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公开(公告)号：KR101705726B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020120152409
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/32
Abstract: 본발명은반도체기판의제조방법을개시한다. 그의방법은, 기판의가장자리를둘러싸는차단패턴을형성하는단계와, 상기차단패턴을제외한상기기판의전면에이완층을형성하는단계와, 상기이완층 및상기차단패턴상에에피반도체층을형성하는단계를포함한다. 여기서, 상기에피반도체층은상기차단패턴상에서부터성장되지않고, 상기이완층의측벽및 상부에등방적으로성장되는선택적등방성성장방법에의해상기차단패턴을점진적으로덮을수 있다.
Abstract translation: 本发明构思提供了制造半导体衬底的方法。 该方法可以包括形成围绕衬底的边缘的停止图案，在除了停止图案之外的基板的整个顶表面上形成过渡层，以及在过渡层和停止图案上形成外延半导体层。 外延半导体层可能不会从停止图案生长。 也就是说，外延半导体层可以通过选择性各向同性生长方法从过渡层的顶表面和侧壁各向同性地生长，使得外延半导体层可以逐渐覆盖停止图案。
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公开(公告)号：KR101695708B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/473 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在衬底上的有源区; 入口通道形成为隐藏在所述基板的一侧中的单个空腔; 出口通道形成为埋在基板的另一侧中的单个腔; 微通道阵列，其包括多个微通道，其中所述多个微通道形成为埋在所述衬底中的多个空腔，并且所述微通道阵列的一端连接到所述入口通道的一侧，而另一端 的微通道阵列连接到出口通道的一侧; 以及将微通道彼此分离的微型散热器阵列。
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公开(公告)号：KR101616157B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020120077726
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 게이트전극과드레인전극사이에형성되는필드플레이트를통해소자의항복전압을높이는동시에제조공정을더욱용이하게할 수있는전력반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 실시예에의한전력반도체소자는, 기판상에형성되는소스전극과드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극사이에상기두 전극보다낮은높이로형성되며, 상기기판이노출되는식각부를포함하는유전층, 상기식각부상에형성되는게이트전극, 상기게이트전극과상기드레인전극사이의유전층상에형성되는필드플레이트및 상기필드플레이트와상기소스전극을연결하는메탈을포함한다.
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公开(公告)号：KR101596079B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020120062664
申请日：2012-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 별도의리소그라피공정과그에따른추가적인공정단계없이전계전극을형성함으로써제조비용을낮추고소자의안정성및 생산성을향상시킬수 있는전계효과트랜지스터및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 실시예에의한전계효과트랜지스터의제조방법은, 기판상에활성층, 캡층, 오믹금속층및 절연막을순차적으로형성하는단계; 상기절연막상에다층의감광막을형성하는단계; 상기다층의감광막을패터닝하여게이트전극을위한제 1 개구부및 전계전극을위한제 2 개구부를포함하는감광막패턴을형성하는단계; 상기감광막패턴을식각마스크로이용하여상기절연막을식각하되, 상기제 1 개구부를통해상기캡층이노출되도록상기제 1 개구부내의절연막을더욱깊게식각하는단계; 상기제 1 개구부를통해절연막이식각되어노출된캡층을식각하여게이트리쎄스영역을형성하는단계; 및상기게이트리쎄스영역과, 상기식각된절연막상에금속을증착하여게이트-전계전극층을형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150077737A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/475 , H01L29/778
Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。 提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面 去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。
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公开(公告)号：KR1020150064496A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149294
申请日：2013-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/12
Abstract: 본발명은기판상에형성된버퍼층; 개구영역을포함하는마스크패턴과, 상기마스크패턴의개구영역을채우며상기마스크패턴상에형성된반도체막이교대로적층되어다층구조로형성되며, 상기버퍼층상에형성된분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector); 및상기분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector) 상에형성된발광구조를포함하는발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。 发光二极管装置包括形成在基板上的缓冲层，分布布拉格反射器（DBR），其通过交替堆叠包括开口区域的掩模图案和填充开口区域的半导体膜形成多层结构 掩模图案并形成在掩模图案上并形成在缓冲层上，以及形成在DBR上的发光结构。
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公开(公告)号：KR1020140091093A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020120152409
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/32 , H01L21/02389
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor substrate. The method includes a step of forming a blocking pattern which surrounds the edge of a substrate, a step of forming a relaxation layer on the front surface of the substrate except for the blocking pattern, and a step of forming an epi semiconductor layer on the blocking pattern and the relaxation layer. Here, the epi semiconductor layer is not grown on the blocking pattern and gradually covers the blocking pattern by a selective isotropy growth method by which the epi semiconductor layer is isotropically grown on the sidewall and the upper part of the relaxation layer.
Abstract translation: 公开了半导体基板的制造方法。 该方法包括形成围绕衬底边缘的阻挡图案的步骤，除了阻挡图案之外在衬底的前表面上形成弛豫层的步骤，以及在阻挡层上形成外延半导体层的步骤 图案和松弛层。 这里，外延半导体层不是在阻挡图案上生长，并且通过选择性各向同性生长方法逐渐覆盖阻挡图案，通过该方法，外延半导体层在弛豫层的侧壁和上部上各向同性地生长。
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公开(公告)号：KR1020130031771A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020120062664
申请日：2012-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabrication the same are provided to improve productivity and stability by not using a lithography process. CONSTITUTION: An active layer(31), a cap layer(32), an ohmic metal layer(33) and an insulating layer(34) are formed on a substrate(30). An insulating layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. A metal is deposited on a gate recess region(37c) and the insulating layer to form a gate-electric field electrode layer(39).
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过不使用光刻工艺来提高生产率和稳定性。 构成：在基板（30）上形成有源层（31），盖层（32），欧姆金属层（33）和绝缘层（34）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻绝缘层。 金属沉积在栅极凹部区域（37c）和绝缘层上以形成栅极 - 电场电极层（39）。
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公开(公告)号：KR101245371B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020090055080
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/072 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 태양전지는 기판 상의 금속 전극층, 금속 전극층 상의 광흡수층, 광흡수층 상의 인듐 갈륨 질화막(In
X Ga
1-X N)을 포함하는 버퍼층 및 버퍼층 상의 투명 전극층을 포함한다.
버퍼층, 인듐 갈륨 질화막Abstract translation: 提供了一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括金属电极层，光吸收层，缓冲层和透明电极层。 金属电极层设置在基板上。 光吸收层设置在金属电极层上。 缓冲层设置在光吸收层上并包括氮化铟镓（In x Ga 1-x N）。 透明电极层设置在缓冲层上。
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