公开(公告)号：DE102004061307A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：DE102004061307

申请日：2004-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/522

Abstract: Device has a metal/isolation structure arranged above a semiconductor body. The metal/isolation structure exhibits a set of adjacent metal regions (81 - 83) and isolation regions (10), where the metal regions function for supplying the semiconductor body with electric current. A passivation layer (3) is arranged on the metal/isolation structure, where the passivation layer consists of metal or metalliferous connection.

公开(公告)号：DE102004036140A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004036140

申请日：2004-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  HOFMANN RENATE ,  BUSCH JOERG ,  EDTMAIR ALFRED ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/52

公开(公告)号：DE102004024644A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004024644

申请日：2004-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  SCHETLICK WERNER ,  NELLE PETER

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: A substrate (1) is prepared with conductive sections (13) and dielectric (11). A low-resistance ductile layer (3) is provided over the first sections (11) of the substrate surface (10). Its ductility exceeds that of the material of the metallic structure (6). The metallic structure is provided over sections of the ductile layer (3) so that shear forces acting on the metallic structure result in mechanical and thermo-mechanical stresses between the metallic structure and the substrate. These stresses are reduced by plastic deformation of the ductile layer. An independent claim is included for the corresponding semiconductor component.

公开(公告)号：DE10345247A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：DE10345247

申请日：2003-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  HOFMANN RENATE ,  BUSCH JOERG

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/528 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485

Abstract: Semiconductor component comprises a semiconductor body (2) having a semiconductor base surface (1), a pressing composition (3) for sealing the body and a claw structure for mechanically holding the pressing composition with the base surface. An independent claim is also included for a process for the production of a semiconductor component.

公开(公告)号：DE59806261D1

公开(公告)日：2002-12-19

申请号：DE59806261

申请日：1998-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  GOSSNER HARALD ,  SCHWETLICK WERNER

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/07

Abstract: The integrated circuit is arranged in a semiconductor body (7). A connection pad (5) is linked to the circuit via a connection line (4). Two lines connect to a respective power supply (VSS, VCC) of the circuit. An element protects the circuit from electrostatic discharge. The element is positioned between the pad and the circuit and is connected to at least one power supply. The element consists of an integrated vertical transistor whose load path is positioned between one power supply and a connection line. The base of the transistor is connected to a control unit. The element includes correct conducting parts which produce a parasitic pulse in a horizontal and a vertical direction.

公开(公告)号：DE19953333A1

公开(公告)日：2001-05-31

申请号：DE19953333

申请日：1999-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHAEFER HERBERT ,  VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  PERI HERMANN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: Arrangement for realizing a trenched layer (2, 2') with a dopant comprises a counter compensation material inserted into the trenched layer, the material compensating for lattice mismatches. Preferred Features: The dopant is boron or phosphorus and germanium is the counter compensation material, or the dopant is arsenic or antimony and carbon is the counter compensation material.

公开(公告)号：DE102020110001B4

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE102020110001

申请日：2020-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  GRUBER HERMANN ,  HINDERER THORSTEN

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/26 ,  H10D84/00

Abstract: Vorrichtung, umfassend:eine erste Spannungsdomäne (10), die ausgelegt ist, bei einer ersten Spannung betrieben zu werden,eine zweite Spannungsdomäne (11), die ausgelegt ist, bei einer zweiten Spannung betrieben zu werden,eine Isolationsbarriere (12; 23), die die erste und zweite Spannungsdomäne (10, 11) trennt, undeine Kratzerdetektionsschaltung (13), die eine erste Elektrode (14; 41; 58; 60-65) und eine zweite Elektrode (15; 44A, 44B; 59; 600-605) umfasst, wobei ein Abstand zwischen der ersten Elektrode (14; 41; 58; 60-65) und der zweiten Elektrode (15; 44A, 44B; 59; 600-605) kleiner ist als 2 µm,wobei die Vorrichtung einen Guardring (26; 41) umfasst, der zumindest einen Teil der ersten Spannungsdomäne (10) umgibt, wobei der Guardring (26; 41) als erste Elektrode (14; 41; 58; 60-65) dient,wobei die erste Elektrode (14; 41; 58; 60-65) eine Anzahl von ersten Teilelektroden (50A, 50B) aufweist, wobei die Anzahl größer oder gleich 1 ist, wobei die zweite Elektrode (15; 44A, 44B; 59; 600-605) die Anzahl von zweiten Teilelektroden (54A, 54B) aufweist, wobei jeweils eine erste Teilelektrode (50A, 50B) und eine zweite Teilelektrode (54A, 54B) einander zugeordnet in derselben Metallschicht angeordnet sind, und wobei jede erste Teilelektrode (50A, 50B) und jede zweite Teilelektrode (54A, 54B) einen ersten Abschnitt mit einem runden Querschnitt und einen zweiten Abschnitt (53A, 53B, 56A, 56B) mit einem Querschnitt mit einer Endfläche aufweist, wobei die Endflächen der einander zugeordneten ersten und zweiten Teilelektroden (54A, 54B) einander zugewandt sind.

