Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 NM und daraus gebildete Schichtstrukturen

    公开(公告)号:DE112010004848T5

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:DE112010004848

    申请日:2010-11-26

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Schichtstruktur, die eine Struktur von Bereichen eines selbstorganisierten Materials umfasst, umfasst folgende Schritte: Aufbringen einer Fotolackschicht, die einen nicht vernetzenden Fotolack umfasst, auf ein Substrat; wahlweise Aushärten der Fotolackschicht; Belichten einzelner Strukturbereiche der Fotolackschicht mit einer ersten Strahlung; wahlweise Aushärten der belichteten Fotolackschicht; und Entwickeln der belichteten Fotolackschicht mit einem nicht alkalischen Entwickler, um eine strukturierte Negativ-Fotolackschicht zu bilden, die unvernetzten entwickelten Fotolack umfasst; wobei der entwickelte Fotolack in einem bestimmten organischen Lösemittel unlöslich ist, das zum Gießen eines bestimmten Materials geeignet ist, welches zur Selbstorganisation in der Lage ist, und wobei der entwickelte Fotolack in einem wässrigen alkalischen Entwickler und/oder in einem zweiten organischen Lösemittel löslich ist. Eine Lösung, die das bestimmte Material umfasst, welches zur Selbstorganisation in der Lage und in dem bestimmten organischen Lösemittel gelöst ist, wird auf die strukturierte Fotolackschicht gegossen und das bestimmte organische Lösemittel wird entfernt. Dem gegossenen bestimmten Material wird die Möglichkeit zur Selbstorganisation gegeben, während das gegossene bestimmte Material wahlweise erwärmt und/oder getempert wird, wodurch die Schichereichen des selbstorganisierten bestimmten Materials umfasst.

    Zusammensetzung aus einem Block-Copolymer und einem Fluoralkoholadditiv und Verfahren

    公开(公告)号:DE112016000431B4

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:DE112016000431

    申请日:2016-02-08

    Applicant: IBM

    Abstract: Zusammensetzung, umfassend:i) ein Lösungsmittel;ii) ein Block-Copolymer, das umfasst:a) einen ersten Block, der eine Wiederholungseinheit der Formel (B-1) umfasst:worin I) Rwein einwertiger Rest ist, der ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus H, Methyl, Ethyl und Trifluormethyl (*-CF3), und II) Rdein einwertiger Rest ist, der einen aromatischen Ring umfasst, der an Kohlenstoff 1 gebunden ist, undb) einen zweiten Block aus aliphatischem Polycarbonat (einen Polycarbonatblock), der an den ersten Block gebunden ist; undiii) ein oberflächenaktives Polymer (SAP), das eine Fluoralkohol-Wiederholungseinheit (HFA-Wiederholungseinheit) umfasst, die mindestens eine Hexafluorisopropylalkoholgruppe (HFA-Gruppe) umfasst, wobei die HFA-Gruppe eine Strukturaufweist;wobei das Block-Copolymer und das SAP in dem Lösungsmittel gelöst sind.

    Sulfonamide-containing photoresist compositions and methods of use

    公开(公告)号:GB2490195A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:GB201203582

    申请日:2011-02-03

    Applicant: IBM

    Abstract: Provided are sulfonamide-containing photoresist compositions for use in lithographic processes that have improved properties for high resolution, low blur imaging. Also provided are alcohol- soluble photoresists for resist-on-resist applications. The sulfonamide- containing photoresist compositions of the present invention include positive-tone photoresist compositions that have sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I).

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