中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

51 records (took 0.023 seconds)

    PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT ELECTROMECANIQUE SUR UN SUBSTRAT PLAN
    21.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT ELECTROMECANIQUE SUR UN SUBSTRAT PLAN 未知

    公开(公告)号：FR2906238A1

    公开(公告)日：2008-03-28

    申请号：FR0653975

    申请日：2006-09-27

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CASSET FABRICE ,  DURAND CEDRIC ,  ANCEY PASCAL

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/007 ,  H03H9/02

    Abstract: Procédé de réalisation d'un composant électromécanique (10) sur un substrat (15) plan et comportant une structure vibrante (22) dans le plan du substrat et des électrodes d'actionnement (23), et comprend les étapes successives suivantes :- formation du substrat comportant une zone en silicium (16) recouverte en partie par deux zones isolantes (18),- formation d'une couche sacrificielle en alliage de silicium et de germanium à partir de la partie non recouverte de la zone en silicium,- formation d'une couche (20) en silicium, fortement dopé, comportant une zone monocristalline (20b) disposée sur ladite couche sacrificielle et deux zones polycristallines (20a) disposées sur les zones isolantes,- formation simultanée de la structure vibrante et des électrodes, par gravure dans la zone monocristalline d'un motif prédéterminé destiné à former des espaces (24) entre les électrodes et la structure vibrante,- élimination de ladite couche sacrificielle.

    TRANSISTOR MOS A GRILLE DEFORMABLE
    22.
    发明专利
    TRANSISTOR MOS A GRILLE DEFORMABLE 未知

    公开(公告)号：FR2875339A1

    公开(公告)日：2006-03-17

    申请号：FR0452070

    申请日：2004-09-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: H01L29/94 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

    Abstract: L'invention concerne un transistor MOS à grille déformable formé dans un substrat semiconducteur, comprenant des zones de source et de drain séparées par une zone de canal s'étendant dans une première direction de la source au drain et dans une deuxième direction perpendiculaire à la première, une poutre conductrice de grille placée au moins au-dessus de la zone de canal s'étendant dans la deuxième direction entre des points d'appui placés sur le substrat de chaque côté de la zone de canal, et tel que la surface de la zone de canal est creuse et a une forme semblable à celle de la poutre de grille lorsque celle-ci est en déflexion maximale vers la zone de canal.

    23.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2857785B1

    公开(公告)日：2005-10-21

    申请号：FR0308715

    申请日：2003-07-17

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROBERT PHILIPPE ,  ANCEY PASCAL ,  CARUYER GREGORY

    IPC: H03H3/04 ,  H03H9/17 ,  H01L41/047

    Abstract: The resonator has a piezoelectric layer (3) placed between two electrodes (1, 2). An electrical heating resistor (9) is placed in thermal contact with the electrode (1). The temporary heating of the electrode (1) permits to partially evaporate a material constituting the electrode (1) to make the electrode (1) thinner for adjusting resonance frequency. An independent claim is also included for a method of producing a thin film bulk acoustic resonator or a solidly mounted resonator.

    Integrated circuit with electromechanical component includes cavity defined between two substrates for auxiliary component
    25.
    发明专利
    Integrated circuit with electromechanical component includes cavity defined between two substrates for auxiliary component 未知

    公开(公告)号：FR2833106A1

    公开(公告)日：2003-06-06

    申请号：FR0115594

    申请日：2001-12-03

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FARCY ALEXIS ,  CORONEL PHILIPPE ,  ANCEY PASCAL ,  TORRES JOAQUIM

    IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  B81C1/00

    Abstract: The circuit includes a first semiconductor substrate supporting the electronic circuit, and a second substrate carrying an electromechanical component. The two substrates are glued together forming a sealed and protective enclosure for the auxiliary component. The first phase of manufacture includes forming the semiconductor chip (PC) within a first substrate, and forming a cavity in the upper surface of this substrate to accommodate an auxiliary component. A wall remains around the cavity, leaving the cavity as a well. The second phase includes formation of the auxiliary component (CAX) on a second semiconductor substrate (SB2), separate from the first. The second substrate is then turned over and applied to the first substrate as a lid with the auxiliary component hanging within the cavity of the first substrate. The two substrates are glued together forming a sealed and protective enclosure for the auxiliary component.

    30.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005016501D1

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：DE602005016501

    申请日：2005-07-25

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： BOUCHE GUILLAUME ,  ANCEY PASCAL ,  VIALA BERNARD ,  COUDERC SANDRINE

    IPC: H01F41/30 ,  H01F10/00 ,  H01F10/13 ,  H01F10/14 ,  H01F10/32 ,  H01F17/00 ,  H01F41/18 ,  H01L23/552

    Abstract: The method involves nitriding ferromagnetic nanograins rich in iron immersed in an amorphous substrate (SB), and selectively oxidizing the substrate. The nitriding is effectuated by reactive cathodic or ionic sputtering under magnetic field in the presence of nitrogen. The oxidation is effectuated by reactive sputtering in the presence of oxygen. The oxidation and nitriding are carried out simultaneously. Independent claims are also included for the following: (A) a thin soft magnetic film having high magnetization and insulation; and (B) an integrated circuit comprising a component utilizing a membrane incorporating a film.

Patent Agency Ranking