公开(公告)号：KR1020170024580A

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：KR1020167034988

申请日：2015-06-10

Applicant: 엘리먼트 씩스 테크놀로지스 리미티드

Inventor： 브랜든존로버트 ,  프리엘이안 ,  쿠퍼마이클앤드류 ,  스카스브룩지오프리앨런 ,  그린벤류린

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C30B25/10 ,  C30B29/04

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/274 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32284 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 화학적증착을통해합성다이아몬드물질을제조하기위한극초단파플라즈마반응기로서, 상기극초단파플라즈마반응기는제 1 극초단파공명모드주파수(f)를갖는제 1 극초단파공명모드를뒷받침하기위한공명강(cavity)을한정하는플라즈마챔버; 총극초단파동력(P)을갖는극초단파를발생시키고상기플라즈마챔버내로공급하기위한, 상기플라즈마챔버에연결된복수개의극초단파공급원; 공정기체를상기플라즈마챔버내로공급하고이 기체를상기플라즈마챔버로부터제거하기위한기체유동시스템; 및사용시합성다이아몬드물질이침착되어야하는기재를지지하기위한지지표면을포함하고상기플라즈마챔버내에배치되는기재홀더를 포함하고, 이때 상기복수개의극초단파공급원이상기총 극초단파동력(P)의 30% 이상을상기제 1 극초단파공명모드주파수(f)로상기플라즈마챔버에연결하도록구성되고, 상기복수개의극초단파공급원중적어도일부가고상(solid state) 극초단파공급원인, 극초단파플라즈마반응기.

Abstract translation: 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：等离子体室，其限定用于支撑具有初级微波谐振模式频率f的初级微波谐振模式的谐振腔; 耦合到等离子体室的多个微波源，用于产生并馈送具有总微波功率Pτ的微波进入等离子体室; 用于将工艺气体进料到等离子体室中并从中除去它们的气体流动系统; 以及衬底保持器，其设置在所述等离子体室中并且包括用于支撑在其上沉积所述合成金刚石材料的衬底的支撑表面，其中所述多个微波源被配置为耦合所述总微波功率的至少30％ Pτ以初级微波共振模式频率f进入等离子体室，并且其中多个微波源中的至少一些是固态微波源。

公开(公告)号：KR1020150082126A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020150001147

申请日：2015-01-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코가즈시 ,  하시모토유노스케 ,  이시다요헤이

IPC: H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  G01R23/02 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H03L7/26 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: 본발명은발진주파수의조정의성공여부를적절히판단하는것을목적으로한다. 본발명에의하면, 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 마이크로파발진기를포함하고, 마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시키는플라즈마생성기구와, 마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파의주파수인발진주파수를소정의주파수로조정하는조정부와, 조정부에의해소정의주파수로조정된발진주파수를검출하는검출부와, 검출부에의해검출된발진주파수를이용하거나, 또는, 상기발진주파수와소정의주파수의차분에따라변동하는파라미터를이용하여, 조정부에의한발진주파수의조정의성공여부를판정하는판정부를구비하였다.

Abstract translation: 本发明的目的是适当地确定振荡频率的调整是否成功。 根据本发明，等离子体处理装置包括：等离子体产生装置，其包括处理容器和微波振荡器，并且通过使用由微波振荡器振荡的微波产生处理容器内的等离子体; 调整部，将由微波振荡器振荡的微波的频率的振荡频率调整为规定频率; 检测部，其通过所述调整部检测被调整为规定频率的振荡频率; 以及确定部分，通过使用由检测部分检测到的振荡频率或者通过使用根据振荡频率和预定频率之间的差变化的参数来确定调整部分是否调整振荡频率是否成功。

公开(公告)号：KR1020140125807A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：KR1020147023376

申请日：2013-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코가즈시 ,  후나자키가즈노리 ,  가토히데오

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01Q13/22

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4682

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 그 내부에서 플라즈마에 의한 처리를 행하는 처리 용기와, 처리 용기 밖에 배치되어 고주파를 발생시키는 마이크로파 발생기(41)를 포함한다. 마이크로파 발생기(41)에 의해 발생시킨 고주파를 이용하여 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구를 구비한다. 여기서, 마이크로파 발생기(41)는, 고주파를 발진하는 마그네트론(42)과, 마그네트론(42)이 발진하는 기본 주파수와 동일한 주파수로서 이주파 성분을 감소시킨 신호를 마그네트론(42)에 주입하는 주입 수단으로서의 분기 회로(61)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140123993A

