公开(公告)号：DE102010060272A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：DE102010060272

申请日：2010-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  STEINER RAINER ,  ROBL WERNER ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

公开(公告)号：DE102010000904A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：DE102010000904

申请日：2010-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ROBL WERNER ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: H01L29/82

Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein Spin-Bauelement eine Zwischenhalbleiterregion, die zwischen einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss angeordnet ist, wobei der erste Anschluss angepasst ist, um einen Strom mit einem ersten Grad einer Spin-Polarisation an die Zwischenhalbleiterregion zu liefern, und wobei der zweite Anschluss angepasst ist, um den Strom mit einem zweiten Grad einer Spin-Polarisation auszugeben. Das Spin-Bauelement umfasst ferner eine spinselektive Streustruktur, die an die Zwischenhalbleiterregion angrenzt, wobei die spinselektive Streustruktur derart angepasst ist, dass der erste Grad einer Spin-Polarisation zu dem zweiten Grad verändert wird, wobei die spinselektive Streustruktur eine Steuerelektrode aufweist, die elektrisch von der Zwischenhalbleiterregion isoliert ist, und wobei die Steuerelektrode angepasst ist, um ein elektrisches Feld, das senkrecht zu einer Richtung des Stroms durch die Zwischenhalbleiterregion ist, anzulegen, um einen Betrag des Stroms zu steuern.

公开(公告)号：DE10027914B4

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：DE10027914

申请日：2000-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DAHL CLAUS ,  ROBL WERNER ,  ROEHNER MICHAEL ,  GSCHWANDTNER ALEXANDER ,  JURK REINHARD ,  THEWES ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

公开(公告)号：DE10354937A1

公开(公告)日：2004-06-17

申请号：DE10354937

申请日：2003-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROBL WERNER ,  SEITZ MIHEL ,  GOEBEL THOMAS ,  MALIK RAJEEV

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/285

Abstract: A method of forming a semiconductor device includes providing a semiconductor device including a conductor formed thereon. A dielectric layer is formed over the conductor and a recess is formed in the dielectric layer by removing a portion of the dielectric layer to expose at least a portion of the conductor. A first layer of aluminum is deposited over the top surface of the dielectric, along the sidewalls of the dielectric layer and over the exposed portion of the conductor without altering the temperature of the semiconductor device. A second layer of aluminum is deposited over the first layer of aluminum at a temperature greater than about 300° C. A third layer of aluminum is deposited over the second layer of aluminum so as to completely fill the recess in the dielectric layer. The third layer of aluminum is slow deposited at a temperature greater than about 300° C.

公开(公告)号：DE10311368A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：DE10311368

申请日：2003-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROBL WERNER ,  BRINTZINGER AXEL ,  FRIESE GERALD ,  GOEBEL THOMAS

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/28

Abstract: Disclosed is a method of ball grid array packaging, comprising the steps of providing a semiconductor die having a metal conductors thereon, covering said metal conductors with an insulative layer, etching through said insulative layer so as to provide one or more openings to said metal conductors, depositing a compliant material layer, etching through said compliant material layer so as to provide one or more openings to said metal conductors, depositing a substantially homogenous conductive layer, patterning said conductive layer so as to bring at least one of said metal conductors in electrical contact with one or more pads, each said pad comprising a portion of said conductive layer disposed upon said compliant material, and providing solder balls disposed upon said pads. Also disclosed is the apparatus made from the method.