)升降运动；所述半球谐振子夹具(4)用于加持固定于半球谐振子下部支撑杆；所述掩膜遮挡板(7)位于半球谐振子夹具(4)上方，所述掩膜遮挡板(7)上有三个工位，第一工位(7‑1)用于半球谐振子内球面上膜层镀制，第二工位(7‑2)用于半球谐振子唇沿位置膜层镀制，第三工位(7‑3)用于半球谐振子支撑杆上部分膜层的二次镀制。本发明极大提高了镀膜效率，降低了金属膜层对半球谐振子振动性能的影响。
-
公开(公告)号：CN120074444A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411960052.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H03H11/12
Abstract: 本发明提供了一种用于降低半球谐振陀螺控制电路1/f噪声的滤波电路及方法，反相单极点高通滤波器包括CMOS斩波稳定放大器A1、电阻R1‑R3和电容C1，半球谐振陀螺的模拟信号分别经电阻R1和R2后分别连接至放大器A1的同相输入端和反相输入端，电容C1与放大器A1的同相输入端连接；电阻R3分别连接至放大器A1的反相输入端和输出端；电压抵消电路包括电阻R4和R5、电容C2和CMOS斩波稳定放大器A2，放大器A1的输出端经电阻R5和电容C2后连接至放大器A2的同相输入端，电阻R4的两端分别连接至放大器A1的反相输入端和放大器A2的同相输入端，放大器A2的反相输入端和输出端连接至信号输出端。本发明的滤波电路可有效避免1/f噪声对低频下陀螺角速率的影响，提升角速率检测精度。
-
公开(公告)号：CN120067075A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510008102.6
申请日：2025-01-03
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于改进超级学习器的局部地质磁场数据库建库方法，包括：对任务区域采集磁场分布；拟合高斯半变异函数参数和指数半变异函数参数，使用Kriging插值方法对区域磁场插值，得到高斯插值结果和指数插值结果；使用机器学习五个子模型对区域磁场插值，得到五个插值结果，使用GBM学习器调节各子模型插值结果权重，组合得到机器学习子模型GBM加权插值结果；使用GBM学习器再调节高斯插值结果、指数插值结果以及步骤五中最终得到的机器学习子模型加权插值结果的权重，得到最终的GBM学习器插值结果；建立局部地质磁场数据库。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中Kriging插值在磁场非线性强的复杂环境下精度较差、单一机器学习模型泛用性差的技术问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.05 seconds)
