Abstract:
본 발명은 이중 도파로 구조의 모드 변환기가 집적된 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층을 성장시킨 후 절연막 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 상부 클래딩층, 하부 도파로층 및 하부 클래딩층의 일부 두께를 패터닝하여 하부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층의 식각된 부분에 평탄화층을 성장시켜 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 공간층, 상부 도파로층 및 제 1 클래딩층을 성장시키는 단계와, 유전체 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제 1 클래딩층, 상부 도파로층 및 공간층을 패터닝하여 수평 테이퍼 영역을 갖는 상부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 상부 도파로의 제 1 � �래딩층, 상부 도파로층 및 공간층의 식각된 부분에 제 1 전류 차단층을 성장시킨 후 상기 유전체 패턴을 제외한 부분의 노출된 제 1 전류 차단층 상에 제 2 전류 차단층을 성장시키는 단계와, 상기 유전체 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 제 2 클래딩층을 형성하고, 상기 제 2 클래딩층과 상기 기판에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An SG-DFB(Sampled Grating Distributed Feed-Back) tunable semiconductor laser WITH an SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) is provided to tune a wavelength by integrating an SG-DFB structure and an SG-DBR structure and forming a phase control region of the SG-DFB structure. CONSTITUTION: A sampled grating(39) is formed on an n-type InP substrate(31) used as a lower clad layer. A phase control region of an InGaAsP waveguide and a gain region of an active layer are formed on the sampled grating. A p-type InP clad layer(32) used as an upper clad layer is formed thereon. A plurality of electrodes are formed on the p-type InP clad layer. A phase control region electrode(36) is formed on the phase control region. A gain region electrode(37) is formed on the gain region. A non-reflective thin film(33) is formed on a section of a semiconductor laser diode.
Abstract:
본 발명은 파장 가변 외부 공진 레이저 발생 장치에 관한 것이다. 본 발명의 파장 가변 외부 공진 레이저 발생 장치는 제 1 기판 및 제 1 기판과 인접한 제 2 기판을 포함한다. 제 1 기판 상에, 직렬 연결된 광 증폭기, 빗살 반사기 및 광 신호 처리기가 제공된다. 제 2 기판 상에, 광 증폭기와 연결되는 외부 파장 가변 반사기가 제공된다. 광 증폭기, 빗살 반사기 및 광 신호 처리기는 연속적인 도파로를 구성한다. 빗살 반사기는 제 1 회절 격자 및 제 2 회절 격자로 구성된다.
Abstract:
PURPOSE: A tunable laser module is provided to improve an output characteristic by using two arms of a Mach-Zehnder light modulator for two output terminals. CONSTITUTION: A tunable laser module comprises a light gain area unit (401), a light distribution unit (402), a light coupling unit (407), and a light amplifying unit (408). The light distribution unit separates a light signal which is output from a light gain area unit. Two comb reflection units (403, 404) reflect one part of the light signal which is separated by the light distribution unit, and transmits the other part of the separated signal. The light coupling unit combines light signals whose phases are changed by two phase units (405, 406). The light amplifying unit amplifies the light signal which is combined by the light coupling unit. The light gain area unit oscillates laser by totally reflecting the light signal which are reflected by the two comb reflection unit.