公开(公告)号：KR101019444B1

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020070037375

申请日：2007-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  도시마다카유키 ,  가네코사토시 ,  마츠모토가즈히사 ,  이토노리히로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: 본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 기판과 함께 회전 가능한 회전 컵과, 회전 컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 기구와, 회전 컵의 배기 및 배액을 행하는 배기·배액부를 포함한다. 배기·배액부는 주로 기판으로부터 털어진 처리액을 받아들여 배액하는 환형을 이루는 배액 컵과, 배액 컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전 컵 및 그 주위로부터의 주로 기체 성분을 받아들여 배기하는 배기 컵을 포함하며, 배액 컵으로부터의 배액과 배기 컵으로부터의 배기를 독립적으로 실행한다.

Abstract translation: 本发明的液体处理装置中，水平地保持基板，并旋转基板支架成为可能，通过所述衬底保持器，可旋转的旋转杯保持的基板周围，并与所述基板与所述基板部保持旋转杯以及基板一起一起 用于将处理液供应到基板的液体供应机构以及用于执行旋转杯的排出和排出的排出和分配部。 排气＆middot;排水单元和排水杯主要形成环形排水从衬底接受处理液二进制断，它被设置成围绕排液杯的外侧，旋转杯以及从周围排气排气接受一个主要气体组分 杯子与排水杯和排气杯分开分配。

公开(公告)号：KR100949283B1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：KR1020030023562

申请日：2003-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이타케히코 ,  무코야마마사히로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 세정처리장치는 웨이퍼(W)를 보지하는 스핀척과, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 소정 간격으로 대향하는 언더플레이트와, 언더플레이트를 지지하는 지지부재와, 언더플레이트 및 지지부재를 관통하는 노즐구멍을 갖는다. 노즐구멍에는 개폐밸브를 통하여 각각 약액, 순수, 가스를 공급할 수 있고, 노즐구멍의 내부에 잔류하는 약액이나 순수를 홉인장치에 의해 흡인한다. 웨이퍼(W)의 순수처리 후에 노즐구멍 내부에 잔류하는 순수를 흡인장치에 의해 흡인제거하고, 이어서 가스를 웨이퍼(W)의 이면에 분사한다.

公开(公告)号：KR1020100011909A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020090064964

申请日：2009-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708

Abstract: PURPOSE: A liquid treatment device is provided to suppress dispersion of process solution using a support unit of the rotation cup. CONSTITUTION: A liquid treatment device includes a process solution supply device(37,39), an exhaust device(20,21), a rotation cup(10), a support unit(15), and a rotation driver(60). The process solution supply device supplies the process solution to an object(W). An exhaust unit exhausts the process solution processing the object. The rotation cup is arranged around the object and induces the process solution processing the object to the exhaust device. A support unit is protruded to the object from the rotation cup. The support unit supports the peripheral part of the object. The rotation driver rotates the rotation cup.

Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置，以使用旋转杯的支撑单元抑制处理溶液的分散。 构成：液体处理装置包括处理液供给装置（37,39），排气装置（20,21），旋转杯（10），支撑单元（15）和旋转驱动器（60）。 过程解决方案供应设备将过程解决方案提供给对象（W）。 排气单元排出处理物体的处理溶液。 旋转杯设置在物体周围，并引导处理液将物体处理到排气装置。 支撑单元从旋转杯突出到物体。 支撑单元支撑物体的外围部分。 旋转驱动器旋转旋转杯。

公开(公告)号：KR1020090023278A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020080085136

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 난바히로미츠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

Abstract: A method of manufacturing the semiconductor device is provided to remove the rinse liquid in the medical fluid cleaning with the chemical solution in a short time and to improve the regeneration rate of the chemical solution. The controller(121) performs the liquid agent processing by the chemical solution after rinsing by the rinse liquid. At this time, the substrate(W) is rotated at the number of rotation which is higher than the number of rotation for rinsing. The drainage cup(51) is washed by the chemical solution. At that time, the liquid received in the drainage cup is disused by the waste line(113). Thereafter, the substrate is rotated at the number of rotation for the chemical solution processing. The chemical solution processing of substrate is performed. At that time, the chemical received in the drainage cup is collected by the return line(112).

