표시 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법
    32.
    发明公开
    표시 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법 有权
    用于制作显示器的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020110090121A

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:KR1020100009718

    申请日:2010-02-02

    CPC classification number: C23C16/00 B05C11/00 C23C16/44 C23C16/448 C23C16/52

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing a display device are provided to minimize the influence of measurement noise which is included in an aqueous vibrator sensor measuring deposition velocity and to enhance the yield of deposition process by reducing the distribution of deposition thickness of organic luminous materials and to create the display device of good quality. CONSTITUTION: A deposition thickness calculator(50) produces the deposition thickness of deposition materials which is deposited on a substrate from an evaporation source(20). A controller(60) compares the deposition thickness with standard thickness and controls the electricity of a heater heating the evaporation source.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造显示装置的装置和方法,以最小化测量沉积速度的水中振动传感器所包含的测量噪声的影响,并通过减少有机发光层的沉积厚度分布来提高沉积工艺的产量 材料,并创造出优质的显示设备。 构成:沉积厚度计算器(50)产生从蒸发源(20)沉积在衬底上的沉积材料的沉积厚度。 控制器(60)将沉积厚度与标准厚度进行比较,并控制加热蒸发源的加热器的电力。

    스퍼터링 장치
    33.
    发明公开
    스퍼터링 장치 有权
    溅射装置

    公开(公告)号:KR1020110057465A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020090113887

    申请日:2009-11-24

    Abstract: PURPOSE: A sputtering device for depositing a metal catalyst is provided to improve the uniformity of metal catalyst of the extreme low density on a substrate by minimizing the deposition of metal catalyst discharged from a metal target in a pre-sputtering process. CONSTITUTION: A metal target(120) is located in a process chamber(110). A target transfer unit(130) includes a first shield(150) to control the progressing direction of a metal catalyst discharged from the metal target. A substrate holder(140) faces the metal target. The difference between the length of the first shield and the distance between the substrate and the metal target is 3 cm or less.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于沉积金属催化剂的溅射装置,通过在预溅射过程中使从金属靶排出的金属催化剂的沉积最小化来改善金属催化剂在基板上的极低密度的均匀性。 构成:金属靶(120)位于处理室(110)中。 目标传送单元(130)包括用于控制从金属靶排出的金属催化剂的前进方向的第一屏蔽(150)。 衬底保持器(140)面向金属靶。 第一屏蔽的长度与基板与金属靶之间的距离之差为3cm以下。

    스퍼터링 장치
    34.
    发明公开
    스퍼터링 장치 无效
    溅射装置

    公开(公告)号:KR1020110039920A

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:KR1020090096978

    申请日:2009-10-12

    CPC classification number: C23C14/34

    Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly deposit metallic catalyst of very low density on a substrate by reducing the unevenness of a metallic catalyst which is deposited at the edge of the substrate. CONSTITUTION: In a sputtering apparatus, a metal target(120) is arranged in a reaction chamber. The area of the metal target is at least 1.3 times larger than that of the substrate mounted in a substrate holder. A substrate holder(130) is arranged to be faced with the metal target. A vacuum pump(140) is connected to the exhaust pipe of the reaction chamber. A first shield(160) controls the progressive direction of the metallic catalyst discharged from the metal target.

    Abstract translation: 目的:提供一种溅射装置,通过减少沉积在基板边缘的金属催化剂的不均匀性,在基板上均匀沉积非常低密度的金属催化剂。 构成:在溅射装置中,金属靶(120)布置在反应室中。 金属靶的面积比安装在衬底保持器中的衬底的面积大至少1.3倍。 衬底保持器(130)布置成面对金属靶。 真空泵(140)连接到反应室的排气管。 第一屏蔽(160)控制从金属靶排出的金属催化剂的行进方向。

    소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법
    35.
    发明公开
    소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법 失效
    源气供应单元,具有该气源的沉积装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020110032283A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:KR1020090089698

    申请日:2009-09-22

    CPC classification number: F17D1/02 C23C16/4485 C23C16/52 Y10T137/0318

    Abstract: PURPOSE: A source gas supplying unit, a deposition device having the same and a method thereof are provided to deposit a uniform thin by supplying a source gas to deposition chamber. CONSTITUTION: In a source gas supplying unit, a deposition device having the same and a method thereof, a source is stored in a canister(112). A heating portion heats the canister. A source gas supply tube(114) is formed in one side of the canister. A measuring unit is installed in the source gas supply tube and measures the amount of the source gas through a source gas supply tube. A temperature controller(116) is connected to a heating unit and the measuring unit. The temperature controller controls the heating unit according the amount of the source gas.

