公开(公告)号：KR102000797B1

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：KR1020140078688

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사이토히토시 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  나이토하지메

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR101775751B1

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020130134997

申请日：2013-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사토요시츠토무 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의과제는대형의피처리기판에대해서, 금속창을사용하여균일한플라즈마처리를실행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공하는것이다. 직사각형의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치로서, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되고, 기판에대응하여마련된직사각형을이루는금속창을구비하고, 금속창(2)은장변(2a)을포함하는제 1 영역(201)과, 단변(2b)을포함하는제 2 영역(202)으로전기적으로절연되도록분할되고, 또한제 2 영역(202)의반경방향의폭(a)과제 1 영역(201)의반경방향의폭(b)의비(a/b)가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于将要处理的大型基板，感应，这可以通过使用耦合型等离子体处理装置中的金属窗口运行一个均匀的等离子体处理。 对于矩形衬底上进行的感应耦合等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置，和用于产生在所述处理室中的电感耦合等离子体，并且其中所述基板设置在处理室中，用于接收所述衬底的区域中的高频天线，则产生感应耦合等离子体 它被设置在等离子体生成区域和所述高频天线是之间，设置有金属窗形成与所述衬底，金属窗口相对应地布置的矩形，（2）的第一区域201和短边包括eunjang侧（2A）（2B ），第二区域202被划分，以便被电绝缘，并且第二区域202，在第一区域（201）的径向方向上的宽度（a）中分配宽度，（b）中UIBI（一个在容纳的径向方向 / b）在0.8以上且1.2以下的范围内。

公开(公告)号：KR1020160039542A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020150135683

申请日：2015-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고치켄 고리쯔 다이가쿠호진

Inventor： 사토요시츠토무 ,  이시다히로시 ,  사사키가즈오 ,  후루타마모루

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52

Abstract: 성능의저하를방지할수 있는전자디바이스를제공한다. TFT(21)는, IGZO막에의해구성되는채널(14)과, 해당채널(14)에인접하는에칭정지막(22)과, 해당에칭정지막(22)을사이에두고채널(14)에대향하는패시베이션막(23)을구비하고, 패시베이션막(23)이불소함유질화규소막으로이루어지며, 에칭정지막(22) 및채널(14)의경계에서의불소원자의농도는채널(14)의경계이외의부분에서의불소원자의농도보다높고, 또한에칭정지막(22)의상기경계이외의부분에서의불소원자의농도분포는상기경계를향해저하되는농도구배를갖는다.

Abstract translation: 提供能够防止性能劣化的电子设备。 TFT（21）具有：通道（14），构成通道（14）的IGZO膜; 与相应的通道（14）相邻的蚀刻停止膜（22）; 以及在所述蚀刻停止膜（22）上面向所述通道（14）的钝化膜（23）。 钝化膜（23）由含氟氮化硅膜形成。 在蚀刻停止膜（22）和沟道（14）的边界处的氟原子浓度高于在通道（14）的边界以外的部分处的氟原子浓度。 除了蚀刻停止膜（22）的边界以外的部分的氟原子浓度分布具有向边界下降的浓度梯度。

公开(公告)号：KR1020130139779A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020130066588

申请日：2013-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  기무라다카후미 ,  고시미즈치시오 ,  사사키가즈오 ,  나이토하지메 ,  후루야아츠키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32183 ,  H05H1/46

Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); and a window member (14) interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor, wherein the window member (14) is divided into a plurality of segments (27) and the segments (27) are insulated from each other and connected to a wire (29) or a wire (30) having a condenser attached thereto to form a closed circuit (31).

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 以及插入在所述安装件（12）和所述ICP天线（13）之间并由导体构成的窗构件（14），其中所述窗构件（14）被分成多个段（27）和所述段（27） ）彼此绝缘并且连接到具有连接到其上的冷凝器的线（29）或线（30）以形成闭合回路（31）。

公开(公告)号：KR101176745B1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020100125702

申请日：2010-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 온도 조절 설비를 간소화하면서, 처리 용기 내에서의 부착물이나 아킹의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 처리실(5)을 형성하는 본체 용기(2)의 측벽(2a)의 내측에 열매체 유로(43)를 마련한 보호 플레이트(41)를 배치하는 동시에, 측벽(2a)의 내면과 보호 플레이트(41)와의 사이를 단열 부재(42)로 메우는 것으로, 본체 용기(2)와 보호 플레이트(41)를 열분리한다. 또한, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)에서는 보호 플레이트(41)가, 고주파 전원(29)으로부터 서셉터(22)에 대해서 공급되는 고주파 전력에 의해서 형성되는 바이어스 전계에 대한 애노드 전극으로서 작용한다.

公开(公告)号：KR101140489B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020090122623

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: The present invention provides a vacuum processing apparatus, a vacuum processing system and a processing method, wherein the vacuum processing apparatus is capable of restraining the size of a vacuum processing container to the utmost even though an object to be processed is large, and the vacuum processing system is capable of conveying the objects to be processed to the vacuum processing apparatus without usage of large-sized conveying arms. When a substrage (S) is conveyed to a plasma processing device (100) from a first vacuum conveying device (200a), air is injected to the back face of the substrate to float the substrate through an air injection hole (207) of a conveying station (203), the substrate is held by holding components (203) of a pair of guiding devices (205), such that amovable support body (217) moves toward the plasma processing device on a track (215). The the holding components (213) is released, the substrate is floated stilly by the air injected through the air injection hole (103b) of a carrying station (103), and the substrate is transferred to the plasma processing device.