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以在短时间内用化学溶液清除医用液体中的漂洗液，并提高化学溶液的再生率。 控制器（121）在冲洗液冲洗后，通过化学溶液进行液剂处理。 此时，基板（W）以比用于冲洗的旋转数高的旋转数转动。 排液杯（51）用化学溶液清洗。 此时，排放杯中容纳的液体被废液管线（113）废弃。 此后，基板以用于化学溶液处理的旋转数旋转。 进行基板的化学溶液处理。 此时，排水杯中接收的化学物质由回流管线（112）收集。

公开(公告)号：KR1020070065214A

公开(公告)日：2007-06-22

申请号：KR1020060124421

申请日：2006-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 난바히로미츠

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate cleaning method is provided to obtain particle control effect regardless of the kind of a substrate by preventing particles from being left on the surface of a substrate having a hydrophobic potion on its surface. While a substrate is rotated for at least a period of time, liquid is supplied to a substrate to clean the substrate. The substrate is dried by the following steps. The RPM(revolution per minute) of the substrate is reduced to a first RPM lower than that of a process for cleaning the substrate. When the RPM of the substrate is reduced to the first RPM, a transfer of a liquid supply position from almost the center of the substrate toward the peripheral part of the substrate is initiated. The liquid supply stops when the RPM of the substrate reaches a second RPM lower than first RPM. The second RPM is increased. A gas is supplied to the substrate while the substrate is rotated to an RPM higher than the second RPM. The process for cleaning the substrate includes the following steps. Chemicals are supplied to the surface of the substrate. While the substrate is rotated, a rinse solution is supplied to the surface of the substrate to rinse the substrate.

Abstract translation: 提供了一种基板清洗方法，通过防止颗粒留在其表面上具有疏水性部分的基材的表面上而与基板的种类无关地获得颗粒控制效果。 当衬底旋转至少一段时间时，将液体供应到衬底以清洁衬底。 通过以下步骤干燥基材。 基板的RPM（每分钟转数）降低到比用于清洁基板的工艺的RPM低的第一RPM。 当基板的RPM降低到第一RPM时，开始从基板的大致中心朝向基板的周边部分传送液体供应位置。 当基板的RPM达到比第一RPM低的第二RPM时，液体供应停止。 第二个RPM增加了。 当衬底旋转到高于第二RPM的RPM时，将气体供应到衬底。 清洗基板的方法包括以下步骤。 将化学品供应到基材的表面。 当基底旋转时，将冲洗溶液供应到基底的表面以漂洗基底。

公开(公告)号：KR101636093B1

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 표면및 이면에티탄함유막이형성된기판의이면으로부터티탄함유막을제거할때에, 기판의이면에잔류하는티탄원소를종래부터짧은시간에제거할수 있는액 처리방법을제공한다. 본발명은처리액에의해기판의이면을처리하는액 처리방법으로, 회전가능하게설치되고기판을지지하는지지부에의해, 표면및 이면에티탄함유막이형성되어있는기판을지지하고, 지지부에지지되어있는기판을, 지지부와함께회전시키고, 회전하는기판의이면에플루오르화수소산을포함하는제1 처리액을공급하고, 공급한제1 처리액에의해기판의이면을처리하는제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는기판의이면에암모니아과수를포함하는제2 처리액을공급하고, 공급한제2 처리액에의해기판의이면을처리하는제2 공정(S12)을포함한다.