公开(公告)号：DE102012109164B4

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102012109164

申请日：2012-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERBER MARTIN ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/528 ,  H01F27/28 ,  H01L21/768

Abstract: Halbleiterstruktur (1012), aufweisend:ein leitfähiges Merkmal (MF2);einen äußeren Schutzring (GR1); undeinen inneren Schutzring (GR2) zwischen dem äußeren Schutzring (GR1) und dem leitfähigen Merkmal (MF2), wobei der innere Schutzring (GR2) auf derselben Spannung (VOLT2) liegt wie das leitfähige Merkmal (MF2), wobei der äußere Schutzring (GR1) und der innere Schutzring (GR2) gleichzeitig auf unterschiedliche Spannungen (VOLT1, VOLT2) bringbar sind, wobei der innere Schutzring (GR2) und das leitfähige Merkmal (MF2) mittels einer elektrischen Verbindung (260) verbunden sind, undwobei das leifähige Merkmal (MF2) eine leitfähige Spule (610U) ist.

公开(公告)号：DE102014102714A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102014102714

申请日：2014-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H04L12/40

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Schutzstruktur (110) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst einen Schaltungsteil (105), der mit einem ersten Anschluss (107) und mit einem zweiten Anschluss (108) verschaltet ist und bei Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten Anschluss und zweiten Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist. Die integrierte Schaltung (100) umfasst zudem eine ESD-Schutzstruktur (110) geeignet zum Schutz des Schaltungsteils (105) gegen elektrostatische Entladung zwischen dem ersten Anschluss (107) und dem zweiten Anschluss (108), wobei die ESD-Schutzstruktur (110) mit Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten (107) und zweiten (108) Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist ohne zu zünden. Die ESD-Schutzstruktur (110) ist mit einer Photonenquelle (112) derart elektrisch und optisch gekoppelt, dass von der Photonenquelle (112) bei ESD Pulsbelastung emittierte Photonen (114) in der ESD-Schutzstruktur (110) absorbierbar sind und ein Avalanchedurchbruch mittels der durch die absorbierten Photonen (114) erzeugten Elektron-Loch-Paare einleitbar ist.

公开(公告)号：DE102014112315A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112315

申请日：2014-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst eine Hilfshalbleitervorrichtung (5), die zum Emittieren von Strahlung gestaltet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine Halbleitervorrichtung (110). Eine elektrische Kopplung und eine optische Kopplung zwischen der Hilfshalbleitervorrichtung (105) und der Halbleitervorrichtung (110) sind gestaltet, um eine Emission von Strahlung durch die Hilfshalbleitervorrichtung (105) auszulösen und um einen Avalanche-Durchbruch in der Halbleitervorrichtung (110) durch Absorption der Strahlung in der Halbleitervorrichtung (110) auszulösen. Die Halbleitervorrichtung (110) umfasst einen pn-Übergang (115) zwischen einer ersten Schicht (116) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die unter einer Oberfläche (117) eines Halbleiterkörpers (118) vergraben ist, und einem dotierten Halbleiterbereich (119) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Oberfläche (117) und der ersten Schicht (116) gelegen ist.