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：KR1020147025025

申请日：2013-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와토시히코 ,  미야하라준야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 처리 용기 내로 복수의 마이크로파를 도입하여, 플라즈마를 생성시키는 방식의 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 복수의 마이크로파의 파워의 합계를 웨이퍼(W)의 면적당 1 W/cm
2 이하로 하여 플라즈마를 생성시킨다. 예를 들면, 플라즈마 산화 처리에서는, 플라즈마 생성용의 희가스와 산소 함유 가스를 이용하여 처리 온도를100 ℃ 이하, 마이크로파의 공급 개시부터 30 초간에서의 평균 산화 레이트를 0.03 nm/초 이하로 한다. 복수의 마이크로파에 의해 플라즈마를 착화할 시에는 임피던스 정합을 행하지 않고, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)를 처리할 시 임피던스 정합을 행하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020140104440A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020147016559

申请日：2012-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠지,아키히로 ,  강송윤

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32477

Abstract: 마이크로파를 도입하기 위한 유전체창이 손상되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(110)는 기판(S)을 수용하는 처리 챔버(111)와, 그 처리 챔버(111)에 인접하여 배치되는 플라즈마 생성 유닛(112)을 구비하고, 그 플라즈마 생성 유닛(112)은 마이크로파를 전파시키는 도파관(115)과, 그 도파관(115)에 접속된 플라즈마 생성 챔버(116)와, 도파관(115) 및 플라즈마 생성 챔버(116) 사이에 개재하여, 도파관(115)이 전파하는 마이크로파를 플라즈마 생성 챔버(116)의 내부로 도입하는 유전체창(117)을 갖고, 플라즈마 생성 챔버(116)의 내부 공간인 플라즈마 발생 공간(G)은 구형상을 나타내며, 처리 챔버(111)의 내부와 연통한다.

公开(公告)号：KR101393890B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120033452

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지노유타카 ,  우에다아츠시 ,  오자키시게노리 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 본 발명의 과제는 간단한 구성으로 플라즈마의 분포를 균일화하는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 처리용기(2)내에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(5)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(5)는 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞추는 복수의 마이크로파 투과판(73)을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞춘 상태에서, 탑재대(21)의 탑재면(21a)에 평행한 1개의 가상의 평면상에 배치되어 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 마이크로파 투과판(73A∼73G)을 포함하고 있다. 마이크로파 투과판(73G, 73A)의 중심점 P
G , P
A 간 거리와 마이크로파 투과판(73G, 73B)의 중심점 P
G , P
B 간 거리는 서로 동등하거나 대략 동등하게 되도록 설정된다.

公开(公告)号：KR1020140036235A

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020137033375

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222

Abstract: RF 바이어스용 고주파를 인가하기 위한 급전봉과, 상기 급전봉의 상단에 서셉터를 접속하고, 하단에 매칭 유닛 내의 정합기의 고주파 출력 단자를 접속하며, 급전봉을 내부 도체로 하여 그 주위를 둘러싸는 원통형의 외부 도체를 설치하고, 동축 선로를 형성한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 동축 선로에는, 챔버 내의 플라즈마 생성 공간으로부터 선로 내에 들어간 원하지 않는 마이크로파의 공간 전파를 차단하기 위한 쵸크 기구를 설치하고, 마이크로파의 RF 급전 라인에 대한 누설을 라인 도중에서 차단하여 마이크로파 누설 장애를 방지한다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置包括供电棒，该供电棒对RF偏压施加高频波，其上端连接到基座，下端连接到匹配器的高频输出端，匹配 单元; 围绕用作内部导体的供电杆的圆柱形外部导体; 和同轴线。 同轴线安装有扼流器机构，其构造成阻挡从腔室中的等离子体产生空间进入管线的不期望的微波，并且在线路中部防止微波对RF馈电线的泄漏，从而抑制微波 泄漏。

公开(公告)号：KR1020140017154A

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020120083614

申请日：2012-07-31

Applicant: 익스팬테크주식회사

Inventor： 김성열 ,  정현학 ,  김정석 ,  전민석 ,  신현규

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32651 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: The present invention relates to an array type plasma generator. The array type plasma generator according to the present invention includes: a plasma array which is arranged to have a sequential arrangement structure of multiple plasma generating units which are respectively equipped with at least one plasma electric discharge unit inducing a plasma electric discharge by electromagnetic energy, a dielectric resonator inducing the electromagnetic energy to the plasma electric discharge unit, and a tube installed to penetrate the plasma electric discharge unit or be connected with the plasma electric discharge unit; multiple drive probes which are respectively installed in each of the multiple plasma generating units and are installed for the input of the electromagnetic energy; at least one feedback probe which is installed in a plasma generating unit which is selected among the multiple plasma generating units and is installed for the output or feedback of the electromagnetic energy; and a divider which divides the electromagnetic energy outputted through at least one feedback probe into the number of the multiple drive probes and applies the divided electromagnetic energy in the multiple drive probes respectively. The present invention is able to improve the generation efficiency of plasma by more efficiently inducing a plasma electric discharge by efficiently delivering electromagnetic energy to the plasma electric discharge unit by a dielectric body. The present invention is also able to process and use plasma for a large area. [Reference numerals] (50) Divider

