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公开(公告)号:DE10214953A1
公开(公告)日:2003-10-30
申请号:DE10214953
申请日:2002-04-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HABLE WOLFRAM
Abstract: The invention relates to a power module 3 and a method for producing it. The power module 3 has a first substrate 1 having power semiconductor chips 4, and a second substrate 2 populated with signal semiconductor chips 5. The substrates 1 and 2 are oriented parallel one above the other, their placement sides 7 and 8 being arranged facing one another, and the second substrate 2, with the aid of bonding wires 9 bent in hingelike fashion, being held at a defined distance d from the first substrate 1 and being mechanically fixed in a plastic housing 18 and electrically connected.
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公开(公告)号:DE102018115957A1
公开(公告)日:2019-01-03
申请号:DE102018115957
申请日:2018-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: PAVIER MARK , HABLE WOLFRAM , KESSLER ANGELA , PUGATSCHOW ANTON , RIMBERT-RIVIERE CHARLES , SIELAFF MICHAEL , SOBKOWIAK MARCO
IPC: H01L21/48 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: Ein Package (100), das Folgendes aufweist: einen Chipträger (102), mindestens einen elektronischen Chip (104), der auf dem Chipträger (102) montiert ist, eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (106), die mit dem mindestens einen elektronischen Chip (104) elektrisch gekoppelt ist, und ein Verkapselungsmittel vom Moldtyp (108), das einen Teil der elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (106) und zumindest einen Teil des Chipträgers (102) und des mindestens einen elektronischen Chips (104) verkapselt, wobei der Chipträger (102) einen thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Kern (122) aufweist, der auf beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen davon zumindest teilweise durch eine jeweilige hartgelötete elektrisch leitfähige Schicht (124, 126) bedeckt ist.
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公开(公告)号:DE102014107743B4
公开(公告)日:2018-11-15
申请号:DE102014107743
申请日:2014-06-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GEITNER OTTMAR , HABLE WOLFRAM , GRASSMANN ANDREAS , WINTER FRANK , NEUGIRG CHRISTIAN , NIKITIN IVAN
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls, das zwei Substrate aufweist, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Aufbringen einer Kompensationsschicht mit einer ersten Dicke über einem ersten Substrat;• Aufbringen eines zweiten Substrats über der Kompensationsschicht; und• Reduzieren der Dicke der Kompensationsschicht von der ersten Dicke auf eine zweite Dicke, nachdem das zweite Substrat auf der Kompensationsschicht aufgebracht worden ist; wobei• während der Herstellung das Leistungsmodul in einer Montagestruktur angeordnet oder aufgebracht ist, die eine untere Werkstück haltende Struktur und eine Deckelstruktur aufweist, wobei an der unteren, Werkstück haltenden Struktur ein Höhe einstellender Abstandshalter angeordnet ist, der während des Herstellungs- oder Montageprozesses des Moduls als ein Anschlag verwendet werden kann; und• wobei das erste Substrat und das zweite Substrat jeweils ein Substrat aus der aus Folgenden bestehenden Gruppe aufweist: ein Direct Copper Bonding Substrat oder ein Direct Aluminium Bonding Substrat.
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公开(公告)号:DE102014113694A1
公开(公告)日:2015-03-26
申请号:DE102014113694
申请日:2014-09-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GEITNER OTTMAR , GRASSMANN ANDREAS , HABLE WOLFRAM , HERBRANDT ALEXANDER , SCHWARZ ALEXANDER , WINTER FRANK
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Substrat (100A) bereitgestellt. Das Substrat (100A) kann Folgendes aufweisen: einen Keramikträger (102) mit einer ersten Seite (112) und einer der ersten Seite (112) entgegengesetzten zweiten Seite (114), eine erste Metallschicht (104), die über der ersten Seite (112) des Keramikträgers (102) angeordnet ist, eine zweite Metallschicht (106), die über der zweiten Seite (114) des Keramikträgers (102) angeordnet ist, und eine in oder über der zweiten Metallschicht (106) gebildete Kühlstruktur (110).
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公开(公告)号:DE102009000541A1
公开(公告)日:2010-08-05
申请号:DE102009000541
申请日:2009-02-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GUTH KARSTEN , HEINRICH ALEXANDER , JUERSS MICHAEL , HABLE WOLFRAM
IPC: C23F17/00
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche (11) eines Körpers (10). Hierzu wird ein Körper (10) bereitgestellt, der eine metallische Oberfläche (11) mit Erhöhungen (12) und Vertiefungen (13) aufweist. Auf die Oberfläche (11) wird ein metallisches Füllmaterial (16) aufgebracht, wobei vor dem Aufbringen des metallischen Füllmaterials (16) im Bereich der Erhöhungen (12), nicht jedoch im Bereich der Vertiefungen (13) ein Mittel (15) auf die Oberfläche (11) aufgetragen wird, welches die Anhaftung des metallischen Füllmaterials (16) an der Oberfläche (11) im Bereich des Auftrags verhindert oder zumindest verringert.
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公开(公告)号:DE10157362B4
公开(公告)日:2006-11-16
申请号:DE10157362
申请日:2001-11-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HABLE WOLFRAM
IPC: H01L23/488 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: A power module has a circuit carrier that, on its upper side is coated with a structured metal layer and mounted with power components. The power components are driven by flat conductors, the inner flat-conductor ends of which interact, via thermocompression heads, with contact-connection surfaces, while the outer flat-conductor ends project out of the housing of the power module. A process is described for producing the power module.
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公开(公告)号:DE10113771A1
公开(公告)日:2002-07-04
申请号:DE10113771
申请日:2001-03-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HABLE WOLFRAM
Abstract: A semiconductor element comprises a carrier (11) on which is a structured metallization (13) with at least one integrated circuit (12) electrically connected to the metallization. A housing (14) surrounds the integrated circuit and there are external contacts (17) which are made to metal surfaces on the carrier. An Independent claim is also included for a process for forming contacts as above.
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