-
公开(公告)号：KR101155905B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090018490
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 정민재 , 홍종원 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 서진욱 , 안지수 , 양태훈 , 김영대 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 윤상현
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/042 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체-
公开(公告)号：KR101094307B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020100009718
申请日：2010-02-02
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: C23C16/00 , B05C11/00 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 표시 장치를 제조하기 위한 장치는 증착원, 상기 증착원으로부터 기판에 증착되는 증착 물질의 증착 두께를 산출하는 증착 두께 산출기, 및 상기 산출되는 증착 두께를 기준 두께와 비교하여 상기 증착원을 가열하는 히터의 전력을 조절하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 히터의 전력을 기판 단위 또는 상기 증착 물질이 증착되는 동안 일정 주기로 조절한다. 증착 속도를 측정하는 수성 진동자 센서에 포함될 수 있는 측정 노이즈의 영향을 최소화하고, 유기 발광 재료의 증착 두께의 분포를 감소시켜 증착 공정의 수율을 높이고 양질의 표시 장치를 생산할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101049801B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020090018927
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 서진욱 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 안지수 , 김영대 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 리사첸코,막심
IPC: H01L21/205 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C14/04 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。
-
公开(公告)号：KR101041143B1
公开(公告)日：2011-06-13
申请号：KR1020090033235
申请日：2009-04-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 백원봉 , 정재완
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단-
公开(公告)号：KR1020110019965A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077605
申请日：2009-08-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 정재완 , 소병수 , 백원봉 , 마이단축이반
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B01D8/00 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , Y02C20/30
Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.
Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101002661B1
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020080079003
申请日：2008-08-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: F27D11/12 , F27B9/20 , F27B9/36 , F27D9/00 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/67248 , H01L21/6776
Abstract: 본 발명은 인라인 열처리 설비를 제공한다. 상기 인라인 열처리 설비는 기판의 이송 경로를 형성하며, 상기 이송 경로를 따라 이송되는 기판을 기설정되는 결정화 온도값으로 가열하는 다수개의 가열 장치들과, 상기 가열 장치들 사이의 이송 경로에 위치되는 기판을 기설정되는 순간 열처리 온도값으로 가열하는 순간 고온 열처리부를 구비한다. 또한, 본 발명은 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법도 제공함으로써, 기판을 700도씨 이상의 고온 및 다양한 온도설계를 통한 고효율 열처리를 진행할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020100100186A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018927
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 서진욱 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 안지수 , 김영대 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 리사첸코,막심
IPC: H01L21/205 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C14/04 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。
-
公开(公告)号：KR1020100099917A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018490
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 정민재 , 홍종원 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 서진욱 , 안지수 , 양태훈 , 김영대 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 윤상현
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/042 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.
Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。
-
公开(公告)号：KR100947442B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020070118787
申请日：2007-11-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/12 , C23C14/042
Abstract: 본 발명은 증착이 수행되는 기판이 대면적화 됨에 따라 상기 기판과 대응되는 대면적 마스크를 제작할 때, 마스크 무게에 의한 처짐 현상을 방지하기 위하여 마스크 시트와 마스크 프레임를 지면으로부터 수직 상태로 용접시킬 수 있는 수직 증착형 마스크 제조장치 및 이를 이용한 수직 증착형 마스크의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 수직 증착형 마스크 제조장치는, 마스크 시트를 인장시켜 고정하는 인장 유닛과; 상기 마스크 시트 및 상기 마스크 시트의 둘레 영역에 밀착되는 마스크 프레임을 접합하는 용접수단이 포함되며,
상기 인장 유닛은, 상기 마스크 시트를 지지하는 다수의 클램프와; 상기 다수의 클램프와 각각 연결되고, 상기 연결된 다수의 클램프에 인장력을 가하여 상기 클램프에 의해 고정된 마스크 시트를 평평하게 고정시키는 다수의 인장수단이 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020100099618A
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.027 seconds)
