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    반도체 기판의 건조방법
    31.
    发明公开
    반도체 기판의 건조방법 无效
    干燥半导体基板的方法

    公开(公告)号：KR1020080062186A

    公开(公告)日：2008-07-03

    申请号：KR1020060137655

    申请日：2006-12-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김영옥 ,  홍창기 ,  이근택 ,  한정남 ,  이효산 ,  오정민

    IPC: H01L21/304

    Abstract: A method of drying a semiconductor substrate is provided to prevent a water mark from being formed on a surface of the substrate by substituting deionized water by isopropyl alcohol. An isopropyl alcohol solution is heated by a drying temperature to generate isopropyl alcohol vapor, and then a drying atmosphere having isopropyl alcohol vapor of 0.02 to 0.1 volume% is formed. A semiconductor substrate(200) is provided under the drying atmosphere while the drying temperature is maintained. The drying temperature is 120 to 150 °C, and the semiconductor substrate is provided at a speed of 1 to 6 mm/s. Deionized water is substituted by isopropyl alcohol on the semiconductor substrate.

    Abstract translation: 提供一种干燥半导体衬底的方法，以通过用异丙醇代替去离子水来防止在衬底的表面上形成水痕。 异丙醇溶液在干燥温度下加热，生成异丙醇蒸气，形成异丙醇蒸气0.02〜0.1体积％的干燥气氛。 在干燥气氛下设置半导体基板（200），同时保持干燥温度。 干燥温度为120〜150℃，以1〜6mm / s的速度设置半导体基板。 去离子水由半导体衬底上的异丙醇代替。

    기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
    33.
    发明公开
    기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 审中-实审
    基材清洁方法和用于执行该方法的设备

    公开(公告)号：KR1020170128801A

    公开(公告)日：2017-11-24

    申请号：KR1020160059285

    申请日：2016-05-16

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김석훈 ,  김경섭 ,  김동철 ,  이효산

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  B08B3/024 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67253

    Abstract: 기판세정방법에따르면, 기판의표면으로제 1 위치로부터제 1 방향을따라보호액을분사할수 있다. 상기기판의표면으로세정액을토출할수 있다. 상기기판의표면으로상기제 1 위치와다른제 2 위치로부터제 2 방향을따라상기보호액을분사할수 있다. 제 1 방향은상기기판의중앙부로부터상기기판의제 1 가장자리부를향하는방향일수 있다. 제 2 방향은상기기판의중앙부로부터상기제 1 가장자리부의반대인상기기판의제 2 가장자리부를향하는방향일수 있다. 따라서, 보호액을항상기판의중앙부로부터가장자리부를향해분사할수 있으므로, 기판상의패턴을보호할수 있다.

    Abstract translation: 根据基板清洁方法，保护液可以沿着第一方向从第一位置喷射到基板的表面。 清洁液可以排放到基材的表面上。 保护液体可以从不同于第一位置的第二位置沿着第二方向喷射到衬底的表面上。 第一方向可以是从衬底的中心部分朝向衬底的第一边缘部分的方向。 第二方向可以是从基板的中心部分朝向与第一边缘部分相对的基板的第二边缘部分的方向。 因此，由于保护液总是能够从基板的中央部分向边缘部分注入，所以能够保护基板上的图案。

    반도체 세정 공정 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법
    34.
    发明公开
    반도체 세정 공정 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    半导体清洁制程系统及制造半导体装置的方法

    公开(公告)号：KR1020170029758A

    公开(公告)日：2017-03-16

    申请号：KR1020150126736

    申请日：2015-09-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 오정민 ,  박미현 ,  김인기 ,  정지훈 ,  김석훈 ,  이효산

    IPC: H01L21/02 ,  H01L51/00 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017

    Abstract: 반도체세정공정시스템은반도체기판이로딩되는공정챔버, 공정챔버내부로유기불화물, 유기산및 유기용매를포함하는세정액을공급하는세정액공급부, 공정챔버로부터배출된세정액을회수하는회수부, 회수부에수집된회수액의불소농도를측정하는제1 농도측정부, 및상기제1 농도측정부에의해측정된상기불소농도에따라상기세정액공급부에상기유기불화물을보충하는서브-세정액공급부를포함한다.

