公开(公告)号：KR101056429B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020100023506

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  이기용 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이탁영 ,  이동현 ,  이길원 ,  소병수 ,  정민재 ,  손용덕 ,  박승규 ,  정재완

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/0248

Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the decreasing of a semiconductor chip characteristic by static electricity which is generated in a manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer(136) is located on a substrate. A second semiconductor layer(137) is located on the substrate and is adjacent to a first semiconductor layer. The first insulation layer is located on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and includes a first opening part(161) which forms a space between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A second insulation layer is located on the first insulation layer and fills the first opening.

Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使制造工艺中产生的静电的半导体芯片特性的降低最小化。 构成：半导体层（136）位于衬底上。 第二半导体层（137）位于衬底上并与第一半导体层相邻。 第一绝缘层位于第一半导体层和第二半导体层上，并且包括在第一半导体层和第二半导体层之间形成空间的第一开口部分（161）。 第二绝缘层位于第一绝缘层上并填充第一开口。

公开(公告)号：KR1020100099618A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR1020100006482A

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：KR1020080066722

申请日：2008-07-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  나흥열 ,  이기용

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67742

Abstract: PURPOSE: An apparatus for adjusting a magnetization distance and magnetron sputtering equipment having the same are provided to prevent the magnetization of a target by separating the distance between a target and a magnetron. CONSTITUTION: A magnetron unit conveyor for magnetization prevention includes a magnetron unit(200) and a moving unit. The magnetron is arranged at the proximity of a target(130). The magnetron unit forms constant magnetic field. The target is formed with the metal. A movable unit is separated from a magnetron and the target by a certain interval to make magnetic filed in predetermined magnetic field.

Abstract translation: 目的：提供一种用于调整磁化距离的装置和具有该装置的磁控溅射装置，以通过分离靶和磁控管之间的距离来防止靶的磁化。 构成：用于防止磁化的磁控管单元输送机包括磁控管单元（200）和移动单元。 磁控管布置在目标（130）附近。 磁控管单元形成恒定的磁场。 目标与金属形成。 可移动单元与磁控管和目标物分开一定间隔以使磁场保持在预定的磁场中。

公开(公告)号：KR101146995B1

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：KR1020100057111

申请日：2010-06-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박승규 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  정윤모 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: A method of crystallizing a silicon layer and a method of manufacturing a TFT, the method of crystallizing a silicon layer including forming a catalyst metal layer on a substrate; forming a catalyst metal capping pattern on the catalyst metal layer; forming a second amorphous silicon layer on the catalyst metal capping pattern; and heat-treating the second amorphous silicon layer to form a polycrystalline silicon layer.

公开(公告)号：KR101137391B1

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：KR1020100026403

申请日：2010-03-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력 ,  정재완

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081

Abstract: 본 발명의 일 실시예는 이온 도핑 공정없이도 제조할 수 있는 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이의 제조 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR101117643B1

公开(公告)日：2012-03-05

申请号：KR1020100032337

申请日：2010-04-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 본발명은비정질실리콘막의결정화방법, 그리고이를적용한박막트랜지스터의제조방법및 이에의해제조된박막트랜지스터에관한것이다. 본발명의실시예에따른결정화방법은, 비정질실리콘막을형성하는단계, 비정질실리콘막위에서로이격되도록결정화촉매입자들을위치시키는단계, 비정질실리콘막에서결정화촉매입자들을선택적으로제거하는단계및 비정질실리콘막을열처리에의해결정화하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101117739B1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：KR1020100022944

申请日：2010-03-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이탁영 ,  박병건 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 온전류의 크기를 유지하면서 누설전류를 줄일 수 있는 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 기판; 양끝단의 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 인접한 저농도 도핑영역, 적어도 둘 이상의 채널영역, 상기 채널영역 사이의 고농도 도핑영역을 포함하는 상기 기판 위의 활성층; 상기 활성층 위의 게이트 절연막; 적어도 둘 이상의 개별 게이트 전극을 포함하고, 상기 개별 게이트 전극 아래에 채널영역이 위치하고, 최외각의 상기 개별 게이트 전극의 바깥쪽으로 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 위치한 상기 게이트 절연막 위의 다중 게이트 전극; 상기 다중 게이트 전극 위의 제1 층간 절연막; 및 상기 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110137086A

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：KR1020100057111

申请日：2010-06-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박승규 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  정윤모 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: PURPOSE: A method for forming a polycrystalline silicon layer and a method for forming a thin film transistor using the same are provided to control a leakage current and leakage current dissemination of the thin film transistor by controlling the location and number of a grain boundary within the polycrystalline silicon. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate(S110). A catalyst metal layer is formed on the buffer layer(S120). A first amorphous silicon layer is formed on the catalyst metal layer(S130). A catalyst metal capping pattern is formed by patterning the first amorphous silicon layer(S140). The thermal process is executed in 300-500°C range. The catalyst metal layer which is formed on a domain except for the catalyst metal capping pattern is eliminated when patterning the first amorphous silicon layer. A second amorphous silicon layer is formed on the catalyst metal capping pattern and the buffer layer(S150). The second amorphous silicon layer is crystallized by a thermal process(S160).

Abstract translation: 目的：提供一种形成多晶硅层的方法和使用其形成薄膜晶体管的方法，用于通过控制薄膜晶体管的位置和数量来控制薄膜晶体管的漏电流和漏电流散布 多晶硅。 构成：在衬底上形成缓冲层（S110）。 在缓冲层上形成催化剂金属层（S120）。 在催化剂金属层上形成第一非晶硅层（S130）。 通过图案化第一非晶硅层形成催化剂金属覆盖图案（S140）。 热处理在300-500°C范围内执行。 在图案化第一非晶硅层时，除去形成在催化剂金属封盖图案之外的畴上的催化剂金属层被消除。 在催化剂金属覆盖图案和缓冲层上形成第二非晶硅层（S150）。 通过热处理使第二非晶硅层结晶（S160）。

公开(公告)号：KR101073550B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.

公开(公告)号：KR101049802B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090112770

申请日：2009-11-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  소병수

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터, 그를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층의 금속촉매를 버퍼층으로 확산시키고, 상기 금속촉매층을 제거하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법에 관한 것이다.
그리고 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층을 포함하는 기판상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 버퍼층과 상기 반도체층이 접촉하는 계면에 금속실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 금속촉매

Abstract translation: 本发明的缓冲涉及制造多晶硅层，薄膜晶体管，有机发光显示装置，包括它们和它们的制备方法，并且更具体地提供基板，在基板上形成的缓冲层的方法; 上形成金属催化剂层，和涂布金属催化剂层到缓冲层中的金属催化剂，通过加热衬底，以多晶去除金属催化剂层，和缓冲器相和非晶硅层上的无定形硅层的硅 多晶硅层的层被结晶。