公开(公告)号：KR101548754B1

公开(公告)日：2015-08-31

申请号：KR1020100054409

申请日：2010-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6708

Abstract: 본발명은, 처리액이공급되는기판의하면측분위기로부터, 처리액이공급되지않는기판의상면측으로분위기가둘러들어가는것을방지하고, 상하양면측의분위기를분리하기위해서공급되는퍼지가스의소비량을억제하는것이가능한액처리장치를제공하는것을목적으로한다. 수평으로유지한기판의하면에처리액을공급하는본 발명의액처리장치(2)에있어서, 포위부재(4)는기판(W)으로부터비산된처리액을받아내며, 상판부(5)는수평으로유지된기판(W)의상면에대향하도록배치되고, 가스공급부(53, 531)는상판부(5)와기판(W) 사이에형성되는공간에가압된가스를공급한다. 그리고, 기체유입구(52)는, 상판부(5)와기판(W) 사이에형성되는공간내부가부압이되는것에의해, 이공간의외부의분위기의기체를이 공간내로유입시킨다.

公开(公告)号：KR101238123B1

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020070106922

申请日：2007-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 난바히로미츠 ,  이또노리히로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051

Abstract: 세정 장치의 제어 기구는, 회전 플레이트를 유지 부재에 의해 유지된 기판과 함께 회전시키고, 그 상태로 기판 이면에 세정액의 액막을 형성하는 것을 포함하는 세정 처리를 행하며, 그 후 기판을 회전시킨 채의 상태로 연속하여 기판 이면에 린스액의 액막을 형성하는 것을 포함하는 린스 처리를 행하고, 그 후 기판을 소정의 회전수로 회전시켜 털어내는 건조 처리를 행한다. 또한, 제어 기구는, 세정 처리 또는 린스 처리에 있어서, 이면측 액 공급 노즐로부터 액 토출구를 통해 대응 처리액을 토출시켜 기판 이면에 액막을 형성시키고, 계속해서 처리액의 공급을 일단 정지시키며, 그 후 재차 처리액을 토출시켜 액 토출구의 주위 부분에도 액막을 형성시켜 기판과 액 토출구의 주위 부분을 처리하도록 제어한다.

公开(公告)号：KR1020120029987A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: PURPOSE: A liquid processing method and apparatus, and a recording medium recording a program for executing the liquid processing method are provided to eliminate a titanium element in a short time by supplying processing liquids having different etching rate. CONSTITUTION: A substrate supported in a supporting part is rotated with a supporting part. First processing liquid including hydrofluoric acid is provided to the rear side of the rotated substrate(S11). The rear side of the substrate is processed by the first processing liquid. Second processing liquid including ammonium hydrogen peroxide is provided to the rear side of the rotated substrate(S12). The rear side of the substrate is processed by the second processing liquid. DeIonized water is supplied to the bottom side of the substrate(S13). The substrate is dried(S14).

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法和装置以及记录用于执行液体处理方法的程序的记录介质，以通过提供具有不同蚀刻速率的处理液来在短时间内消除钛元素。 构成：支撑在支撑部上的基板与支撑部一起旋转。 将包含氢氟酸的第一处理液体设置在旋转基板的后侧（S11）。 基板的后侧由第一处理液处理。 将包含过氧化氢铵的第二处理液体设置在旋转基板的后侧（S12）。 基板的后侧由第二处理液处理。 将去离子水供给到基板的底侧（S13）。 将基板干燥（S14）。

公开(公告)号：KR100979979B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020087000737

申请日：2007-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  가네코사토시 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지시키며 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 기판 유지부(2)와, 기판 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환형을 이루고, 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 환형을 이루는 회전컵(4)과, 회전컵(4)과 기판 유지부(2)를 일체적으로 회전시키는 회전 기구(3)와, 웨이퍼(W)의 처리액 및 회전컵(4)의 세정액을 공급하는 노즐(5)과, 노즐(5)에 처리액 및 세정액을 공급하는 액 공급부(85)와, 웨이퍼(W)에 액을 토출하는 제1 위치와 회전컵(4)의 외측 부분에 액을 토출하는 제2 위치 사이에서 노즐(5)을 이동시키는 노즐 이동 기구를 구비하고, 노즐(5)을 웨이퍼 처리 위치에 위치시킨 상태에서 웨이퍼(W)를 액처리하며, 노즐(5)을 회전컵 세정 위치에 위치시킨 상태에서 회전컵의 외측 부분에 세정액을 토출한다.