公开(公告)号：DE102016115939B4

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102016115939

申请日：2016-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÄMMER KERSTIN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

Abstract: Speicherzelle (10), umfassend:ein Schmelzelement (13), undeinen Bipolartransistor (12; 212), der angrenzend an das Schmelzelement (13) angeordnet ist,wobei der Bipolartransistor (12; 212) einen pnp-Transistor umfasst,wobei eine erste p-dotierte Region (28) des pnp-Transistors benachbart zu dem Schmelzelement (13) bereitgestellt wird undvom Schmelzelement (13) durch eine Isolationsregion (23) getrennt ist, undwobei eine zweite p-dotierte Region (27) des pnp-Transistors lateral angrenzend an eine n-dotierte Region (26) bereitgestellt wird, wobei die zweite p-dotierte Region (27) und die n-dotierte Region (26) durch eine elektrisch leitende Schicht (25) gekoppelt sind.

公开(公告)号：DE102015109842A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109842

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAEMMER KERSTIN ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/085 ,  H01L27/112

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Trägers (102) enthalten: Dotieren eines Trägers (102) mit Fluor, so dass eine erste Oberflächenregion des Trägers (102) fluordotiert ist und eine zweite Oberflächenregion des Trägers (102) frei von der Fluordotierung und/oder weniger fluordotiert als die erste Oberflächenregion ist; und Oxidieren des Trägers (102) um eine erste Gateoxidschicht (104a) von der ersten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer ersten Dicke und gleichzeitig von der zweiten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer zweiten Dicke, die sich von der ersten Dicke unterscheidet, zu wachsen.

公开(公告)号：DE102015101581A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102015101581

申请日：2015-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTELS MARTIN ,  FEICK HENNING ,  KÜHN CHRISTIAN ,  OFFENBERG DIRK ,  STELTENPOHL ANTON ,  TADDIKEN HANS ,  UHLIG INES

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schaltvorrichtung Folgendes aufweisen: einen Antennenanschluss; einen Schalter, der einen ersten Schalteranschluss und einen zweiten Schalteranschluss aufweist, wobei der erste Schalteranschluss an den Antennenanschluss gekoppelt ist, wobei der Schalter mindestens einen Transistor (100) an mindestens einem von über oder in einem Siliziumgebiet aufweist, das eine Sauerstoff-Störstellenkonzentration aufweist, die niedriger als etwa 3 × 1017 Atome pro cm3 ist; und einen Sende/Empfängeranschluss, der an den zweiten Schalteranschluss gekoppelt ist, wobei der Sende/Empfängeranschluss mindestens einer von denen ist, die ausgestaltet sind, ein Signal bereitzustellen, das über den Antennenanschluss empfangen wird, oder die ausgestaltet sind, ein Signal zu empfangen, das über den Antennenanschluss zu senden ist.

公开(公告)号：DE102016223568B3

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016223568

申请日：2016-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  PMDTECHNOLOGIES AG

Inventor： PRIMA JENS ,  SOMMER MICHAEL ,  PARASCANDOLA STEFANO ,  OFFENBERG DIRK ,  FEICK HENNING ,  FRANKE MATTHIAS ,  RÖSSLER ROBERT

IPC: H01L27/146 ,  G01S7/481 ,  G01S17/00

Abstract: Eine optische Sensoreinrichtung zum Detektieren einer Laufzeit eines elektromagnetischen Signals umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Umwandlungsgebiet zum Umwandeln von zumindest einem Teil des elektromagnetischen Signals in photoerzeugte Ladungsträger. Eine tiefe Steuerelektrode wird in einem Graben, der sich in das Halbleitersubstrat erstreckt, ausgebildet. Die tiefe Steuerelektrode erstreckt sich tiefer in das Halbleitersubstrat als eine flache Steuerelektrode. Eine Steuerschaltung ist konfiguriert zum Anlegen von variierenden Potenzialen, die eine feste Phasenbeziehung zueinander aufweisen, an die tiefe Steuerelektrode und die flache Steuerelektrode, um elektrische Potenzialverteilungen im Umwandlungsgebiet zu erzeugen, durch die die photoerzeugten Ladungsträger im Umwandlungsgebiet gelenkt werden. Die gelenkten Ladungsträger werden an mindestens einem Ausleseknoten detektiert.

