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公开(公告)号：KR100426988B1
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：KR1020010069422
申请日：2001-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , H01J37/32935
Abstract: An etching end point detector and its related method of use detect a point of time when an etching process ends by using plasma light generated during a plasma process in a chamber of plasma etching equipment. The detector comprises an optical device receiving light generated in a chamber during the etching process and producing from the light a plurality of optical signals having different corresponding wavelengths; signal converting means receiving the plurality of optical signals and converting the plurality of optical signals into corresponding light intensity values indicating an intensity of the corresponding optical signal; and a signal processor accumulating selected ones of the light intensity values corresponding to predetermined wavelengths to produce an EPD value, and in response to the EPD value, determining an end point of the etching process.
Abstract translation: 刻蚀终点检测器及其相关使用方法通过使用等离子体刻蚀设备的腔室中的等离子体处理期间产生的等离子光来检测刻蚀处理结束的时间点。 所述检测器包括光学装置，所述光学装置接收在所述蚀刻过程期间在腔室中产生的光并且从所述光产生具有不同对应波长的多个光学信号; 信号转换装置，用于接收多个光信号并将该多个光信号转换为指示相应光信号强度的对应光强度值; 以及信号处理器，累积对应于预定波长的光强度值中的选定光强度值以产生EPD值，并且响应于EPD值，确定蚀刻处理的结束点。
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公开(公告)号：KR100419924B1
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：KR1020010023774
申请日：2001-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C11D7/10
CPC classification number: C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/264 , C11D7/32 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , Y10S134/902
Abstract: A cleaning solution for a cured anti-reflective layer (AFC layer) component and a method of cleaning an anti-reflective layer component by using the same, wherein the cleaning solution comprises about 5-30% by weight of ammonium hydroxide, about 23-70% by weight of an organic solvent and about 10-50% by weight of water. When an organic material is spattered to adjacent equipment during implementing a coating process onto a wafer, the equipment is detached and then is dipped into the cleaning solution. Thereafter, the equipment is rinsed and dried. Cured and non-cured organic materials are advantageously removed. Cured organic materials left for a period of time, particularly anti-reflective layer components are advantageously removed.
Abstract translation: 一种用于固化的抗反射层（AFC层）组件的清洁溶液和一种使用清洁溶液清洁抗反射层组件的方法，其中所述清洁溶液包含约5-30重量％的氢氧化铵， 70重量％的有机溶剂和约10-50重量％的水。 当在晶片上实施涂覆工艺期间有机材料溅到相邻设备上时，设备被分离，然后浸入清洁溶液中。 此后，将设备冲洗并干燥。 有利地去除固化和未固化的有机材料。 将固化的有机材料放置一段时间，特别是有利地去除抗反射层组分。
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公开(公告)号：KR1020040009043A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020042851
申请日：2002-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: An apparatus for drying a semiconductor substrate by an azeotrope effect is provided to completely eliminate the moisture remaining on the front surface of a patterned semiconductor substrate by heating the semiconductor substrate that crosses an azeotrope layer and an organic solvent layer having a higher density than that of the azeotrope layer. CONSTITUTION: Liquid(5) is stored in a wet bath(1). A space is prepared over the liquid by a chamber(3) installed in the upper portion of the wet bath. A distributor(11) supplies organic solvent to the surface of the liquid in the wet bath to form the azeotrope layer(5a) on the liquid while forming the organic solvent layer(11a) on the azeotrope layer. A heater heats the organic solvent layer and the atmosphere over the organic solvent layer. A drying gas conduit(17) supplies dry gas to the inside of the chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种通过共沸效应对半导体衬底进行干燥的装置，通过加热半导体衬底与半导体衬底相交，从而完全消除残留在图案化半导体衬底的表面上的水分，该半导体衬底穿过共沸层和具有比 共沸层的。 构成：将液体（5）储存在湿浴（1）中。 通过安装在湿浴的上部的室（3）在液体上制备空间。 分配器（11）在湿浴中向液体的表面提供有机溶剂，以在液体上形成共沸物层（5a），同时在共沸层上形成有机溶剂层（11a）。 加热器在有机溶剂层上加热有机溶剂层和大气。 干燥气体管道（17）将干燥气体供应到腔室的内部。
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公开(公告)号：KR1019990065082A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000185
申请日：1998-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N1/22
Abstract: 본 발명은 고농도의 시료분석을 위한 검출기와 저농도의 시료분석을 위한 검출기를 병용할 수 있도록 하기 위하여 시료의 마이크로샘플링을 가능하게 하기 위한 수단을 갖는 가스크로마토그래피에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로샘플링수단을 갖는 가스크로마토그래피는 인젝터(2)에 주입될 시료의 양을 미량으로 한정하는 마이크로샘플러(1)와, 상기 마이크로샘플러(1)에 연결되어 상기 마이크로샘플러(1)로부터 유입되는 시료를 제1분석컬럼(5)이나 마이크로샘플루프(4) 또는 배출라인으로 흐를 수 있도록 유로를 선택적으로 변경시킬 수 있는 제1유로변경밸브(3)와, 상기 제1유로변경밸브(3)를 경유하여 유입되는 시료를 제2검출기(12)가 연결된 제2분석컬럼(7)이나 제1검출기(11)가 연결된 제4분석컬럼(9)로 흐를 수 있도록 유로를 선택적으로 변경시킬 수 있는 제2유로변경밸브(6)와, 상기 제1유로변경밸브(3)와 제3분석컬럼(8) 및 제5분석컬럼(10)에 캐리어가스를 공급하기 위한 캐리어가스공급원(13)을 포함하도록 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 검출기의 검출불능 또는 검출오류의 발생, 검출기 자체의 손상 또는 검출기의 수명감소 등을 예방할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990042240A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063003
申请日：1997-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 가스정제장치 및 이를 이용한 정제방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 가스정제장치는 가스 공급원으로부터 공급받은 정제할 가스를 가열시키는 가열부, 상기 가열부를 거친 상기 가스를 가압하는 압축기, 상기 압축기 다음에 가스 정제용 멤브레인을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 가스 정제방법은 가스공급원으로부터 공급받은 정제할 가스를 가열하는 단계, 상기 가열단계를 거친 상기 가스를 압축기를 통과시켜 가압하는 단계 및 상기 압축기를 통과한 후 멤브레인을 통과시켜 불순물을 정제하는 단계를 순서적으로 수행하여 이루어진다.
