公开(公告)号：KR1020130141397A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020130068486

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention installs a plasma processing unit which is separated to the rotation direction of a rotation table for each processing gas nozzle. The present invention installs a bias electrode unit in a position which is touched to the plasma processing unit through a rotation table in order not to be touched to the rotation table. The present invention is provided to apply bias voltage from a voltage applying unit to the bias electrode unit, thereby applying a non-touch bias voltage to a wafer (W) on the rotation table. [Reference numerals] (120) Bias electrode unit;(AA) Plasma generation gas;(BB) O_2 gas;(CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 本发明安装一个等离子体处理单元，该等离子体处理单元与每个处理气体喷嘴的旋转台的旋转方向分开。 本发明通过旋转台将偏置电极单元安装在与等离子体处理单元接触的位置，以便不与旋转台接触。 本发明提供用于将偏置电压从电压施加单元施加到偏置电极单元，从而对旋转台上的晶片（W）施加非触摸偏置电压。 （附图标记）（120）偏置电极单元;（AA）等离子体产生气体;（BB）O_2气体;（CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR101134713B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.
SFD, 성막, 금속 카르보닐 전구체

公开(公告)号：KR1020110134524A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：KR1020117028190

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리팬톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080025756A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H 2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 旨在通过控制晶体结构形成具有比现有技术更低的电阻的金属膜。 该方法可以包括第一钨膜形成步骤和第二钨膜形成步骤。 在第一钨成膜工序中，例如将作为金属原料气体的WF 6气体进料的步骤和例如作为氢化合物气体的SiH 4气体的供给步骤交替反复进行， 在上述步骤之间插入惰性气体，例如Ar气体或N 2气体，从而形成含有无定形物质的第一钨膜。 在第二钨膜形成工序中，将WF 6气体和还原气体例如H 2气体同时供给到第一钨膜上，形成第二钨膜。 包含在第一钨膜中的无定形物的比率通过改变进行SiH 4气体的步骤之后的清洗步骤的执行时间来控制。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100688652B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020047002213

申请日：2002-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

IPC: C23C16/08

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: A method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a vessel capable of being vacuumized, includes the steps of forming a tungsten film by alternately repeating a reduction gas supplying process for supplying a reduction gas and a tungsten gas supplying process for supplying a tungsten-containing gas with an intervening purge process therebetween for supplying an inert gas while vacuumizing the vessel. A reduction gas supplying period of a reduction gas supplying process among the repeated reduction gas supplying processes is set to be longer than that of the remaining reduction gas supplying processes.

公开(公告)号：KR1020060097066A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020067015538

申请日：2002-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

IPC: C23C16/08

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: A method of forming a tungsten film, capable of restricting voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and providing good burying characteristics. When forming a tungsten film on the surface of an object of treating (W) in a vacuumizing-enabled treating vessel (22), a reduction gas supplying process (70) and a tungsten gas supplying process (72) for supplying a tungsten-containing gas are alternately repeated with a purge process (74), for supplying an inert gas while vacuumizing, intervened therebetween to thereby form an initial tungsten film (76). Therefore, an initial tungsten film can be formed as a nucleation layer high in film thickness uniformity; and, accordingly, when main tungsten films are subsequently deposited, it is possible to restrict voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and provide good burying characteristics.

Abstract translation: 形成钨膜的方法，其能够限制空洞和火山，尽管埋孔的直径小，但具有很大的不利影响特性，并且具有良好的埋藏特性。 在真空化处理容器（22）的处理对象（W）的表面形成钨膜时，还原气体供给工序（70）和供给钨的钨气体供给工序（72） 在吹扫过程（74）中交替重复气体，用于在抽真空时供给惰性气体，从而形成初始钨膜（76）。 因此，可以形成初始钨膜作为膜厚均匀性高的成核层; 因此，随后沉积主钨膜时，尽管埋孔的直径很小，但可以限制大小不利地影响特性的空隙和火山，并提供良好的埋藏特性。

公开(公告)号：KR1020060089212A

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: A method for depositing metal layers with good surface morphology using sequential flow deposition includes alternately exposing a substrate in a process chamber to a metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas. During exposure with the metal-carbonyl precursor gas, a thin metal layer is deposited on the substrate by thermal decomposition, and subsequent exposure of the metal layer to the reducing gas aids in the removal of reaction by-products from the metal layer. The metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas exposure steps can be repeated until a metal layer with a desired thickness is achieved. The metal-carbonyl precursor can, for example, be selected from W(CO) 6, Ni(CO)4, MO(CO)6, C02(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12.

Abstract translation: 使用顺序流动沉积沉积具有良好表面形态的金属层的方法包括将处理室中的衬底交替地暴露于羰基金属前体气体和还原气体。 在用羰基金属前驱体气体曝光的同时，通过热分解在基板上沉积薄金属层，随后将金属层暴露于还原气体有助于从金属层除去反应副产物。 可以重复金属羰基前体气体和还原气体暴露步骤，直到达到具有所需厚度的金属层。 金属羰基前体可以例如选自W（CO）6，Ni（CO）4，MO（CO）6，CO 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2（CO） （CO）6和Ru 3（CO）12。

公开(公告)号：KR1020020079783A

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020027009180

申请日：2001-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  다치바나미츠히로 ,  오쿠보가즈야 ,  스즈키겐지 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285

Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 성분 가스를 기부 배리어 막(3)으로 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나는 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 성분 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 성분 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 성분 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.