公开(公告)号：IL287255D0

公开(公告)日：2021-12-01

申请号：IL28725521

申请日：2021-10-13

Applicant: IBM ,  RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

IPC: G06N20/10 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: On a first superconducting layer deposited on a first surface of a substrate, a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer deposited on a second surface of the substrate, a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via (TSV).

公开(公告)号：CA3143434A1

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：CA3143434

申请日：2020-06-19

Applicant: IBM

Inventor： JINKA OBLESH ,  OLIVADESE SALVATORE BERNARDO ,  HART SEAN ,  BRONN NICHOLAS TORLEIV ,  CHOW JERRY ,  BRINK MARKUS ,  GUMANN PATRYK ,  BOGORIN DANIELA FLORENTINA

IPC: F25D3/10 ,  F25D31/00 ,  F28D21/00 ,  H01L23/367

Abstract: A thermalization structure is formed using a cover configured with a set of pillars, the cover being a part of a cryogenic enclosure of a low temperature device (LTD). A chip including the LTD is configured with a set of cavities, a cavity in the set of cavities having a cavity profile. A pillar from the set of pillars and corresponding to the cavity has a pillar profile such that the pillar profile causes the pillar to couple with the cavity of the cavity profile within a gap tolerance to thermally couple the chip to the cover for heat dissipation in a cryogenic operation of the chip.

公开(公告)号：DE112017007386B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE112017007386

申请日：2017-12-19

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  BRINK MARKUS

IPC: H01L39/22

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Seitenwand-Tunnelkontakts, das aufweist:Bilden einer ersten leitenden Schicht durch eine erste Schattenmaskenbedampfung;Bilden einer zweiten leitenden Schicht auf einem Teil der ersten leitenden Schicht, wobei die zweite leitende Schicht durch eine zweite Schattenmaskenbedampfung gebildet wird;Bilden einer Oxidschicht auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht, wobei ein Teil der Oxidschicht auf einer Seitenwand der ersten leitenden Schicht gebildet wird; undBilden einer dritten leitenden Schicht unmittelbar auf einer gegenüberliegenden Seite des Teils der Oxidschicht, der sich auf der Seitenwand der ersten leitenden Schicht befindet, sodass sich der Seitenwand-Tunnelkontakt zwischen der ersten leitenden Schicht und der dritten leitenden Schicht befindet,wobei sich ein Segment des Seitenwand-Tunnelkontakts zwischen einem dreieckigen Abschnitt der zweiten leitenden Schicht und einem dreieckigen Abschnitt der dritten leitenden Schicht befindet.

公开(公告)号：DE112017006931T5

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE112017006931

申请日：2017-11-28

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  BRINK MARKUS

IPC: G11C11/44 ,  H04L9/00

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf einen supraleitenden Chip. Resonanzeinheiten enthalten jeweils einen Josephson-Übergang. Die Resonanzeinheiten haben Resonanzfrequenzen, deren Unterschiede auf einer Variation des Josephson-Übergangs beruhen. Ein Übertragungsmedium ist mit den Resonanzeinheiten verbunden, und das Übertragungsmedium ist so konfiguriert, dass es eine Sequenz der Resonanzfrequenzen als eine Kennung des Chips ausgibt.

公开(公告)号：BR112021021816A2

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：BR112021021816

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： VIVEKANANDA ADIGA ,  KUMAR ARWIND ,  HERTZBERG JARED ,  RUBIN JOSHUA ,  BRINK MARKUS ,  ROSENBLATT SAMI

IPC: H01L23/532 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares. em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. a primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. no substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. o excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (tsv) completa(320).

公开(公告)号：DE112018006053B4

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：DE112018006053

申请日：2018-11-09

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  ORCUTT JASON ,  SANDBERG MARTIN ,  BRINK MARKUS ,  ADIGA VIVEKANANDA ,  BRONN NICHOLAS TORLEIV

IPC: H01L39/02 ,  G06N10/00

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Quantenbit(Qubit)-Flip-Chip-Baugruppe, wobei das Verfahren aufweist:Bilden eines Qubit auf einem ersten Chip;Bilden eines optisch durchlässigen Wegs in einem zweiten Chip; undBonden des ersten Chips an den zweiten Chip; undwobei der optisch durchlässige Weg oberhalb des Qubit angeordnet ist,wobei der Weg eine Öffnung mit einem Durchmesser aufweist, der groß genug ist, um eine Behandlung des Qubit zu ermöglichen.

公开(公告)号：IL286613D0

公开(公告)日：2021-10-31

申请号：IL28661321

申请日：2021-09-22

Applicant: IBM ,  SHAO DONGBING ,  BRINK MARKUS ,  SOLGUN FIRAT ,  HERTZBERG JARED BARNEY

Inventor： SHAO DONGBING ,  BRINK MARKUS ,  SOLGUN FIRAT ,  HERTZBERG JARED BARNEY

IPC: B82Y10/00 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L29/66 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: A quantum computing device includes a first chip having a first substrate and one or more qubits disposed on the first substrate. Each of the one or more qubits has an associated resonance frequency. The quantum computing device further includes a second chip having a second substrate and at least one conductive surface disposed on the second substrate opposite the one or more qubits. The at least one conductive surface has at least one dimension configured to adjust the resonance frequency associated with at least one of the one or more qubits to a determined frequency adjustment value.

公开(公告)号：SG11202109829PA

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：SG11202109829P

申请日：2020-04-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAO DONGBING ,  BRINK MARKUS ,  SOLGUN FIRAT ,  HERTZBERG JARED

IPC: G06N10/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L39/22

Abstract: A quantum computing device includes a first chip having a first substrate and one or more qubits disposed on the first substrate. Each of the one or more qubits has an associated resonance frequency. The quantum computing device further includes a second chip having a second substrate and at least one conductive surface disposed on the second substrate opposite the one or more qubits. The at least one conductive surface has at least one dimension configured to adjust the resonance frequency associated with at least one of the one or more qubits to a determined frequency adjustment value.

公开(公告)号：AU2020259830A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：AU2020259830

申请日：2020-04-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAO DONGBING ,  BRINK MARKUS ,  SOLGUN FIRAT ,  HERTZBERG JARED BARNEY

IPC: G06N10/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L39/22

Abstract: A quantum computing device includes a first chip having a first substrate and one or more qubits disposed on the first substrate. Each of the one or more qubits has an associated resonance frequency. The quantum computing device further includes a second chip having a second substrate and at least one conductive surface disposed on the second substrate opposite the one or more qubits. The at least one conductive surface has at least one dimension configured to adjust the resonance frequency associated with at least one of the one or more qubits to a determined frequency adjustment value.

公开(公告)号：DE112017007142B4

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE112017007142

申请日：2017-12-06

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  BRINK MARKUS

IPC: H01L39/22 ,  G11C11/44

Abstract: Supraleitender Chip, aufweisend:Schwingeinheiten mit Resonanzfrequenzen, wobei die Schwingeinheiten als supraleitende Schwingkreise konfiguriert sind, undJosephson-Übergänge in den Schwingeinheiten, wobei einer oder mehrere der Josephson-Übergänge eine kurzgeschlossene Tunnelbarriere besitzen, wobei die Schwingeinheiten kollektiv oder individuell adressierbar sind, wobei die kollektiv adressierbaren Schwingeinheiten durch die Auswertung deren individuellen Resonanzfrequenzen auslesbar sind und die individuell adressierbaren Schwingeinheiten individuell auslesbar sind.