따라서, N
2 O 가스를 멤브레인을 이용하여 단계적이고 효율적으로 정제하여 고순도의 N
2 O 가스를 제조공정에 공급하여 반도체소자의 제품의 신뢰도를 높이고 공정불량의 최소화 및 생산비를 절감시키는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100141200B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019940008857
申请日：1994-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체 장치 제조에 출발물질로 사용되는 기판의 배면(backside) 파티클의 추출, 측정 및 제거방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판의 배면 및 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막이 형성되어 있는 기판을 기상분해조에 로딩하고 상기 절연막을 제거할 수 있는 제1용액을 투입하는 단계와, 상기 투입된 기판을 꺼내어, 파티클이 있는 배면에 상기 제1용액과 동일한 성질을 갖는 제2용액을 떨어뜨리는 단계와, 상기 제2용액이 떨어진 기판의 배면을 스캔닝하여 제2용액과 파티클이 포함된 용액방울을 형성하는 단계와 상기 용액 방울을 샘플링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 배면의 파티클 추출방법을 제공한다. 상기 추출된 용액 방울을 필터링 또는 파티클 검출기를 사용하여 파티클 갯수를 측정한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 배면 파티클을 측정하고 더 나아가 성분분석까지 행할 수 있어, 배면 파티클로 인한 반도체 공정의 수율저하 원인을 파악할 수 있으며, 웨이퍼 자체의 질평가를 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970052073A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950056427
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 산업용 설비에서 사용되는 화학약품 용액들을 여과하기 위한 습식 필터의 웨팅 시스템에 관한 것으로, 필터(1)로 웨팅 용제를 공급하기 위한 웨팅 용제 탱크(10)와, 필터(1)로 순수를 공급하는 순수 공급부(10)와, N
2 개스를 공급하는 개스 공급부(30)와, 순수 배출부(40), 에어 유량계(50), 액체 유량계(60), 불순물의 양을 측정하기 위한 불순물 계수기(70)와, 시스템으로 공급되는 압력을 측정하기 위한 압력계(80) 및, 순환계로 구성된다. 이로써, 필터 매질의 미세 기공까지 완벽한 웨팅이 이루어지고, 필터의 웨팅 상태를 쉽게 점검할 수 있으며, 화학약품 용액이 불순물에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또, 필터의 불량 여부를 그것이 설비에서 사용되기 이전에 충분히 검증할 수 있을 뿐만 아니라, 환경을 보호하고 강한 휘발성의 웨팅 용제로 인한 화재 발생의 위험성으로부터 벗어날 수 있다.-
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公开(公告)号：KR101666516B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020090116222
申请日：2009-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3213 , H01L23/525
CPC classification number: H01L21/32134 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 구리식각용조성물및 이를이용한반도체장치의제조방법에있어서, 구리를함유하는퓨즈라인이형성된반도체기판을마련하고, 퓨즈라인에레이저빔을조사하여퓨즈라인을절단한다. 반도체기판에유기산, 산화제및 양자성용매를포함하는구리식각용조성물을적용하여퓨즈라인의절단부주변에잔류하는구리및 구리산화물을제거하고퓨즈라인의절단부를미세하게식각한다. 주변구조물의손상없이퓨즈라인절단부에잔류하는불순물을제거하여누설전류와같은불량발생을줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140093511A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：KR1020130006003
申请日：2013-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N1/22 , G01N33/0009 , G01N33/0011 , Y10T137/87619 , Y10T436/25875
Abstract: Provided are an apparatus and a method for supplying a sample gas. The apparatus for supplying a sample gas includes: a gas introduction unit; a first pressure gauge for measuring the pressure of the sample gas introduced through the gas introduction unit; a plurality of flow lines located between the gas introduction unit and a gas analysis unit to be opened and closed according to the pressure measured by the first pressure gauge; a plurality of control valves formed in the plurality of flow lines, respectively, to control opening/closing of the flow lines; a bypass line formed in at least one of the flow lines to discharge some of the sample gas flowing along the flow line; and a control unit for controlling the control value formed in the selected flow line by selecting one of the flow lines according to the pressure measured by the first pressure gauge.
Abstract translation: 提供了一种供应样品气体的装置和方法。 供给样品气体的装置包括：气体导入单元; 用于测量通过气体导入单元引入的样品气体的压力的第一压力计; 位于气体引入单元和气体分析单元之间的多条流线根据由第一压力表测量的压力而打开和关闭; 多个控制阀分别形成在多条流水线中，以控制流水线的打开/关闭; 在至少一个所述流动管线中形成的旁通管线，以排出沿着所述流动管线流动的一些样品气体; 以及控制单元，用于通过根据由第一压力计测量的压力选择一条流路来控制在所选择的流动管线中形成的控制值。
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