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公开(公告)号：KR100599357B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050002987
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 양점점 구조를 가지는 반도체 소자 제조시, 낮은 양자점 성장온도에 의해서 생성된 결함을 유전층을 형성한 후 열처리를 실시하여 감소시키기 위한 양자점 구조를 가지는 반도체 소자를 제조하기 위한 발명에 관한 것으로써, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; d) 상기 양자점 상에 제 1 덮개층을 형성하는 단계; e) 상기 제 1 덮개층 상에 SiO
2 유전막을 형성하는 단계; 및 f) 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법을 제공함으로써 광특성을 향상시킬 수 있다.
양자점, 유전막, 열처리, 결함, 감쇠시간(decay time)Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有量子点结构的半导体器件的发明，该半导体器件通过在形成介电层之后进行热处理而在具有双边结构的半导体器件中形成由低量子点生长温度产生的缺陷， a）制备基底; b）在衬底上形成缓冲层; c）在缓冲层上形成量子点; d）在量子点上形成第一覆盖层; e）形成第一层SiO
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公开(公告)号：KR1020040083753A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.
Abstract translation: 目的：提供具有不对称SCH（分离限制异质）结构的半导体激光二极管及其制造方法，通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。 构成：在基板上形成n型包覆层（220）。 在n型包覆层上形成n型第二SCH层（218）。 第一n型SCH层（210）形成在第二SCH层上。 在第一n型SCH层上形成有源层（212）。 第一p型SCH层（208）形成在有源层上。 第一插入层（206）形成在p型第一SCH层上。 在第一插入层上形成p型第二SCH层（204）。 p型覆层（202）形成在p型第二SCH层上。
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公开(公告)号：KR1020180016107A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020160100097
申请日：2016-08-05
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , H01G4/30 , H01G13/00
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , H01G4/30 , H01G13/00
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계, 기판의상부에하부금속층을형성하는단계, 하부금속층의상부에 BSTO층을형성하는단계, 및 BSTO층의상부에상부금속층을형성하는단계를포함하는 BSTO 유전체를갖는축전지의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一种BSTO电介质以及形成在成形步骤的顶部，BSTO层上的下层金属层的顶部上的顶部金属层，以形成步骤中，底部金属层在所述基板的顶部，以制备底物，和BSTO层 一种制造具有该电池的电池的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101783601B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160035986
申请日：2016-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140072983A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120140275
申请日：2012-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66984
Abstract: The present invention relates to a lateral spin device. The lateral spin device comprises: a transmission channel which is formed on a substrate; a source which is formed on the transmission channel; and a drain which comprises a drain free layer, a drain middle layer, and a drain fixing layer which are formed on the transmission channel. In the drain, the magnetic direction of the drain free layer against the drain fixing layer is changed by spin electrons which are injected from the source and diffused by the transmission channel.
Abstract translation: 本发明涉及一种横向纺丝装置。 横向自旋装置包括：形成在基板上的传输通道; 形成在传输信道上的源; 以及包括形成在传输通道上的无漏极层，漏极中间层和漏极固定层的漏极。 在漏极中，针对漏极固定层的无漏极层的磁方向由从源极注入并由传输沟道扩散的自旋电子改变。
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公开(公告)号：KR1020130076983A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145438
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B08B1/04 , B08B11/04 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A self-cleaning device for a panel is provided to efficiently clean the panel with reduced personnel costs and energy consumption. CONSTITUTION: A self-cleaning device for a panel comprises a transparent film (11), a first roll (13), a second roll (17), and a control device. The transparent panel covers the front side of the panel. The first roller is formed in one of the panel and winds the transparent film. The control device controls to automatically replace the transparent film by rotating the first roll. The second roll is formed in the other side of the panel to collect the replaced transparent film.
Abstract translation: 目的：提供面板自清洁装置，以有效清洁面板，降低人员成本和能源消耗。 构成：用于面板的自清洁装置包括透明膜（11），第一辊（13），第二辊（17）和控制装置。 透明面板覆盖面板的前侧。 第一辊形成在面板中的一个中并卷绕透明膜。 控制装置控制通过旋转第一辊来自动地替换透明膜。 第二辊形成在面板的另一侧以收集替换的透明膜。
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公开(公告)号：KR1020110117362A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036773
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/205
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101021899B1
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020090011125
申请日：2009-02-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 1×10
-9 torr이하의 초진공상태에서 반도체 기판상에 금속 및 비금속 원소를 주입하여, 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 반-양자구조물을 자발 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 기존의 양자구조와 전기적 특성을 반대로 하는 반-양자구조물을 별도의 식각공정 없이 자발 형성할 수 있으므로, 반-양자구조물의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 기판의 온도와 비금속 원소의 주입량을 변화시킴으로써, 반-양자구조물의 크기 및 형태와 밀도를 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 다양한 전기특성을 갖는 반-양자구조물을 제공할 수 있다.
자발 형성, 반-양자구조물, 밴드 갭, 화합물 반도체
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