公开(公告)号：DE102013207490B4

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：DE102013207490

申请日：2013-04-25

Applicant: IBM

Inventor： CHEN TZE-CHIANG ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  H01L31/036

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit (100), aufweisend:Bereitstellen eines Substrats (102); undAbscheiden einer Pufferschicht (105) zwischen einer transparenten Elektrode (104), die auf dem Substrat (102) ausgebildet ist, und einer p-leitenden Schicht (106) eines Photovoltaikstapels (106, 110, 112), wobei das Abscheiden der Pufferschicht (105) die Schritte umfasst:Durchführen einer Blitzabscheidung mit einer hohen Leistung von etwa 100 W/cm2zum Abscheiden eines ersten Teils (116) der Pufferschicht (105), um ein Kristallinitätsniveau und Leitfähigkeit der Pufferschicht (105) zu erhöhen; undDurchführen einer Abscheidung mit niedriger Leistung zum Abscheiden eines zweiten Teils der Pufferschicht (105) und zum Erhalten einer stärker amorphen Form, wobei der erste Teil (116) der Pufferschicht (105) an die p-leitende Schicht (106) angrenzt und der zweite Teil der Pufferschicht (105) an die transparente Elektrode (104) angrenzt, und wobei die Pufferschicht (105) einen Dotierstoff des p-Typs aufweist.

公开(公告)号：DE102016104446A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016104446

申请日：2016-03-11

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL P ,  FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L29/43

Abstract: sEine Halbleiter-Einheit beinhaltet ein Substrat und eine p-dotierte Schicht, die ein dotiertes III-V-Material beinhaltet, auf dem Substrat. Ein Material vom n-Typ ist auf oder in der p-dotierten Schicht ausgebildet. Die Schicht vom n-Typ beinhaltet ZnO. Ein Kontakt aus Aluminium ist in direktem Kontakt zu dem ZnO des Materials vom n-Typ ausgebildet, um eine elektronische Einheit zu bilden.

公开(公告)号：GB2508748B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：GB201403424

申请日：2012-08-29

Applicant: IBM

Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42

Abstract: Hemispheres and spheres are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface. The upper surface includes peaks of pillars which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.

公开(公告)号：GB2506315B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：GB201400139

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075

Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer, a P-doped layer and an intrinsic layer. A transparent electrode is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer and a high work function metal layer. The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.

公开(公告)号：GB2517325A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：GB201419706

申请日：2013-06-25

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a photovoltaic device includes depositing (302) one or more layers of a photovoltaic stack on a substrate by employing a high deposition rate plasma enhanced chemical vapor deposition (HDR PECVD) process, Contacts are formed (306) on the photovoltaic stack to provide a photovoltaic cell. Annealing (310) is perfomied on the photovoltaic cell at a temperature and duration configured to improve overall performance.

公开(公告)号：GB2505351A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：GB201320040

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  SHIU KUEN-TING ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: A method for fabricating a photovoltaic device includes applying (206) a diblock copolymer layer on a substrate and removing a first polymer material from the diblock copolymer layer to form a plurality of distributed pores. A pattern forming layer is deposited (212) on a remaining surface of the diblock copolymer layer and in the pores in contact with the substrate. The diblock copolymer layer is lifted off (214) and portions of the pattern forming layer are left in contact with the substrate. The substrate is etched (216) using the pattern forming layer to protect portions of the substrate to form pillars in the substrate such that the pillars provide a radiation absorbing structure in the photovoltaic device.

公开(公告)号：DE112012001857T5

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE112012001857

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  KIM JEEHWAN ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthalten ein Bilden einer lichtabsorbierenden Halbleiterstruktur auf einem durchlässigen Substrat, das eine erste dotierte Schicht (406) enthält, und Bilden einer intrinsischen Schicht (410) auf der ersten dotierten Schicht, wobei die intrinsische Schicht ein amorphes Material enthält. Die intrinsische Schicht wird mit einem Plasma behandelt (412), um Keimstellen zu bilden. Eine erste Tunnelübergangsschicht wird auf der intrinsischen Schicht gebildet (414), indem Mikrokristalle aus den Keimstellen wachsen gelassen werden.

公开(公告)号：DE102013207490A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102013207490

申请日：2013-04-25

Applicant: IBM

Inventor： CHEN TZE-CHIANG ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  H01L31/036

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit umfasst das Bereitstellen eines Substrats. Eine Schicht wird abgeschieden, um eine oder mehrere Schichten eines Photovoltaikstapels auf dem Substrat zu bilden. Das Abscheiden der amorphen Schicht umfasst das Durchführen einer Blitzabscheidung mit hoher Leistung zum Abscheiden eines ersten Teils der Schicht. Es wird eine Abscheidung mit niedriger Leistung durchgeführt, um einen zweiten Teil der Schicht abzuscheiden.

公开(公告)号：DE102012213849A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213849

申请日：2012-08-06

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  CHU JACK O ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687

Abstract: Eine Einheit und ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten beinhalten das Bereitstellen eines Trägersubstrats, das ein einkristallines Gruppe-III/V-Material enthält. Das Trägersubstrat bildet eine Gruppe-III/V-Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten. Auf dem Gruppe-III/V-Material wird eine Germaniumschicht mit passenden Gitterkonstanten epitaxial abgeschieden, um eine fertige Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten zu bilden. Die Germaniumschicht wird mit einem Fremdsubstrat verbunden.