公开(公告)号：KR1020110095843A

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：KR1020110072873

申请日：2011-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/505

Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma processing device is provided to deal with a large substrate by forming a nonmagnetic and conductive metal window. CONSTITUTION: A substrate is processed with plasma in a process chamber. A process gas supply unit(20) supplies process gas to the process chamber. A high frequency antenna forms an induced electric field. A first high frequency power source(15) supplies high frequency power to the high frequency antenna. A metal window is nonmagnetic and conductive and is formed between the high frequency antenna and the process chamber. The metal window is insulated from a body container comprising the process chamber. A second high frequency power source supplies high frequency power to a mounting unit.

Abstract translation: 目的：提供电感耦合等离子体处理装置，通过形成非磁性和导电的金属窗来处理大型基板。 构成：在处理室中用等离子体处理衬底。 处理气体供应单元（20）将处理气体供应到处理室。 高频天线形成感应电场。 第一高频电源（15）向高频天线提供高频功率。 金属窗是非磁性且导电的，并且形成在高频天线和处理室之间。 金属窗与包括处理室的身体容器绝缘。 第二个高频电源为安装单元提供高频电源。

公开(公告)号：KR101002557B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020080035301

申请日：2008-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  나카무라미치카즈

IPC: H05H1/36 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: (과제) 하부 전극 또는 상부 전극의 적어도 한쪽을 지지하는 접지 기판과 수용 용기의 벽 사이에서의 전위차를 저감할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 유리 기판 G를 수용하는 챔버(11)와, 그 챔버(11) 내에 배치되어 유리 기판 G를 탑재하는 탑재대로서의 하부 전극판(23)과, 그 하부 전극판(23)에 대향하여 배치되어 챔버(11) 내에 처리 가스를 공급하는 샤워헤드(12)와, 그 샤워헤드(12)의 상부 전극판(13)에 접속된 고주파 전원(20)과, 하부 절연부(25)를 사이에 두고 하부 전극판(23)을 지지함과 아울러 챔버(11)의 벽으로부터 이간하여 배치되는 접지 기판(26)과, 그 접지 기판(26) 및 챔버(11)의 벽을 단락하는 단락판(36)을 구비하고, 그 단락판(36)과 챔버(11)의 벽 사이에 콘덴서(37)가 개재되고, 그 콘덴서(37)는 챔버(11)의 벽에 마련된다.

公开(公告)号：KR1020100068209A

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：KR1020090122623

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01J37/185

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing device, a vacuum processing system, and a method of the same are provided to prevent the warpage of an object to be processed by spraying gas from a gas spraying hole towards the rear side of the object with a pre-set pressure. CONSTITUTION: A processing container(101) comprises openings(101a,101b) through which an object to be processed is transferred. A loading table(103) in the processing container supports the object. A gas supply source(111) supplies gas to the loading table. The main body of the loading table comprises a loading surface(F) on which the object is loaded. A gas spraying hole(103b) is formed in the loading surface. A gas flow path(107) is formed inside the main body of the loading table.

Abstract translation: 目的：提供真空处理装置，真空处理系统及其方法，以通过预先设定从气体喷射孔喷射气体朝向物体的后侧来防止被处理物体的翘曲 压力。 构成：处理容器（101）包括开口（101a，101b），待处理对象通过该开口传送。 处理容器中的装载台（103）支撑物体。 气体供给源（111）向装载台供给气体。 装载台的主体包括加载物体（F）的装载面（F）。 在装载面上形成气体喷射孔（103b）。 气体流路（107）形成在装载台的主体内部。

公开(公告)号：KR100907109B1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：KR1020020058297

申请日：2002-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  스에키히데히토 ,  사토요시츠토무 ,  니시무라미치오

IPC: H05H1/26

Abstract: 고주파 안테나(112)와, 고주파 안테나에 접속된 고주파 전원(160)과, 피처리체를 설치하는 서셉터(106)와, 고주파 안테나와 서셉터의 사이에 설치된 유전체 커버(174)와, 고주파 안테나와 유전체의 사이에 설치된 도전체(170)와, 도전체에 접속된 접지 회로(180)와, 접지 회로 중에 설치된 인덕턴스가 가변적인 인덕터(302)와, 커패시턴스가 가변적인 커패시터(304)를 구비한 플라즈마 처리 장치(100)의 인덕턴스 또는 커패시턴스를 조정함으로써, 유전체 커버(174)로의 이물의 부착 속도와 유전체 커버(174)의 스패터 속도가 거의 동등해져, 이 결과 유전체 커버(174)로의 이물의 부착을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 连接到高频天线的高频电源160，用于安装待处理物体的基座106，设置在高频天线和基座之间的介电盖174， 连接到导体的接地电路180，安装在接地电路中的具有可变电感的电感器302以及具有可变电容的电容器304。 通过调整处理装置100的电感或电容，异物对电介质盖174的附着速度和电介质盖174的溅射速度大致相同， 可以预防。