公开(公告)号：CN106898579A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610264180.3

申请日：2016-04-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李文喆 ,  金德焕 ,  李玲揆 ,  李在昌 ,  金泰润 ,  闵庆福

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/561 ,  H01L23/00 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/562

Abstract: 提供一种晶圆级封装件及其制造方法，所述晶圆级封装件包括：晶圆构件，具有设置了电路元件的内腔；元件壁构件，设置在晶圆构件的内表面上且包围设置了所述电路元件的元件部分；以及间隙壁构件，布置在所述元件壁构件的外表面上且将所述元件部分之间的空间划分成间隙部分。

公开(公告)号：CN106411286A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610602726.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/10 ,  H03H3/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01L23/53214 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/10

Abstract: 本发明提供了一种电子设备及其制造方法、振荡器、电子设备以及移动体。该电子装置具备：基板；侧壁，其直接或者隔着绝缘膜而被配置在基板上，并形成空洞；功能元件，其被配置在空洞内；第一层，其被配置在侧壁上并对空洞进行覆盖，并且具有通至空洞的第一贯穿孔；第二层，其被配置在第一层上并对空洞进行覆盖，并且具有第二贯穿孔，该第二贯穿孔具有与第一贯穿孔的直径相比较小的直径且在俯视观察时至少一部分与第一贯穿孔重叠；第三层，其被配置在第二层上，并且至少对第二贯穿孔进行密封。

公开(公告)号：CN105916801A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 ,  T·埃贝福斯 ,  N·斯维丁

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。

公开(公告)号：CN103130179B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210510312.8

申请日：2012-12-03

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 野田隆一郎 ,  吉田隆司

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L1/10

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

公开(公告)号：CN102728533B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210097609.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  冨吉俊夫

IPC: B06B1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00626 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。

公开(公告)号：CN104944357A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510132149.X

申请日：2015-03-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明所涉及的MEMS装置具备：基板；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于基板的表面上；结构体，其被设置于基板或绝缘膜的表面上，并在功能元件的周围形成空腔；第一盖部，其被设置有开口，并以与功能元件之间留有间隙的方式对空腔的一部分进行覆盖；承接部，其在基板或绝缘膜的表面上且被设置于多个电极或配线之间，并具有与第一盖部的开口隔开间隙而对置的承接面；第二盖部，其包括对第一盖部的开口进行密封的导电性的密封部。

公开(公告)号：CN104071740A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310198204.6

申请日：2013-05-24

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 苏中源 ,  黄肇达 ,  李宗璟 ,  许郁文

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/0271 ,  G01P15/097 ,  H03H3/0072

Abstract: 本发明提供了一种复合材料的微机电装置及其制作方法。该微机电装置包括一振动单元、一第一材料以及一第二材料。振动单元用以沿一第一轴向来回振动，其中振动单元包括一刚性元件。刚性元件包括一第一表面、一第二表面以及连接第一表面与第二表面的一第三表面，其中第一表面面向第一轴向的一第一方向，第二表面面向第一轴向相反于第一方向的一第二方向。第一材料设置于第一表面与第二表面上。第二材料为导电材料且设置于第一材料上并延伸至刚性元件，使第二材料电性连接到刚性元件。

公开(公告)号：CN102577118A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043268.3

申请日：2010-09-27

Applicant: VTT技术研究中心

Inventor： 阿尔内·奥亚 ,  图奥马斯·彭萨拉 ,  约翰纳·梅尔塔乌什

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  H03H3/013 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02259 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0271 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2436 ,  H03H9/2452 ,  H03H9/2463 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0407 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02511 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及微机械谐振器，包括：第一材料(2)的基底(1)；悬挂至支承结构(1)的谐振器(3)，谐振器(3)至少部分地具有与支承结构的材料相同的材料(2)，并且形成用于以特定频率f0谐振的尺寸；用于启动、维持谐振器(3)的谐振并且将谐振器(3)的谐振耦接至外部电路(6)的耦接装置(5)；以及所述谐振器(3)包括有第二材料(4)，第二材料(4)的热性质不同于第一材料(2)的热性质。根据本发明，谐振器(3)包括集中位于所述谐振器(3)的特定位置的第二材料(4)。

公开(公告)号：CN101945819A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105397.8

申请日：2009-02-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长崎宽范

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01G5/16 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0178 ,  H01G5/16 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种能够使间隙进一步狭小化的微型机电设备的结构及其制造方法。在本发明的微型机电设备中，共振子(22)和电极(21)相互对置，在该对置面上形成有一对热氧化膜(5、5)，在两热氧化膜间具有狭小化了的间隙。在本发明的微型机电设备的制造工序中，对形成共振子(22)和电极(21)的Si层实施利用了光刻法和蚀刻法的加工，在形成作为间隙的槽(20)后，对该Si层实施热氧化处理，在槽(20)的对置面上形成一对Si热氧化膜(5、5)。

公开(公告)号：CN101821195A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110362.9

申请日：2008-05-19

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 刘汉泳 ,  金炳勋 ,  金安顺 ,  白寅福 ,  阿七成 ,  梁钟宪 ,  朴赞佑 ,  安昌根

IPC: B82B1/00

CPC classification number: H01J49/4205 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N2291/0257 ,  H01J49/0018 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  H03H2009/02314

Abstract: 本发明提供了一种包括三维纳米结构的三维(3D)纳米器件。三维纳米器件包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括浮在衬底之上的振荡部分和用于支撑振荡部分的两个长度方向端部的支撑部分；支撑件，该支撑件设置在衬底上以支撑每个纳米结构的支撑部分；至少一个控制器，其控制器设置在衬底的上部、衬底的下部、或者衬底的上部和下部，以控制每个纳米结构；以及检测单元，该检测单元设置在每个振荡部分上，以检测外部施加的吸附材料。由此，不同于典型的平面器件，可以减少在纳米器件和衬底之间产生的杂质并可以导致机械振动。尤其是，由于三维纳米器件具有机械和电特性，包括新的三维纳米结构的三维纳米器件可以利用纳米-电-机械系统(NEMS)提供。而且，不同于平面器件，利用简单过程可以形成单电子器件、自旋电子器件、或单电子晶体管-场效应晶体管(FET)混合器件。