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公开(公告)号：KR1020130123919A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120047440
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/00 , C23C16/409 , C23C16/45525
Abstract: The present invention relates to a strontium precursor which is represented by chemical formula 1, is thermally stable, and has good volatility, thereby easily forming a thin film including good quality strontium. In chemical formula 1, each of R1, R2, R3, R4, and R5 is independently H or a C1-C10 linear or branched alkyl group; each of R6 and R7 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锶前体，其热稳定性良好，挥发性良好，容易形成包含质量好的锶的薄膜。 在化学式1中，R 1，R 2，R 3，R 4和R 5各自独立地为H或C 1 -C 10直链或支链烷基; R6和R7各自独立地为C1-C10直链或支链烷基或C1-C10烷基氟基团。
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公开(公告)号：KR1020130091493A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020120012817
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G06F3/041 , C01B32/182 , G06F2203/04103
Abstract: PURPOSE: Graphene touch panel and a manufacturing method thereof using a pattern graphene are provided to simply and easily manufacture a touch panel with a low cost and a large area by bonding a pattern graphene layer on an organic insulator. CONSTITUTION: A graphene pattern layer (208) is patterned using polymer stamp and organic solvent, and is transfer-printed on a base substrate (202). An organic insulator (204) is bonded on the graphene pattern layer and the pattern graphene layer is formed on the organic insulator. The base substrate is a glass or a plastic substrate and the plastic substrate is one of polyethylene terephthalate (PET), poly ethylene naphatalate (TEN), poly ethersulfone (PES) and poly carbonate (PC).
Abstract translation: 目的：使用图案石墨烯的石墨烯触摸面板及其制造方法被提供为通过在有机绝缘体上结合图案石墨烯层来简单且容易地制造具有低成本和大面积的触摸面板。 构成：使用聚合物印模和有机溶剂对石墨烯图案层（208）进行图案化，并且转印印刷在基底（202）上。 有机绝缘体（204）接合在石墨烯图案层上，并且在有机绝缘体上形成图形石墨烯层。 基底是玻璃或塑料基片，塑料基片是聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），聚萘二甲酸乙二醇酯（TEN），聚醚砜（PES）和聚碳酸酯（PC）之一。
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公开(公告)号：KR101242772B1
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020110000493
申请日：2011-01-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 아미노 알콕사이드 리간드를 갖는 신규의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Bi[OA-NR
1 R
2 ]
3
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 C
1 -C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]
본 발명에 따르는 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물은 비스무트 전구체로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 비스무트를 포함하는 물질의 박막의 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 비스무트 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120121194A
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020110039028
申请日：2011-04-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: PURPOSE: A novel antimony aminoalkoxide compound is provided to bind with oxygen ligand and to manufacture a thin film containing the antimony and to ensure excellent thermal stability and volatility. CONSTITUTION: An antimony aminoalkoxide compound is denoted by chemical formula 1(Sb[O-A-NR1R2]3). A compound of chemical formula 1 is denoted by chemical formula 2(Sb[O-CR3R4(CH2)m-NR1R2]3). A method for preparing the antimony amino alkoxide compounds comprises a step of reacting antimony halide compounds of chemical formula 3(SbX3) and alcohol alkali metal salt of chemical formula 4(M[O-A-NR1R2]). A method for forming a thin film comprises a step of forming a thin film containing antimony using an antimony amino alkoxide compounds as a precursor.
Abstract translation: 目的：提供新型的锑氨基烷氧基化合物与氧配位体结合并制造含有锑的薄膜，并确保优异的热稳定性和挥发性。 构成：化学式1（Sb [O-A-NR1R2] 3）表示锑氨基烷氧基化合物。 化学式1的化合物由化学式2（Sb [O-CR 3 R 4（CH 2）m -NR 1 R 2] 3）表示。 制备锑氨基醇盐化合物的方法包括使化学式3（SbX 3）的卤化锑化合物与化学式4的醇碱金属盐（M [O-A-NR1R2]）反应的步骤。 形成薄膜的方法包括使用锑氨基醇盐化合物作为前体形成含有锑的薄膜的步骤。
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公开(公告)号：KR101187353B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100014231
申请日：2010-02-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 인듐 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 인듐 디알킬글리신 화합물에 관한 것으로 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 신규의 인듐 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1-C5의 알킬기이다.]-
Patent Agency Ranking36.发明授权
公开(公告)号：KR101164797B1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020090082043
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 태양광을 이용한 태양전지의 광흡수층 물질로 널리 사용되고 있는 CI(G)S(CuIn
x Ga
1-x Se
2 ; 0＜x≤1)나노입자의 제조방법에 관한 것으로 본 발명은 고가이면서 유해성이 강한 용매를 사용하지 않고, 수계용매와 카르복시산 유도체를 이용하는 환경친화적 제조방법이며, 고온의 반응온도를 필요로 하지 않으므로 CI(G)S나노입자의 제조단가를 최저로 할 수 있는, 대량생산에 적합한 것을 특징으로 한다.