Abstract translation: 本发明涉及一种阵列式等离子体发生器。 根据本发明的阵列型等离子体发生器包括：等离子体阵列，其被布置为具有多个等离子体发生单元的顺序排列结构，其分别配备有通过电磁能诱导等离子体放电的至少一个等离子体放电单元， 引导等离子体放电单元的电磁能的介质谐振器和安装成穿透等离子体放电单元或与等离子体放电单元连接的管; 多个驱动探针分别安装在多个等离子体发生单元中的每一个中并被安装用于输入电磁能; 安装在等离子体发生单元中的至少一个反馈探针，其被选择在多个等离子体发生单元中并被安装用于电磁能的输出或反馈; 以及分压器，其将通过至少一个反馈探头输出的电磁能量分成多个驱动探针的数量，并将分开的电磁能分别施加在多个驱动探针中。 本发明能够通过电介质体向等离子体放电单元有效地输送电磁能量，能够更有效地引起等离子体放电，从而提高等离子体的发生效率。 本发明还能够处理和使用大面积的等离子体。 （附图标记）（50）分隔线

公开(公告)号：KR20100094245A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR20090013574

申请日：2009-02-18

Applicant: POSTECH ACAD IND FOUND

Inventor： CHOI JUN ,  LEE JAE KOO ,  SIM JAE YOON

IPC: H05H1/30 ,  H05H1/36

CPC classification number: H01J37/32825 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46

Abstract: PURPOSE: A hand-held power supply device is provided to control the frequency of microwave by automatically monitoring the matching condition of impedance. CONSTITUTION: An output terminal of an oscillation amplifier is connected to a micro wave plasma generating device(100). The oscillation amplifier supplies the microwave which is amplified in the inner oscillator. A reflection feedback part measures the variation of reflection power by being fed back from the microwave plasma generating device. The different end of the reflection power feedback part is connected to the oscillation amplifier. The reflection power feedback part generates a switching control signal for controlling the frequency of microwave to a frequency which is proper for the reflection power. The oscillation amplifier comprises a crystal oscillator(210), a fractional PLL(220), a power amplifier(240), a drive amplifier(230), a battery(270), a first regulator(250), and a second regulator(260).

Abstract translation: 目的：提供手持式电源装置，通过自动监测阻抗匹配条件来控制微波频率。 构成：振荡放大器的输出端连接到微波等离子体产生装置（100）。 振荡放大器提供在内部振荡器中放大的微波。 反射反馈部通过从微波等离子体产生装置反馈来测量反射功率的变化。 反射功率反馈部分的不同端连接到振荡放大器。 反射功率反馈部生成用于将微波频率控制为适合于反射功率的频率的切换控制信号。 振荡放大器包括晶体振荡器（210），分数PLL（220），功率放大器（240），驱动放大器（230），电池（270），第一调节器（250）和第二调节器 260）。

公开(公告)号：KR1020050084844A

公开(公告)日：2005-08-29

申请号：KR1020057006169

申请日：2003-10-09

Applicant: 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤

Inventor： 나미키츠네히사 ,  이에키도시히데 ,  구라시마히데오 ,  이나가키하지메 ,  고바야시아키라 ,  야마다고지

IPC: C23C16/40 ,  B32B9/00 ,  H05H1/46 ,  C08J7/06

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311

Abstract: A method of forming a metal oxide film in accordance with plasma CVD process, comprising performing glow discharge in a low output region so as to carry out reaction wherein the main reactant is an organometal, and thereafter performing glow discharge in a high output region so as to carry out reaction between the organometal and an oxidative gas, thereby obtaining a plastic substrate and, sequentially superimposed on the surface thereof, an organic layer and a metal oxide film. This method enables forming a thin film of excellent adherence, softness and flexibility on the surface of a substrate such as a plastic in accordance with plasma CVD process.

Abstract translation: 根据等离子体CVD法形成金属氧化物膜的方法，包括在低输出区域进行辉光放电，以进行主反应物为有机金属的反应，然后在高输出区域进行辉光放电，以便 进行有机金属与氧化性气体的反应，得到塑料基板，并且在其表面顺序地叠加有机层和金属氧化物膜。 该方法能够根据等离子体CVD工艺在诸如塑料的基板的表面上形成优异的粘附性，柔软性和柔性的薄膜。