公开(公告)号：DE102016117682B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016117682

申请日：2016-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZELSACHER RUDOLF ,  IRSIGLER PETER ,  NEIDHART THOMAS

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: Wafer-Chuck (300), der dafür eingerichtet ist, einen Wafer (100) während einer Wafer-Testprozedur zu tragen, wobei der Wafer-Chuck (300) einen Kontaktbereich (310) aus einem leitfähigen Material zum Kontaktieren des Wafers (100) umfasst, wobei das leitfähige Material einen Schmelzpunkt höher als 1500°C aufweist, der Wafer-Chuck (300) weiterhin einen Kernbereich (320), welcher Nickel oder ein anderes geeignetes Basismetall aufweist, aufweist und der Kernbereich (320) mit einem Belag aus dem leitfähigen Material des Kontaktbereichs beschichtet ist.

公开(公告)号：DE102016111321A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016111321

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/482 ,  H01L29/30 ,  H01L29/41

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden einer Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats und ein Bilden von Halbleitermaterial auf der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten innerhalb von Halbleitermaterial zu vergraben. Ferner umfasst das Verfahren ein Entfernen von zumindest einem Abschnitt des Halbleitersubstrats von einer zweiten Seite des Halbleitersubstrats, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer Rückseite des Halbleiterbauelements freizulegen. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Bilden einer rauen Oberfläche an der Rückseite des Halbleiterbauelements durch Entfernen von zumindest einer Teilmenge der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, während zumindest ein Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, verbleibt, oder durch Entfernen von zumindest einem Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, während die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten verbleibt.

公开(公告)号：DE102016208356A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102016208356

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionale Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionale Struktur umfasst einen Funktionsbereich, der mit Bezug auf das Substrat als Reaktion auf eine Kraft, die auf den Funktionsbereich wirkt, verformbar ist. Die funktionale Struktur umfasst eine Kohlenstoffschichtanordnung, wobei ein Basismaterial der Kohlenstoffschichtanordnung ein Kohlenstoffmaterial ist.

公开(公告)号：DE102015120917A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120917

申请日：2015-12-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  NEIDHART THOMAS ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  SILVANO DE SOUSA JONATHAN

IPC: G01N21/00 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  G01K7/01 ,  G01L9/00 ,  G01N21/31 ,  G02B6/00 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00

Abstract: Ein Sensor (100) und ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors (100) werden offenbart. Der Sensor (100) kann Folgendes enthalten: ein Substrat (102), eine optische Quelle (106), einen optischen Detektor (108), mehrere optische Hohlräume (110) in dem Substrat (102) oder in einer Schichtstruktur über dem Substrat (102), wobei die mehreren optischen Hohlräume (110) in einem optischen Weg zwischen der optischen Quelle (106) und dem optischen Detektor (108) angeordnet sein können, und eine Verarbeitungsschaltung, die an den optischen Detektor (108) gekoppelt ist und konfiguriert ist zum Empfangen eines Signals, das ein durch den optischen Detektor (108) empfangenes Signal darstellt.

公开(公告)号：DE102015213756A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015213756

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionelle Struktur weist ein funktionelles Gebiet auf das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, ausgelenkt zu werden. Die funktionelle Struktur umfasst eine leitfähige Basisschicht und eine funktionelle Struktur, welche eine Versteifungsstruktur mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht in dem funktionellen Gebiet nur teilweise bedeckt. Das Versteifungsstrukturmaterial umfasst ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material.

公开(公告)号：DE102015108079A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108079

申请日：2015-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FIGUEIRA DA SILVA SYLVICLEY ,  SILVANO DE SOUSA JONATHAN ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  HEDENIG URSULA ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHMID ULRICH

IPC: G01K7/34 ,  B81B3/00

Abstract: Hierin offenbarte verschiedene Ausführungsformen umfassen ein kapazitives Thermometer, das eine auslenkbare Membran und eine Erfassungselektrode umfasst. Die auslenkbare Membran ist ausgelegt, einen kapazitiven Wert auf der Grundlage einer Temperatur der auslenkbaren Membran anzupassen.

公开(公告)号：DE102014117767A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014117767

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  BABURSKE ROMAN ,  HÜSKEN HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen pn-Übergang (171) zwischen einer Driftzone (120) und einem Ladungsträgertransferbereich (115) in einem Halbleiterkörper (100). Ein Zugangskanal (184) bildet einen permanenten Ladungsträgerpfad, der die Driftzone (120) mit einem Rekombinationsbereich (190) durch einen Trennungsbereich (195) zwischen der Driftzone (120) und dem Rekombinationsbereich (190) verbindet. Der Zugangskanal (184) stellt eine Plasmadichte in der Driftzone (120) und dem Rekombinationsbereich (190) ein.

公开(公告)号：DE112013004299T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/77 ,  G01N33/543

Abstract: Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten.

公开(公告)号：DE102013111135A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102013111135

申请日：2013-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L21/223 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/335 ,  H01L21/383 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete Siliziumschicht (40) enthält und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 3·1014 cm–3 aufweist, und das teilweise Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102019128071B3

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102019128071

申请日：2019-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MELZNER HANNO ,  DANKERL MARKUS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Transistorbauelement wird beschrieben. Das Transistorbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100); mehreren Zellengebiete (1), die jeweils mehrere Transistorzellen (10) aufweisen, die wenigstens teilweise in dem Halbleiterkörper (100) integriert sind und die jeweils eine jeweilige Gateelektrode (16) aufweisen; mehrere Routingkanäle (6), die jeweils zwischen zwei oder mehr der Zellengebiete (1) angeordnet sind; ein Gatepad (31), das oberhalb einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist; und mehrere Gaterunner (2), die jeweils an das Gatepad (31) gekoppelt sind und die jeweils in einem der mehreren Routingkanäle (6) angeordnet sind. Jeder der mehreren Gaterunner (2) ist einem der mehreren Zellengebiete (1) derart zugeordnet, dass die Gateelektroden (16) in jedem der mehreren Zellengebiete (1) an dem zugeordneten Gaterunner (2) angeschlossen sind, und jeder der mehreren Routingkanäle (6) umfasst zwei oder mehr Gaterunner (2), die parallel geführt und zueinander beabstandet sind.