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公开(公告)号：KR101081416B1
公开(公告)日：2011-11-08
申请号：KR1020090110359
申请日：2009-11-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명은 n-오믹금속층과보호층을동일한물질을사용함으로써공정단계를감소시키고, 낮은온도에서플라즈마인가없이보호층을증착할수 있는발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드제조방법은 n형질화물반도체상에 n-오믹(ohmic) 금속층이형성될부분이노출되도록포토레지스트패턴(photo resist pattern)을형성한다. 그리고포토레지스트패턴과상기 n형질화물반도체가덮이도록상기 n 형질화물반도체상에금속보호층(metallic protection layer)을형성한다. 그리고포토레지스트패턴상에형성되어있는금속보호층과포토레지스트패턴을함께제거하여, n형질화물반도체의표면일부를노출시킨다. 그리고 n형질화물반도체의표면이노출된부분을표면처리하여상기 n형질화물반도체표면을거칠게(roughening) 한다.
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公开(公告)号：KR1020170073833A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182205
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G06F3/044
Abstract: 본발명은메탈메쉬(Metal Mesh)를이용한단일층터치센서및 제조방법에관한것으로서, 단일층터치센서는, 적어도하나의터치셀 및적어도하나의메탈라인을포함하는터치활성화영역; 및상기터치셀로부터상기메탈라인으로연결되는전극패드를포함하고, 상기터치활성화영역은메탈메쉬로구현되며, 상기터치활성화영역에서상기터치셀 및상기메탈라인을제외한비전극영역은, 메탈메쉬를단선시킨형태로구현되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种单层触摸传感器，并使用金属网（网眼金属），单层触摸传感器，触摸激活区域包括所述触摸细胞中的至少一种和至少一种金属线的制造方法; 并且其中，从所述接触单元包括连接到金属线的电极焊盘，所述触摸激活区域被实施为金属网，非电极区域以外的接触单元和在触摸激活区域是，所述金属网的金属线 并以断开连接的形式实施。
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公开(公告)号：KR1020170073832A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182202
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은은 나노와이어를이용한나노패턴메탈메쉬구현공정방법및 이를이용한하이브리드메탈메쉬에관한것으로서, 상기방법은, 기판상에은 나노와이어를분산하고, 제1 임프린트레진을이용하여상기은 나노와이어의패턴을본 뜨는패턴형성단계; 상기제1 임프린트레진에형성된상기패턴을제2 임프린트레진으로찍어내상기패턴을포함한메탈몰드를형성하는단계; 및제3 임프린트레진을포함한투명기판상에, 상기메탈몰드의상기패턴을찍어패턴을형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및열 경화(Thermal Curing) 공정을거쳐메탈메쉬를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种方法，使用一个纳米线纳米图案的金属网实现的过程，并使用相同的，所述方法包括涉及一种混合金属网：衬底上eeun和纳米线分散，使用纳米线的第一压印树脂sanggieun图案 图案形成步骤; 通过用第二压印树脂印刷形成在第一压印树脂上的图案来形成包括图案的金属模具; 并且通过在包括第三压印树脂的透明基板上形成金属模的图案并且对金属网进行挤压处理和热固化处理来形成图案。
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公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
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36.发明授权글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权因此，用于玻璃基座探针卡的空间变压器和玻璃基座探针卡的空间变压器的制造方法
公开(公告)号：KR101441632B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020120156763
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것으로서, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 있어서, 글라스 기판을 준비하는 제1단계와, 상기 글라스 기판 상에 비아홀 형성을 위한 마스크 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 글라스 기판에 상기 마스크 패턴층의 설정패턴에 따라 비아홀을 형성하는 제3단계와, 상기 비아홀에 도전재를 채우는 제4단계와, 상기 비아홀과 전기적으로 연결되며, 상기 글라스 기판 표면에 금속배선전극을 형성하는 제5단계 및 상기 글라스 기판 상에 금속배선전극 간 절연을 위한 절연막을 형성하는 제6단계포함하며, 상기 제1단계에서 제6단계를 반복하여 형성되는 제1층의 글라스 기판 스페이스 트랜스포머를 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것이다. 이에 의해 본 발명은, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 사용하지 않기 때문에 수축 및 팽창으로 인한 스페이스 트랜스포머의 변형이 발생하지 않아 수율을 향상시킴으로써 생산성을 향상 시키고 제조비용이 절감시키는 이점이 있다.
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37.发明公开글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权用于玻璃基础探针卡的空间变压器的制造方法和玻璃基探针卡的空间变换器
公开(公告)号：KR1020140086375A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120156763
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. A method of manufacturing the space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, the via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, the via-hole is filled with a conductive material. In a fifth step, a metal interconnection electrode, which is electrically connected with the via-hole, is formed on the glass substrate. And, an insulation film for insulating the metal interconnection electrodes from one another is formed on the glass substrate in a sixth step. By the method of manufacturing the space transformer for a glass-based probe card according to the present invention, single layer glass substrate space transformers, which are formed by repeating the first through sixth steps, are stacked to form the space transformer for a glass-based probe card. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield and productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.
Abstract translation: 本发明涉及探针卡的空间变压器。 一种制造用于探针卡的空间变压器的方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成通孔。 在第四步骤中，通孔填充有导电材料。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成与通孔电连接的金属互连电极。 并且，在第六步骤中，在玻璃基板上形成用于使金属互连电极彼此绝缘的绝缘膜。 通过制造根据本发明的玻璃基探针卡的空间变压器的方法，通过重复第一至第六步骤形成的单层玻璃基板空间变压器被堆叠，以形成用于玻璃基探针卡的空间变压器， 基于探针卡。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，提高了制造成品率和生产率，降低了制造成本。
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公开(公告)号：KR1020130080492A
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020120001307
申请日：2012-01-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: PURPOSE: A wafer clamp with a cooling device is provided to easily cool the wafer clamp heated in a wafer etching process by supplying coolants to a coolant tube through a coolant supplying device. CONSTITUTION: A top wafer clamp (110) corresponds to a bottom wafer clamp (120). A top insertion groove (111) and a bottom insertion groove (121) are formed along the frames of the top wafer clamp and the lower wafer clamp. A coolant tube (200) is inserted through the top insertion groove and the bottom insertion groove. A combination member (131) combines the top wafer clamp with the bottom wafer clamp. The combination member is combined with a combination hole (130).
Abstract translation: 目的：提供具有冷却装置的晶片夹具，以通过冷却剂供应装置向冷却剂管提供冷却剂来容易地冷却在晶片蚀刻工艺中加热的晶片夹具。 构成：顶部晶片夹（110）对应于底部晶片夹（120）。 沿顶部晶片夹具和下部晶片夹具的框架形成顶部插入槽（111）和底部插入槽（121）。 冷却剂管（200）穿过顶部插入槽和底部插入槽插入。 组合构件（131）将顶部晶片夹具与底部晶片夹具组合。 组合构件与组合孔（130）组合。
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公开(公告)号：KR101081418B1
公开(公告)日：2011-11-08
申请号：KR1020090110388
申请日：2009-11-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명은 n-오믹금속층과보호층을동일한물질을사용함으로써공정단계를감소시키고, 낮은온도에서플라즈마인가없이보호층을증착할수 있는발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드제조방법은 n형질화물반도체상에금속보호층(metallic protection layer)을형성한후, 금속보호층을패터닝하여상기 n형질화물반도체의표면일부를노출시킨다. 그리고 n형질화물반도체의표면이노출된부분을표면처리하여상기 n형질화물반도체표면을거칠게(roughening) 한다.
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