    Abstract translation: 目的:提供源气体供给单元,具有该源气体供给单元的沉积装置及其方法,以通过向沉积室供应源气体来沉积均匀的薄膜。 构成:在源气体供给单元中,具有该源装置的沉积装置及其方法,源被存储在罐(112)中。 加热部分加热罐。 源气体供给管(114)形成在罐的一侧。 测量单元安装在源气体供应管中,并通过源气体供应管测量源气体的量。 温度控制器(116)连接到加热单元和测量单元。 温度控制器根据源气体的量控制加热单元。

    인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법
    36.
    发明公开
    인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법 失效
    在线热处理设备和使用该方法的热处理方法

    公开(公告)号:KR1020100020291A

    公开(公告)日:2010-02-22

    申请号:KR1020080079003

    申请日:2008-08-12

    Abstract: PURPOSE: Inline thermal process equipment and a wafer thermal processing method using the same are provided to increase the crystallinity of polysilicon by rapidly heat-treating a substrate at a high temperature more than a strain point of substrate. CONSTITUTION: A rapid thermal anneal part comprises a rapid high temperature annealing unit(600), a heating source(610) and a second controller. The heating source is installed inside the rapid high temperature annealing unit. The second controller controls the temperature value of the heating source. The second controller controls the operation of the heating source in order to heat the substrate(10) with rapid annealing temperature value.

    Abstract translation: 目的:提供在线热处理设备和使用其的晶片热处理方法,以通过在高于衬底的应变点的高温下快速热处理衬底来提高多晶硅的结晶度。 构成:快速热退火部件包括快速高温退火单元(600),加热源(610)和第二控制器。 加热源安装在快速高温退火单元的内部。 第二控制器控制加热源的温度值。 第二控制器控制加热源的操作,以便以快速退火温度值加热基板(10)。

    기판 열처리 시스템
    37.
    发明公开
    기판 열처리 시스템 无效
    基板热处理系统

    公开(公告)号:KR1020100001118A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:KR1020080060914

    申请日:2008-06-26

    CPC classification number: H01L21/67207 H01L21/67098

    Abstract: PURPOSE: A substrate heat treatment system is provided to reduce a space and equipment by forming a chamber of a thermal treatment apparatus as a multi-layer structure without an additional transfer unit. CONSTITUTION: A heat treatment of substrate system comprises a thermal treatment unit(10) and a transfer unit(20). A thermal treatment unit includes at least one chamber(10a,10b,10c) with a heating unit(11a,11b,11c) for processing a substrate through thermal treatment. The transport unit is installed at the one side of the thermal treatment unit and supports the substrate before and after thermal treatment and transfers it. The chambers are deposited in a vertical direction, and the same process is performed in the chamber.

    Abstract translation: 目的:提供一种基板热处理系统,通过在没有附加转印单元的情况下,形成多层结构的热处理设备的腔室来减少空间和设备。 构成:衬底系统的热处理包括热处理单元(10)和转移单元(20)。 热处理单元包括具有加热单元(11a,11b,11c)的至少一个腔室(10a,10b,10c),用于通过热处理来处理衬底。 运输单元安装在热处理单元的一侧,并在热处理之前和之后支撑基板并将其传送。 腔室沿垂直方向沉积,并且在腔室中执行相同的过程。

    수직 증착형 마스크 제조장치
    38.
    发明授权
    수직 증착형 마스크 제조장치 有权
    用于制造垂直沉积掩模的装置

    公开(公告)号:KR100922046B1

    公开(公告)日:2009-10-19

    申请号:KR1020070118786

    申请日:2007-11-20

    Abstract: 본 발명은 증착이 수행되는 기판이 대면적화 됨에 따라 상기 기판과 대응되는 대면적 마스크를 제작할 때, 마스크 무게에 의한 처짐 현상을 방지하기 위하여 마스크 시트와 마스크 프레임을 지면으로부터 수직 상태로 용접시킬 수 있는 수직 증착형 마스크 제조장치를 제공함에 그 목적이 있다.
    상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 수직 증착형 마스크 제조장치는, 마스크 시트를 인장시켜 고정하는 인장 유닛과; 상기 마스크 시트 및 상기 마스크 시트의 둘레 영역에 밀착되는 마스크 프레임을 접합하는 용접수단이 포함되며,
    상기 인장 유닛은, 상기 마스크 시트를 지지하는 다수의 클램프와; 상기 다수의 클램프와 각각 연결되고, 상기 연결된 다수의 클램프에 인장력을 가하여 상기 클램프에 의해 고정된 마스크 시트를 평평하게 고정시키는 다수의 인장수단과; 상기 다수의 클램프 중 적어도 하나의 클램부를 상부 또는 하부로 이동시키키도록 상기 클램프의 일 측면에 클램프 위치 조절수단을 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.

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