CIGS나노입자 합성, 수계반응, 카르복시산, 저온저가공정-
公开(公告)号：KR1020120058762A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100120197
申请日：2010-11-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F9/00 , C07C211/65 , C23C16/40
CPC classification number: C07F9/00 , C23C16/405 , C23C16/45525
Abstract: PURPOSE: A tantalic compound and a method for preparing the same are provided to ensure excellent thermal stability and volatility. CONSTITUTION: A tantalic compound is denoted by chemical formula 1(R1N=Ta[O-A-NR2R3]x[R4]3-x), 2(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R11]3-x), or 3(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R12]3-x). The tantalic compound is Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Cl or Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Me. A method for preparing the tantanlic compounds comprises a step of reacting tantalic compounds of chemical formula 4(R1N=TaR113Py2) with metal amino alkoxide of chemical formula 5(MO-A-NR2R3).
Abstract translation: 目的：提供钽酸盐化合物及其制备方法以确保优异的热稳定性和挥发性。 构成：化学式1（R1N = Ta [OA-NR2R3] x [R4] 3-x），2（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R11] 3 -x）或3（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R12] 3-x）。 钽（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Cl或Ta（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Me的钽酸盐化合物。 制备钽酸钡化合物的方法包括使化学式4（R1N = TaR113Py2）的钽酸化合物与化学式5的金属氨基醇盐（MO-A-NR2R3）反应的步骤。
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公开(公告)号：KR101083103B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100038772
申请日：2010-04-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신 유도체를 이용한 신규의 알칼리 토금속 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 토금속 화합물에 관한 것이다.
[화학식 1]
본 발명에 따른 알칼리 토금속 화합물은 금속 산화물 박막 및 금속 산화물 나노입자 형성을 위한 전구체로 사용되며, 수분에 덜 민감하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 우수한 특성이 있다.-
公开(公告)号：KR101069540B1
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020090023020
申请日：2009-03-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , B01J23/755 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은유기니켈전구체를이용하여니켈카바이드나노입자의제조방법에관한것으로, 상세하게는자체열분해가가능한아미노알콕시니켈착화합물또는니켈아미노산화합물을전구체로이용하여열분해법에의해니켈카바이드(NiC) 나노입자를제조하는방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020100129591A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020090048234
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC classification number: C07F7/1804 , C23C16/24 , C23C16/401 , C23C16/45525 , H01L21/2053
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a novel silicon alkoxide compound is provided to ensure volatile characteristic at low temperature and to use as a silicon ingredient. CONSTITUTION: A silicon alkoxide compound is denoted by chemical formula 1. The silicon alkoxide compound is prepared by reacting alkali metal salt of chemical formulas 5(M^2O-A^2-OR^3) and 4(M^1O-A^1-OR^1) with a silicon compound of chemical formula 3([R^4]3-a-bX^1bX^2aSi-SiX^1nX^2m[R^2]3-n-m). A silicon-containing thin film is produced using the silicon alkoxide compound as a precursor. The silicon-containing thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) or atom layer deposition(ALD).
Abstract translation: 目的：提供一种制备新的硅烷氧化物化合物的方法，以确保低温下的挥发性特征并用作硅成分。 构成：硅烷氧化物化合物由化学式1表示。硅烷氧化物化合物通过使化学式5（M 2 O-A 2 2- OR 3）和4（M 1 O-A ^ 1-OR 1）与化学式3的硅化合物（[R 4] 3-a-bX 1，1b 3）2 Si-SiX 1 1 X 2 2 [[R 2] 3-nm）反应。 使用硅醇盐化合物作为前体制造含硅薄膜。 含硅薄膜由金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）形成。
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