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    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    21.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102008051465B4

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：DE102008051465

    申请日：2008-10-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEDL EDMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  LODERMEYER JOHANNES ,  VAUPEL MATHIAS ,  JORDAN STEFFEN

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29

    Abstract: Halbleiterbaustein (20, 120, 220) umfassend: einen ein Chipanschlussgebiet (24, 124, 224) definierenden Systemträger (22, 122, 222), einen elektrisch an das Chipanschlussgebiet (24, 124, 224) gekoppelten Chip (28, 128, 228), den Chip (28, 128, 228) und das Chipanschlussgebiet (24, 124, 224) bedeckendes Kapselungsmaterial und mehrere Anschlussdrahtenden (42, 142, 242), die relativ zu dem Kapselungsmaterial exponiert sind und für eine elektrische Kommunikation mit dem Chip (28, 128, 228) konfiguriert sind; und eine über mindestens den Anschlussdrahtenden (42, 142, 242) des Systemträgers (22, 122, 222) angeordnete stickstoffhaltige Kohlenwasserstoffbeschichtung (32, 132, 232); wobei die Kohlenwasserstoffbeschichtung (32, 132, 232) frei von Metallteilchen ist; und wobei die Kohlenwasserstoffbeschichtung (32, 132, 232) dafür konfiguriert ist, bei einer Temperatur von zwischen etwa 200–300 Grad Celsius entfernbar von den Anschlussdrahtenden (42, 142, 242) zu verdampfen.

    23.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008051465A1

    公开(公告)日：2009-05-20

    申请号：DE102008051465

    申请日：2008-10-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEDL EDMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  LODERMEYER JOHANNES ,  VAUPEL MATHIAS ,  JORDAN STEFFEN

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29

    Abstract: A semiconductor package includes a leadframe defining a die pad, a chip electrically coupled to the die pad, encapsulation material covering the chip and the die pad, and a plurality of lead ends exposed relative to the encapsulation material and configured for electrical communication with the chip, and a nitrogen-containing hydrocarbon coating disposed over at least the lead ends of the leadframe, where the hydrocarbon coating is free of metal particles.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10314876B4

    公开(公告)日：2008-02-14

    申请号：DE10314876

    申请日：2003-04-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEDL EDMUND

    IPC: B23K35/24 ,  B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  B23K35/30 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

    Abstract: The invention relates to a process for the multi-stage production of diffusion-soldered joints for power components with semiconductor chips, the melting points of diffusion-soldering alloys and diffusion-soldered joints being staggered in such a manner that a first melting point of the first diffusion-soldering alloy is lower than a second melting point of the second diffusion-soldering alloy, and the second melting point being lower than a third melting point of a first diffusion-soldered joint of the first diffusion-soldering alloy.

    25.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005061248B4

    公开(公告)日：2007-09-20

    申请号：DE102005061248

    申请日：2005-12-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MAHLER JOACHIM ,  WOMBACHER RALF ,  LACHMANN DIETER ,  BETZ BERND ,  PAULUS STEFAN ,  RIEDL EDMUND

    IPC: H01L23/16 ,  C09D5/25 ,  C23C16/453 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08

    Abstract: A semiconductor device includes semiconductor device components, an adhesion promoter structure and a plastic housing composition. The semiconductor device components are embedded in the plastic housing composition with the adhesion promoter structure being disposed between the device components and the housing composition. The adhesion promoter structure includes first and second adhesion promoter layers. The first layer includes metal oxides. The metal oxides being silicates of a reactive compound composed of oxygen and organometallic molecules. The second layer includes at least one polymer.

    26.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005058654A1

    公开(公告)日：2007-06-14

    申请号：DE102005058654

    申请日：2005-12-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  RIEDL EDMUND ,  GALESIC IVAN ,  ROESL KONRAD

    IPC: H01L21/60

    Abstract: A method for the planar joining of components of semiconductor devices involves coating the components with diffusion materials on their upper sides and rear sides, respectively. Subsequently, the components to be joined one on the other are introduced into a reducing atmosphere. The components are aligned and a compressive pressure is exerted on the aligned components. While heating up the components to be joined in the reducing atmosphere to a diffusion joining temperature, isothermal solidification takes place, the diffusion joining temperature lying below the melting temperature of the forming diffusion joint of the joined material.

    Zwischenschicht einer Teilstruktur, welche Erhebungen hat, und einer weiteren Teilstruktur mit Füllpartikeln in Aussparungen zwischen den Erhebungen sowie Verfahren zu deren Herstellung
    28.
    发明专利
    Zwischenschicht einer Teilstruktur, welche Erhebungen hat, und einer weiteren Teilstruktur mit Füllpartikeln in Aussparungen zwischen den Erhebungen sowie Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102020111071B4

    公开(公告)日：2022-08-11

    申请号：DE102020111071

    申请日：2020-04-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHWAB STEFAN ,  RIEDL EDMUND

    IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

    Abstract: Eine Struktur (150), wobei die Struktur (150) aufweist:• eine erste Teilstruktur (152); und• eine zweite Teilstruktur (154), welche mit der ersten Teilstruktur (152) gekoppelt ist und welche ein Verbund ist, welcher Füllpartikel (156) in einer Matrix (158) aufweist;• wobei eine Oberfläche der ersten Teilstruktur (152) ein Oberflächenprofil mit ersten Erhebungen (160) und ersten Aussparungen (162) hat, welche konfiguriert sind, zumindest einem Teil der Füllpartikel (156) zu ermöglichen, zumindest teilweise in die ersten Aussparungen (162) einzutreten, um dadurch eine Zwischenschicht (164) zu bilden, welche die ersten Erhebungen (160) der ersten Teilstruktur (152) und Füllpartikel (156) in der Matrix (158) der zweiten Teilstruktur (154) aufweist;• wobei die Oberfläche der ersten Teilstruktur (152) zweite Erhebungen (168) und zweite Aussparungen (170) hat, welche auf den ersten Erhebungen (160) und den ersten Aussparungen (162) gebildet sind;• wobei die zweiten Aussparungen (170) dimensioniert sind, zumindest einem Teil der Matrix (158) zu ermöglichen, zumindest teilweise in die zweiten Aussparungen (170) einzutreten und dimensioniert sind, zu verhindern, dass die Füllpartikel (156) in die zweiten Aussparungen (170) eintreten.

    Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
    30.
    发明专利
    Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102009040632B4

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：DE102009040632

    申请日：2009-09-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEDL EDMUND ,  NIKITIN IVAN ,  LODERMEYER JOHANNES ,  BERGMANN ROBERT ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements, umfassend: Bereitstellen eines Metallträgers (1); Bereitstellen eines Halbleiterchips (2); Aussetzen mindestens eines des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2) einer metallionenhaltigen Flüssigkeit und somit Herstellen einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche mindestens eines des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2); Anlegen einer Spannung zwischen der metallionenhaltigen Flüssigkeit und mindestens eines des Metallträgers (1) und Halbleiterchips (2); Platzieren des Halbleiterchips (2) auf dem Metallträger (1), so dass die poröse Schicht (3) eine Zwischenschicht zwischen dem Metallträger (1) und dem Halbleiterchip (2) bildet und mit beiden direkt verbunden ist; und Erhitzen des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2), bis der Halbleiterchip (2) an dem Metallträger (1) angebracht ist.

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