公开(公告)号：KR101463073B1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：KR1020110110885

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  고모리카츠히코 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: (과제) 매입 공정에 있어서의 스루풋을 향상할 수 있어, 매입 공정이 다용되는 반도체 집적 회로 장치라도, 우수한 생산 능력을 발휘하는 것이 가능한 성막 장치를 제공하는 것이다.
(해결 수단) 아미노실란계 가스를 공급하는 아미노실란계 가스 공급원(122) 및 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하는 실란계 가스 공급원(121)을 구비하고, 아미노실란계 가스를 공급하여 상기 도전체에 이르는 개공을 가진 절연막의 표면 및, 상기 개공의 바닥의 표면에 시드층을 형성하는 처리 및, 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하여 시드층 상에 실리콘막을 형성하는 처리를, 1개의 처리실 내(101)에 있어서 순차로 행한다.

公开(公告)号：KR1020130011926A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020120075433

申请日：2012-07-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming an amorphous silicon film are provided to form a thinner amorphous silicon film by etching an amorphous silicon film. CONSTITUTION: Aminosilane gas is supplied to a heated base(2) to form a seed layer(3) on the surface of the base. Silane gas are supplied to a seed layer formed on the heated base to form an amorphous silicon film(4) having a layered thickness. The amorphous silicon film is etched to reduce its thickness(t).

Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅膜的方法和装置，通过蚀刻非晶硅膜形成较薄的非晶硅膜。 构成：将氨基硅烷气体供应到加热的基底（2）以在基底的表面上形成种子层（3）。 将硅烷气体供给到形成在加热基底上的种子层，形成层叠厚度的非晶硅膜（4）。 蚀刻非晶硅膜以减小其厚度（t）。

公开(公告)号：KR101156305B1

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020097018326

申请日：2008-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: 처리용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, Sr 원료와 Ti 원료와 산화제를 기체형상으로 상기 처리용기내에 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 SrTiO3막을 성막함에 있어서, Sr 원료로서, Sr 아민 화합물 또는 Sr 이민 화합물을 이용한다.

公开(公告)号：KR101133819B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020117002544

申请日：2009-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아키타케 ,  가키모토아키노부 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.

公开(公告)号：KR101028605B1

公开(公告)日：2011-04-11

申请号：KR1020087024299

申请日：2007-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기내에서 피처리체에 대하여 소정의 처리, 특히 HfO, HfSiO, ZrO, ZrSiO, PZT, BST 등의 high-k유전체막의 성막을 실행하는 처리 장치에 있어서, 처리용기내의 처리 분위기에 노출되는 처리용기의 구성부재의 표면, 예컨대 처리용기 내벽면에, SAM(Self assembled monolayer)로 이루어지는 막부착 방지층을 마련한다. 이에 의해 구성 부재의 표면에, 드라이클리닝에 의해 제거하는 것이 곤란한 불필요한 막이 퇴적되는 것이 방지되어, 처리 장치의 클리닝 빈도를 대폭 저감할 수 있다.

Abstract translation: 排空可能包括处理用于在容器中要被处理的物体的预定处理，特别的HfO，HfSiO，的ZrO，的ZrSiO，PZT，BST，在用于执行电介质膜沉积在处理装置中的高k的等，在处理腔室的处理气氛 （自组装单层）设置在处理容器的结构部件的暴露于处理容器的表面，例如处理容器的壁面上。 结果，防止了通过干洗难以除去的不必要的膜沉积在构成部件的表面上，并且可以大大降低处理设备的清洁频率。

公开(公告)号：KR1020110028532A

公开(公告)日：2011-03-18

申请号：KR1020117002544

申请日：2009-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아키타케 ,  가키모토아키노부 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.

公开(公告)号：KR1020080069918A

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：KR1020080007009

申请日：2008-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  가키모토아키노부 ,  가도쿠라히데키미 ,  히가시신타로

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

Abstract: A film forming method of an SrTiO3 film is provided to carry out gasification of material at less than 200°C, to obtain uniform composition in the film, and to secure high throughput and high coverage which is effective for an electrode of a capacitor of an MIM(Metal Insulator Metal) structure. A film forming device(100) includes a cylindrical or box shaped process vessel(1). A mounting device(3) is mounted with a semiconductor wafer(W). A dividing wall(13) is formed at the outer perimeter of the mounting device. A curved part(14) is formed by bending the dividing wall horizontally. An inert gas purge room(15) is formed at the inside of the mounting device. Connection rods(12) are inserted into gaps. The mounting device is supported by a support arm(4). An L shaped lifter pin(5) is projected upward from a ring shaped support member(6). The support member is lifted up and down by a lifting rod(7). The lifting rod is moved up and down by an actuator(10). An inserted part of the lifting rod is covered by a bellows(9). A second gas purging gap(18) is formed at an edge of a clamp ring. An inert gas supply device(19) is installed at the bottom part of the process vessel. The gas supply device has a gas nozzle(20), an Ar gas supply source(21), and a gas pipe(22). The gas pipe has a mass flow controller(23) and opening and closing valves(24,25).

Abstract translation: 提供了一种SrTiO 3膜的成膜方法，用于在低于200℃的条件下进行材料的气化，以获得膜中均匀的组成，并且确保了对于电容器的电极有效的高通量和高覆盖率 MIM（金属绝缘子金属）结构。 成膜装置（100）包括圆柱形或箱状处理容器（1）。 安装装置（3）安装有半导体晶片（W）。 分隔壁（13）形成在安装装置的外周。 弯曲部分（14）通过水平地弯曲分隔壁而形成。 惰性气体净化室（15）形成在安装装置的内部。 连接杆（12）插入间隙中。 安装装置由支撑臂（4）支撑。 L形升降器销（5）从环形支撑构件（6）向上突出。 支撑构件通过提升杆（7）上下升降。 提升杆由致动器（10）上下移动。 提升杆的插入部分被波纹管（9）覆盖。 第二气体吹扫间隙（18）形成在夹紧环的边缘处。 惰性气体供给装置（19）安装在处理容器的底部。 气体供给装置具有气体喷嘴（20），Ar气体供给源（21）和气体管道（22）。 气体管道具有质量流量控制器（23）和开关阀（24,25）。

公开(公告)号：KR101630748B1

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：KR1020150081222

申请日：2015-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.

公开(公告)号：KR101534638B1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：KR1020140072194

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020150082158A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020150090935

申请日：2015-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: (과제) 보다평활한표면을갖고, 그리고, 더한층의박막화를달성하는것이가능한어모퍼스실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base; 2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를공급하여, 하지(2) 표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2) 표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막(4)을, 층성장하는두께로형성하는공정과, 층성장하는두께로형성된어모퍼스실리콘막(4)을에칭하여, 당해어모퍼스실리콘막(4)의막두께(t)를감소시키는공정을구비한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成非晶硅膜的方法，其具有更平滑的表面并且更薄。 该方法包括：加热基底（2）并向加热的基底（2）供应氨基硅烷基气体以在基底（2）的表面上形成种子层（30）的方法; 将加热的基体（2）的表面上的基底（2），不含氨基的硅烷类气体加热到种子层（3）的工序，在种子层（3）上形成非晶硅膜（4） ）具有层生长厚度; 以及蚀刻形成有层生长厚度的非晶硅膜（4）以降低非晶硅膜（4）的膜厚度（t）的工艺。