公开(公告)号：DE102015118633A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102015118633

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JUERGEN ,  HOIER MAGDALENA

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfassend ein Direct Copper Bonded (DCB) Substrat, umfassend ein Keramiksubstrat, eine erste an die erste Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gebondete Kupfermetallisierung und eine zweite an die zweite Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gegenüber der ersten Hauptoberfläche gebondete Kupfermetallisierung; Das Leistungshalbleitermodul umfasst weiterhin einen mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenen Leistungshalbleiterchip, ein mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenes passives Bauelement, eine erste Isolationsschicht, welche den Leistungshalbleiterchip und ein passives Bauelement einkapselt, eine erste strukturierte Metallisierungsschicht auf der ersten Isolationsschicht und eine erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen, die sich durch die erste Isolationsschicht aus der ersten Metallisierungsschicht zum Leistungshalbleiterchip und dem passiven Bauelement erstrecken. Ein integriertes Leistungsmodul und ein Verfahren zur Herstellung des integrierten Leistungsmoduls werden ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102014113498A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102014113498

申请日：2014-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  FURTNER WOLFGANG

IPC: G01R19/00 ,  B81B7/02 ,  G01R1/20 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522

Abstract: Die elektronische Vorrichtung zum Abtasten einer Stromstärke umfasst einen Halbleiterchip, der eine erste Hauptfläche umfasst, eine elektronische Schaltung, die in den Halbleiterchip integriert ist, eine Umverteilungsmetallisierungsschicht, die über der Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet ist, einen Strompfad, der in der Umverteilungsmetallisierungsschicht ausgebildet ist, wobei der Strompfad einen Widerstand ausbildet, der an zwei widerstandsdefinierenden Endpunkten mit der elektronischen Schaltung verbunden ist, um eine Stromstärke abzutasten, die durch den Strompfad fließt, und externe Kontaktelemente, die mit der Umverteilungsmetallisierungsschicht verbunden sind, um einen Strom, der abgetastet werden soll, in den Strompfad einzuspeisen.

公开(公告)号：DE102013114155B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102013114155

申请日：2013-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  KNOTT BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01F41/02 ,  H01F17/04 ,  H01L21/98 ,  H01L25/00 ,  H01L27/08 ,  H01L27/24

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Chipanordnung geschaffen, wobei das Verfahren aufweist: Anordnen zumindest eines Chips mit zumindest einem Kontaktpad auf einem ersten Teil eines Carriers; Herstellen eines Induktorkerns gemäß folgenden Verfahren: Ausbilden eines ersten elektrischen Leiters auf einer ersten Oberfläche eines plattenförmigen Magnetkerns; Ausbilden eines zweites elektrischen Leiters auf einer zweiten Oberfläche des plattenförmigen Magnetkerns, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt; und Ausbilden des Induktorkerns mittels Zerteilens des plattenförmigen Magnetkerns quer zu dem ersten elektrischen Leiter und dem zweiten elektrischen Leiter, wobei der Induktorkern nur auf zwei Seiten elektrische Leiter aufweist, Anordnen des Induktorkerns auf einem zweiten Teil des Carriers derart, dass die erste Oberfläche des zumindest einen Induktorkerns senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Carriers angeordnet ist; Kontaktieren des zumindest einen Kontaktpads mit einem von dem ersten oder zweiten elektrischen Leiter des Induktorkerns.

公开(公告)号：DE102014111829A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102014111829

申请日：2014-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  BEER GOTTFRIED ,  HOHLFELD OLAF ,  HÖGERL JÜRGEN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Das Halbleitermodul enthält einen Träger, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiter-Transistorchips, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiter-Diodenchips, eine über den Halbleiter-Transistorchips und den Halbleiter-Diodenchips angeordnete Kapselungsschicht und eine über der Kapselungsschicht angeordnete Metallisierungsschicht. Die Metallisierungsschicht enthält mehrere metallische Bereiche, die elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiter-Transistorchips und der Halbleiter-Diodenchips bilden.

公开(公告)号：DE102010000059B4

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：DE102010000059

申请日：2010-01-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD

IPC: H01L21/56

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Bereitstellen einer dielektrischen Schicht (1); Bereitstellen mindestens eines Halbleiterchips (2), der eine erste Oberfläche mit zwei räumlich voneinander getrennten elektrischen Kontaktelementen und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche definiert; Anordnen des Halbleiterchips (2) auf der dielektrischen Schicht (1), wobei die erste Oberfläche der dielektrischen Schicht zugewandt ist; Aufbringen eines Einkapselungsmaterials (3) über der zweiten Oberfläche des Halbleiterchips in einer Arbeitszone in einem Spule-zu-Spule-Prozess; und Vorhärten und/oder Härten der erhaltenen Struktur in der Arbeitszone nach dem Aufbringen des Einkapselungsmaterials (3), wobei eine obere Oberfläche eines Rades (5, 15) mit einem Radius R und ein Bereich über der oberen Oberfläche die Arbeitszone bilden, wobei der Radius R so gewählt ist, dass ein durch verschiedene Wärmeausdehnungskoeffizienten der Halbleitervorrichtung verursachtes Verziehen kompensiert wird.

公开(公告)号：DE102011053161A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Führen von elektrischen Verbindungen von mehreren Chips offenbart. In einer Ausführungsform wird eine Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Halbleiterchip, mindestens einer Leitungsführungsebene mit mindestens einer Leitungsführungsleitung und mindestens einer Verbindungsleitung, die mit der mindestens einen Leitungsführungsleitung und dem mindestens einen Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist, geschaffen.

公开(公告)号：DE102011001844A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：DE102011001844

申请日：2011-04-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEINER RAINER ,  POHL JENS ,  ROBL WERNER ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Halbleiterchip (31) enthalt ein Kontaktpad (31A) auf einer Hauptoberflache des Chips (31). Eine elektrisch leitende Schicht (31B) wird auf dem Kontaktpad (31A) aufgebracht. Die Hauptoberfläche des Halbleiterchips (31) ist mit einer Isolierschicht (32) bedeckt. Ein elektrisch leitender Kontaktbereich (33) ist innerhalb der Isolierschicht (32) derart ausgebildet, dass der Kontaktbereich (33) und die Isolierschicht (32) koplanare exponierte Oberflachen enthalten und der Kontaktbereich (33) elekverbunden ist und eine Erstreckung enthält, die größer ist als die Erstreckung der elektrisch leitenden Schicht (31B) entlang einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (31).

公开(公告)号：DE102010060272A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：DE102010060272

申请日：2010-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  STEINER RAINER ,  ROBL WERNER ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

公开(公告)号：DE102009044961A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102009044961

申请日：2009-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  KOERNER HEINRICH ,  POHL JENS

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/66

Abstract: Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating the system on chip includes forming a through substrate opening from a back surface of a substrate, the through substrate opening disposed between a first and a second region, the first region comprising devices for RF circuitry and the second region comprising devices for other circuitry. The method further includes forming patterns for redistribution lines on a photo resist layer, the photo resist layer disposed under the back surface, and filling the through substrate opening and the patterns for redistribution lines with a conductive material.

公开(公告)号：DE102009044956A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102009044956

申请日：2009-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  NAGY OLIVER ,  POHL JENS

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60

Abstract: Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, the system on a chip includes an RF component disposed on a first part of a substrate, a semiconductor component disposed on a second part of the substrate, the semiconductor component and the RF component sharing a common boundary. The system on chip further includes through substrate conductors disposed in the substrate, the through substrate conductors coupled to a ground potential node, the through substrate conductors disposed around the RF component forming a fence around the RF circuit.