    Abstract translation: 半导体清洗处理系统被收集到回收单元，用于回收从清洗液供给部排出的清洗液回收部，用于供给含有有机氟化物，有机酸和有机溶剂到所述处理室中的清洗液中的处理室，所述处理室是半导体衬底装载 以及副清洁液体供应单元，用于根据由第一浓度测量单元测量的氟浓度向清洁液体供应单元供应有机氟化物。

    기판 처리 방법
    35.
    发明公开
    기판 처리 방법 审中-实审
    底物处理方法

    公开(公告)号：KR1020170029063A

    公开(公告)日：2017-03-15

    申请号：KR1020150125595

    申请日：2015-09-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정지훈 ,  오정민 ,  이근택 ,  이효산

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

    Abstract: 본발명은기판처리방법을개시한다. 그의방법은, 선행기판을세정하는단계와선행기판을건조하고후속기판을세정하는단계를포함한다. 선행기판을건조하는단계와후속기판을세정하는단계는선행기판의건조를시작한후의일정시점을후속기판의세정시작시점으로판단하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 在实施例中，该方法包括清洗前面的衬底，干燥前面的衬底并清洁下一个衬底。 干燥前面的衬底并清洁下一个衬底包括确定下一个衬底的清洁开始时间，并且清洁开始时间对应于在开始干燥前面的衬底之后的期望时间点。

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    36.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020170027919A

    公开(公告)日：2017-03-13

    申请号：KR1020150124255

    申请日：2015-09-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김경환 ,  김인기 ,  박미현 ,  김영후 ,  박의순 ,  오정민 ,  이근택 ,  이효산

    IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 인산수용액및 실리콘화합물을포함하는약액을이용하여기판을처리하는기판처리유닛및 상기기판처리유닛으로상기약액을공급하는약액공급유닛을포함하되, 상기약액공급유닛은, 상기약액을샘플링하여상기약액의농도를측정하는농도측정부를포함하되, 상기농도측정부는약액의수분의농도를측정하는제 1 농도측정부및 상기약액의실리콘의농도를측정하는제 2 농도측정부를포함한다.

    Abstract translation: 一种基板处理装置和基板处理方法，该装置包括使用化学溶液处理基板的基板处理器，所述化学溶液包括磷酸水溶液和硅化合物; 以及向所述基板处理单元供给所述化学溶液的化学溶液供给体，所述化学溶液供给体包含测定所述化学溶液浓度的浓度测定器，所述浓度测定器包括测定所述化学溶液的水浓度的第一浓度测定器 ; 以及测量化学溶液的硅浓度的第二浓度测量器。

    커패시터의 제조 방법
    38.
    发明授权
    커패시터의 제조 방법 有权
    制造电容器的方法

    公开(公告)号：KR101651404B1

    公开(公告)日：2016-08-29

    申请号：KR1020090130973

    申请日：2009-12-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강대혁 ,  심우관 ,  이효산 ,  윤보언 ,  이근택

    IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

    Abstract: 반도체장치의제조에이용될수 있는커패시터의제조방법에있어서, 콘택영역을포함하는기판상에제1 실리콘산화물을사용하여제1 몰드막을형성한다. 제1 몰드막상에제1 실리콘산화물과상이한제2 실리콘산화물을사용하여예비제1 지지막패턴을형성한다. 예비제1 지지막패턴및 제1 몰드막상에제2 실리콘산화물과상이한제3 실리콘산화물을사용하여제2 몰드막을형성한다. 제1 몰드막, 예비제1 지지막패턴및 제2 몰드막을식각하여개구및 제1 지지막패턴을형성하고, 개구상에하부전극을형성한다. 식각공정을수행하여제1 및제2 몰드막패턴을선택적으로제거하여구조적으로안정하면서높은종횡비를가지는커패시터를제조할수 있다.

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