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    파장 변환 소자의 제조 방법 및 파장 변환 소자
    32.
    发明公开
    파장 변환 소자의 제조 방법 및 파장 변환 소자 有权
    波长转换器制造方法和波长转换器

    公开(公告)号：KR1020100018465A

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：KR1020090071298

    申请日：2009-08-03

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02

    CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

    Abstract: PURPOSE: A wavelength converter and a manufacturing method thereof are provided to reduce loss the loss of a transmittance at the interface of a first and a second crystallization by controlling a reflection at the interface of the first and the second crystallization. CONSTITUTION: An wavelength conversion element(10a) comprises an optical waveguide(13). The optical waveguide radiates an outgoing light(102) to the other terminal(13b) by changing the wavelength of an incident light(101) of one side terminal(13a). The wavelength conversion element comprises a first crystallization(11) and a second crystallization(12). The first and the second crystallizations have the polarization inversion structure periodically inverting according to the optical waveguide. The polarization inversion structure satisfies a quasi-phase matching condition for an incident light.

    Abstract translation: 目的：提供一种波长转换器及其制造方法，以通过控制在第一和第二结晶的界面处的反射来减少在第一和第二结晶界面处的透射损失。 构成：波长转换元件（10a）包括光波导（13）。 光波导通过改变一侧端子（13a）的入射光（101）的波长而将出射光（102）辐射到另一端子（13b）。 波长转换元件包括第一结晶（11）和第二结晶（12）。 第一和第二结晶具有根据光波导周期性地反转的偏振反转结构。 偏振反转结构满足入射光的准相位匹配条件。

    질화갈륨 결정을 제작하는 방법 및 질화갈륨 웨이퍼
    33.
    发明公开
    질화갈륨 결정을 제작하는 방법 및 질화갈륨 웨이퍼 无效
    制造氮化镓晶体和氮化铝膜的方法

    公开(公告)号：KR1020090008321A

    公开(公告)日：2009-01-21

    申请号：KR1020087027015

    申请日：2007-04-24

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 우에무라도모키 ,  사쿠라다다카시 ,  후지와라신스케 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  나카하타히데아키

    IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

    Abstract: This invention provides a method for manufacturing a gallium nitride crystal, which, when a gallium nitride crystal is grown using a gallium nitride substrate including a translocation aggregation region and an inversion region is used as a seed crystal substrate, can manufacture a gallium nitride crystal, which has low translocation density and, at the same time, has good crystallinity and, in addition, is less likely to cause cracking upon polishing after slicing. In embedding the translocation aggregation region and the inversion region (17a) for growth of a gallium nitride crystal (79), the gallium nitride crystal (79) is grown at a growth temperature of above 1100°C and 1300°C or below. According to this constitution, the translocation taken from the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be reduced, and the occurrence of new translocation on the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be suppressed. Good crystallinity of the gallium nitride crystal (79) can be realized, and, at the same time, cracking is less likely to occur in polishing after slicing of the gallium nitride crystal (79).

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造氮化镓晶体的方法，当使用包含易位聚集区域的氮化镓衬底和反转区域来生长氮化镓晶体作为晶种衬底时，可以制造氮化镓晶体， 其易位密度低，同时具有良好的结晶度，另外在切片后不太可能引起研磨时的开裂。 在嵌入用于氮化镓晶体（79）的生长的易位聚集区域和反转区域（17a）中，氮化镓晶体（79）在高于1100℃和1300℃以下的生长温度下生长。 根据该构成，可以减少从易位聚集区域和反转区域（17a）取得的移位，能够抑制易位聚集区域和反转区域（17a）的新易位化。 可以实现氮化镓晶体（79）的良好的结晶度，并且同时在氮化镓晶体（79）切割之后的抛光中也不太可能发生裂纹。

    변압 장치
    36.
    发明公开
    변압 장치 审中-实审
    变压器

    公开(公告)号：KR1020160057379A

    公开(公告)日：2016-05-23

    申请号：KR1020167001245

    申请日：2014-08-29

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸

    Inventor： 나카하타히데아키 ,  히로츠겐이치 ,  시가노부오 ,  오히라다카시 ,  야마다쿄헤이 ,  에가시라다이야

    IPC: H02M5/293 ,  H02M7/537 ,  H02M1/00

    CPC classification number: H02M5/12 ,  H02M3/06 ,  H02M5/06 ,  H02M5/293

    Abstract: 전원과부하사이에설치되어, 입력에대한출력의극성을교대로반전시키는스위칭을행하는기능을각각이갖는전단회로및 후단회로를구비하고있는변압장치로서, 전단회로및 후단회로의적어도한쪽에설치되고, 한쌍의리액턴스소자를접속점에서상호직렬로접속하여이루어지는직렬체와, 직렬체의양끝을제1 포트로한 경우에, 직렬체의일단과접속점사이및 직렬체의타단과접속점사이를, 스위칭에의해교대로또한극성을반전시키면서, 제2 포트로서, 제1 포트에서제2 포트로의전력의전송및 제2 포트에서제1 포트로의전력의전송중 어느한쪽을실행하는스위치장치를구비한것이다.

    Abstract translation: 变压器设置在电源和负载之间，并且包括前级电路和后级电路，每个电路具有执行开关的功能，以便相对于输入交替地反转输出的极性。 变压器还包括：串联单元，设置在前级电路和后级电路中的至少一个中，并且由通过连接点彼此串联连接的一对电抗元件构成; 以及开关装置，其中串联单元的两端用作第一端口，使得串联单元的一端和连接点之间的部分和串联单元的另一端与连接点之间的部分， 在反转极性的同时通过切换交替地用作第二端口，并执行从第一端口到第二端口的电力传输之一，以及从第二端口到第一端口的电力传输。

    질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정
    39.
    发明公开
    질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정 无效
    用于生产氮化物半导体晶体的装置，用于生产氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体

    公开(公告)号：KR1020110122090A

    公开(公告)日：2011-11-09

    申请号：KR1020117001411

    申请日：2010-01-20

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

    IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

    CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

    Abstract: 본 발명은, 내구성을 가지며, 또한 도가니의 외부로부터 불순물이 혼입되는 것을 억제한 질화물 반도체 결정을 제조하기 위한 질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정을 제공한다. 질화물 반도체 결정의 제조 장치(100)는 도가니(101)와, 가열부(125)와, 피복부(110)를 구비한다. 도가니(101)에는 원료(17)가 내부에 배치된다. 가열부(125)는 도가니(101)의 외주에 배치되며, 도가니(101)의 내부를 가열한다. 피복부(110)는 도가니(101)와 가열부(125) 사이에 배치된다. 피복부(110)는, 도가니(101)에 대향하는 측에 형성되며 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어지는 제1층(111)과, 제1층(111)의 외주측에 형성되며 제1층(111)을 구성하는 금속의 탄화물로 이루어지는 제2층(112)을 포함한다.

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