-
公开(公告)号：KR100829615B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060099014
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 균일한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 광산 발생제, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 조성물은 수지 4 내지 10중량%, 술포늄염 양이온부 및 하기 구조식 2로 표기되는 친수성 사이트인 카르복실기가 도입된 술포늄염 음이온부를 포함하는 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물 이용하면 균일한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020080032903A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020060099014
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , G03F7/039
Abstract: A hydrophilic photoacid generator is provided to be uniformly distributed in a photoresist film. A photoacid generator includes a sulfonium salt cation part represented by the following formula 1, and a sulfonium salt anion part having a carboxyl group as a hydrophilic site, which is represented by the following formula 2. In the formula 1, A, B, and C each independently comprise a cyclo group and a cycloalkyl group. In the formula 2, n is 1-3, and X comprises a C4-10 cyclo group, an adamantyl group, and a cycloheptane group comprising oxygen.
Abstract translation: 提供亲水性光致酸产生剂以均匀分布在光致抗蚀剂膜中。 光酸产生剂包括由下式1表示的锍盐阳离子部分和具有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子部分，其由下式2表示。在式1中，A，B和 C各自独立地包含环基和环烷基。 在式2中，n为1-3，X包括C 4-10环基，金刚烷基和含氧的环庚烷基。
-
公开(公告)号：KR1020080010759A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071225
申请日：2006-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/67098
Abstract: A method for forming a photoresist pattern is provided to be easily removed without generating residues in an ashing process following the formation of the photoresist pattern applicable as a mask during the ion implantation. A method for forming a photoresist pattern comprises the steps of: selectively exposing a photoresist pattern layer by projecting a beam having a mask image on a substrate applied thereon a photoresist layer; forming a preliminary photoresist pattern by developing the exposed photoresist; and finishing the preliminary photoresist pattern into the photoresist pattern by delaminating a protective group from the pre-photoresist pattern by performing a blank exposure for the pre-photoresist pattern.
Abstract translation: 提供了形成光致抗蚀剂图案的方法，以便在离子注入期间形成可用作掩模的光致抗蚀剂图案之后在灰化过程中不产生残留物而不产生残留物。 一种形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：通过在其上施加有光致抗蚀剂层的基板上投影具有掩模图像的光束来选择性地曝光光致抗蚀剂图案层; 通过显影曝光的光致抗蚀剂形成初步光致抗蚀剂图案; 以及通过对预光致抗蚀剂图案进行空白曝光，通过从预光致抗蚀剂图案剥离保护基，将初始光致抗蚀剂图案完成到光刻胶图案中。
-
公开(公告)号：KR1020080009970A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060069827
申请日：2006-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A photoresist developer is provided to reduce a process time, improve a production efficiency, and thus enhance productivity of a semiconductor production process. A photoresist developer includes 0.50-2.38wt% of a hydrogen-bonding compound, 0.01-5.00wt% of a surfactant, and the balance of an aqueous alkaline solution. The hydrogen-bonding compound comprises 4-(3-aminopropyl)morpholine represented by the following formula. A method for forming a photoresist pattern includes the steps of: selectively exposing a photoresist layer formed on a semiconductor substrate to a light; and developing the exposed photoresist layer using the photoresist developer.
Abstract translation: 提供光致抗蚀剂显影剂以减少处理时间，提高生产效率，从而提高半导体生产过程的生产率。 光致抗蚀剂显影剂包括0.50-2.38重量％的氢键合化合物，0.01-5.00重量％的表面活性剂，余量为碱性水溶液。 氢键化合物包含由下式表示的4-（3-氨基丙基）吗啉。 形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：将形成在半导体衬底上的光致抗蚀剂层选择性地暴露于光; 以及使用光致抗蚀剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂层。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160117818A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045423
申请日：2015-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은하부막상에반사방지막을형성하는것; 상기반사방지막상에포토레지스트패턴들을형성하는것; 상기포토레지스트패턴들을각각덮는보호패턴들을형성하는것; 상기보호패턴들로덮인상기포토레지스트패턴들을식각마스크로이용하여상기반사방지막을식각함으로써반사방지패턴들을형성하는것; 상기반사방지패턴들의측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 및상기반사방지패턴들을제거하는것을포함할수 있다.
-
37.发明授权
公开(公告)号：KR101585992B1
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020080129565
申请日：2008-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 반사방지코팅용고분자, 반사방지코팅용조성물및 이를이용한반도체장치의패턴형성방법에있어서, 반사방지코팅용조성물은기판상에염기성작용기를포함하는제1 반복단위, 흡광성작용기를포함하는제2 반복단위및 가교결합작용기를포함하는제3 반복단위를구비하는반사방지코팅용고분자, 광산발생제, 가교제및 용매를포함한다. 측쇄에염기성작용기가화학적으로결합된반사방지코팅용고분자를이용함으로써반사방지코팅막내에서의산의확산을적절히조절하여프로파일이우수한패턴을형성할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101585996B1
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020090034066
申请日：2009-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 포토레지스트조성물, 이를이용한미세패턴의형성방법및 반도체장치의제조방법에있어서, 기판상에, (a) (a-1) 지방족탄화수소주쇄및 산소를헤테로원자로가지고 3개이상의수산기로치환된헤테로싸이클릭고리를포함하는측쇄로이루어지는친수성제1 반복단위, 및 (a-2) 지방족탄화수소주쇄및 불소화된지방족탄화수소기를포함하는측쇄로이루어지는소수성제2 반복단위를포함하는고분자성포토레지스트첨가제, (b) 산분해성보호기를측쇄에포함하는고분자, (c) 광산발생제및 (d) 용매를포함하는포토레지스트조성물을도포하여포토레지스트막을형성한다. 포토레지스트막을노광한후에, 포토레지스트막을현상액을사용하여현상하여포토레지스트패턴을형성할수 있다. 패턴의해상도를높일수 있고, 포토레지스트잔류물로인한패턴결함을줄일수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.021 seconds)