公开(公告)号：DE102016208343A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102016208343

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEICK HENNING

IPC: H01L27/146

Abstract: Eine optische Sensoreinrichtung, die ein Umwandlungsgebiet zum Umwandeln eines elektromagnetischen Signals in photogenerierte Ladungsträger umfasst, wird gezeigt. Die optische Sensoreinrichtung umfasst einen Ausleseknoten, der konfiguriert ist zum Auslesen der photogenetierten Ladungsträger, und eine Steuerelektrode, die durch ein Isoliermaterial von dem Halbleitersubstrat getrennt ist. Weiterhin umfasst die optische Sensoreinrichtung ein Dotierungsgebiet im Halbleitersubstrat zwischen der Steuerelektrode und dem Umwandlungsgebiet, wobei das Dotierungsgebiet im Vergleich zu einer kleinsten Dotierungskonzentration des Umwandlungsgebiets eine höhere Dotierungskonzentration umfasst, wobei die Dotierungskonzentration mindestens 1000 Mal höher ist als die kleinste Dotierungskonzentration des Umwandlungsgebiets und wobei sich das Dotierungsgebiet in das Halbleitersubstrat erstreckt. Zudem überlappt ein Vorsprung der Steuerelektrode zu dem Umwandlungsgebiet das Dotierungsgebiet oder befindet sich im Dotierungsgebiet. Ausführungsformen zeigen die optische Sensoreinrichtung als einen Laufzeitsensor.

公开(公告)号：DE102013015403A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102013015403

申请日：2013-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEICK HENNING ,  OFFENBERG DIRK ,  PARASCANDOLA STEFANO

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/101

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Bildwandlergeräts umfasst das Ausbilden einer ersten Steuerelektrode, einer zweiten Steuerelektrode und einer dritten Steuerelektrode zur Bereitstellung einer Potentialverteilung zum Übertragen von photogenerierten Ladungsträgern während des Betriebs des Bildwandlergeräts, wobei die erste, zweite und dritte Steuerelektrode lateral voneinander beabstandet sind. Ferner umfasst das Verfahren das Ausbilden einer ersten elektrischen Verbindung mit der ersten Steuerelektrode zum Zuführen eines elektrischen Steuersignals zu der ersten Steuerelektrode während des Betriebs des Bildwandlergeräts sowie das Ausbilden einer zweiten elektrischen Verbindung mit der zweiten Steuerelektrode zum Bereitstellen eines elektrischen Potentials an der zweiten Steuerelektrode während des Betriebs des Bildwandlergeräts. Die dritte Steuerelektrode weist eine kapazitive Kopplung mit der ersten Steuerelektrode und der zweiten Steuerelektrode auf, so dass ein drittes elektrisches Potential an der dritten Steuerelektrode durch die kapazitive Kopplung auf einem Wert erzeugt wird, das zwischen den Werten des ersten elektrischen Potentials, das an die erste Steuerelektrode angelegt ist, und des zweiten elektrischen Potentials, das an die zweite elektrische Steuerelektrode angelegt ist, liegt.

公开(公告)号：DE102011122906A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102011122906

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRIBIL ANDREAS ,  DAHL CLAUS ,  FEICK HENNING ,  BERTRAMS THOMAS ,  LANDGRAF ERHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

Abstract: Beschrieben werden eine Transistorbauelement und ein Verfahren zur Herstellung einer Dielektrikumsschicht. Ein Ausführungsbeispiel des Transistorbauelements umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist und gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Dielektrikumsschicht (30) einen Übergangsbereich (33) aufweist, in dem die Dicke von der ersten Dicke (d1) zu der zweiten Dicke (d2) zunimmt und in dem die Dielektrikumsschicht (30) wenigstens abschnittsweise unter einem Winkel kleiner als 90° gegenüber einer Seite (101) des Halbleiterkörper geneigt ist.

公开(公告)号：DE102005028919A8

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：DE102005028919

申请日：2005-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESS PHILIPP ,  WENDEL MARTIN ,  FEICK HENNING

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: An electronic component comprises: a doped substrate; at least one connection region formed in the doped substrate; at least one additional doped region formed in the doped substrate at least below the at least one connection region, where the at least one doped region is formed as an electrostatic discharges (ESD) region for protection against electrostatically generated discharges; at least one well region formed in the doped substrate, where the well region is formed in such a way that the well region doping is blocked at least below the at least one doped region. An independent claim is included for producing the electronic component involving: doping the substrate with doping atoms to form forming at least one connection region of the electronic component in the substrate; doping the substrate with doping atoms to form at least one doped region in the substrate located at least below the at least one connection region; and doping the substrate with doping atoms to form at least one well region in the substrate, where the well region doping is blocked at least below the at least one doped region in such a way that the doping intensity in each region blocked from the well region doping corresponds to the doping intensity of the substrate or remains unchanged until the end of the production of the electronic component.