公开(公告)号：CN105593401A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053311.2

申请日：2014-09-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗伯特·J·梅森 ,  沙杜·佩特尔 ,  罗伯特·H·贝当古 ,  提摩西·J·米勒

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/12 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。

公开(公告)号：CN101593658B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910145359.7

申请日：2009-05-26

Applicant: FEI公司

Inventor： A·亨斯特拉

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J3/027 ,  H01J3/04 ,  H01J37/063 ,  H01J2237/045 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1534

Abstract: 本发明的名称为具有集成能量过滤器的带电粒子源，描述发生能量选择的粒子源。能量选择通过偏心地发送带电粒子束穿过透镜发生。这样做的结果是，在透镜形成的图像中将发生能量色散。通过将此图像投射到能量选择光阑中的狭缝上，可以只让有限的能量谱部分中的粒子穿过。因此，穿过的束将具有减少的能量分散。偏转单元将束偏转到光轴。也可以选择偏转经过透镜中间去向光轴并且具有如更大电流的束。能量色散点由偏转器在狭缝上成像。在狭缝上定位能量色散点时，中央束偏离轴到被能量选择光阑阻止的程度。由此避免了在光阑后的区域由此束导致的反射和污染。此外，还避免了中央束的电子与偏转器区域中的能量过滤束交互作用所导致的电子-电子相互作用。

公开(公告)号：CN102934195A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027850.5

申请日：2011-04-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  杰·舒尔 ,  约瑟·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  丹尼尔·迪斯塔苏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/0815 ,  H05H1/30

Abstract: 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。

公开(公告)号：CN102859634A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180013425.0

申请日：2011-03-11

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 朴龙云 ,  高仁洙 ,  朴成柱 ,  朴容正 ,  金承焕 ,  洪周浩 ,  文成益

IPC: H01J37/06

CPC classification number: H01J37/06 ,  H01J3/024 ,  H01J3/027 ,  H01J37/075 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/166 ,  Y10T29/49004

Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束的装置，该装置包括：阴极；外壳，该外壳具有形成在其一侧处的开口，使得该阴极联接至该开口，并且该外壳具有形成在其中的谐振腔；以及垫圈，该垫圈被插置在阴极与外壳之间，使得根据阴极与外壳之间的联接强度来压缩该垫圈以使谐振腔与外部切断。

公开(公告)号：CN101652498B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780052204.8

申请日：2007-04-24

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 中河原均

IPC: C23C14/24 ,  H05H1/24 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/28 ,  H01J37/04 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/3132 ,  H01J2237/3146

Abstract: 通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场，使得束的横断面扁平化：该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸，并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子生成设备，其中，相对于扁平化后的束28的宽度Wt，束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。

公开(公告)号：CN1973346B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN03815031.X

申请日：2003-06-26

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森

IPC: H01J7/24 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

公开(公告)号：CN101911245A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102417.6

申请日：2009-01-22

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 爱德华·麦金太尔 ,  理查德·戈德堡

IPC: H01J37/08 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827

Abstract: 本发明揭示一种离子源，其包括气体反应腔室。本发明还包括一种方法，所述方法通过将气态馈送材料供应到所述气体反应腔室而将所述馈送材料转化成四聚物、二聚物、其它分子或原子种类，在所述气体反应腔室中所述馈送材料转化成待供应到所述离子源且加以离子化的合适气体种类。更明确地说，所述气体反应腔室经配置以接收呈气态形式的氢化物和其它馈送材料(例如，AsH3或PH3)，且产生供用在离子植入中的各种分子和原子种类，此为迄今未知的。在本发明的一个实施例中，所述气体相对均匀地受热以对所产生的分子或原子种类提供相对精确的控制。在本发明的替代实施例中，所述气体反应腔室使用催化表面将所述馈送气体转化成植入所需的不同源气体种类，例如氢化物转化成四聚物分子。在本发明的又一实施例中，所述气体反应腔室经配置以使得在升高到适合温度的适合材料(包括玻璃或金属，例如，W、Ta、Mo、不锈钢、陶瓷、氮化硼或其它难熔金属)存在的情况下发生催化(或热解)反应。

公开(公告)号：CN1983504A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510120697.7

申请日：2005-12-14

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/00

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明涉及一种离子源及使用所述离子源的模具抛光装置。所述模具抛光装置包括一离子源，所述离子源用于发射进行抛光的离子束，所述离子源包括一腔体及设置于所述腔体中的一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，所述阴极靠近所述阴极灯丝设置，所述屏极、加速极及可调屏极依次远离所述阴极设置，所述可调屏极包括一通孔，所述通孔大小及形状可调，从而可利用所述通孔调节射出的离子束截面大小及形状。利用本明的模具抛光装置，可获得中心线平均表面粗糙度处于0.2～1纳米的平滑表面。

公开(公告)号：CN1807705A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510132021.X

申请日：2005-12-16

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： G·吕丁 ,  S·萨托

IPC: C30B31/06 ,  C30B31/16 ,  C30B25/14 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H01L21/383

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。

公开(公告)号：CN109427521A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711224239.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高泰坤 ,  林琮闵 ,  丘仁中 ,  李仁铎

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  C01F17/00 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082

Abstract: 本发明提供一种用于离子布植机的离子产生器。用于离子布植机的离子产生器包含一离子源电弧室及一热电子发射器，离子源电弧室包含一电弧室壳体，热电子发射器耦接至电弧室壳体。此外，热电子发射器包含一丝极以及一阴极，且阴极具有由功函数改质的导电材料所形成的一实心顶部，上述功函数改质的导电材料包含钨以及一功函数改质金属。