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    31.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004037348A1

    公开(公告)日：2006-03-16

    申请号：DE102004037348

    申请日：2004-08-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BREDERLOW RALF ,  HEISS HEINRICH ,  MARTIN ALFRED ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: B81B7/00 ,  B01F11/02 ,  B01L3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N33/48

    Abstract: The invention relates to a fluid transporting device comprising a substrate, a first electroconductive layer applied to the substrate, a piezoelectric layer applied to the first electroconductive layer, a second electroconductive layer applied to the piezoelectric layer, a fluid transporting region along which a supplied fluid can be displaced, and a control unit by which means electrical control signals can be fed to the first electroconductive layer and the second electroconductive layer, said signals enabling the piezoelectric layer to be stimulated in such a way that a force for displacing the fluid along the fluid transport region can be generated on the supplied fluid.

    33.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE59810292D1

    公开(公告)日：2004-01-08

    申请号：DE59810292

    申请日：1998-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DRAXELMAYR DIETER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: G01D5/24 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  G01L27/00 ,  G01M17/007

    Abstract: A sensor, in particular a micromechanical pressure sensor, has two identical capacitive partial structures coupled to an evaluation circuit. In the case of in-phase driving, an additive signal is present as a pressure-dependent useful signal. In the case of in-antiphase driving, a difference signal is present as a diagnostic signal.

    Spin-Bauelement
    36.
    发明专利
    Spin-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010000904B4

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：DE102010000904

    申请日：2010-01-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ROBL WERNER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: H01L29/82 ,  B82Y25/00 ,  G11C15/02 ,  H01F10/32

    Abstract: Spin-Bauelement (100; 100'; 100''), das folgende Merkmale aufweist: eine Zwischenhalbleiterregion (120), die zwischen einem ersten Anschluss (130) und einem zweiten Anschluss (140) angeordnet ist, wobei der erste Anschluss angepasst ist, um einen Strom mit einem ersten Grad einer Spin-Polarisation an die Zwischenhalbleiterregion zu liefern, wobei der zweite Anschluss angepasst ist, um den Strom nach Durchlaufen der Zwischenhalbleiterregion mit einem zweiten Grad einer Spin-Polarisation auszugeben; eine spinselektive Streustruktur (170), die an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzt, wobei die spinselektive Streustruktur derart angepasst ist, dass der erste Grad einer Spin-Polarisation zu dem zweiten Grad einer Spin-Polarisation verändert wird; und eine Steuerelektrode (190), die elektrisch von der Zwischenhalbleiterregion (120) isoliert und angepasst ist, um ein elektrisches Feld an die Zwischenhalbleiterregion (120) anzulegen, um einen Betrag des Stroms zu steuern, wobei das elektrische Feld eine Hauptfeldkomponente senkrecht zu einer Richtung des Stroms durch die Zwischenhalbleiterregion aufweist; wobei die spinselektive Streustruktur (170) eine ferromagnetische Schicht und eine isolierende Schicht aufweist, wobei die ferromagnetische Schicht auf der isolierenden Schicht gebildet ist, wobei die isolierende Schicht an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzend gebildet ist; wobei die isolierende Schicht eine keilförmige Dicke aufweist.

    39.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50112976D1

    公开(公告)日：2007-10-18

    申请号：DE50112976

    申请日：2001-05-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AIGNER ROBERT ,  MARKSTEINER STEPHAN ,  NESSLER WINFRIED ,  ELBRECHT LUEDER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: C23C14/58 ,  H01L41/22 ,  C23C16/56 ,  H01C17/24 ,  H01J37/305 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H03H3/04

    Abstract: Production of a layer having a locally adapted and/or predefined layer thickness profile comprises applying a layer onto a substrate; determining a removal profile for the applied layer; and guiding an ion beam once over the layer so that the layer is locally etched at the site of the ion beam corresponding to the removal profile and a layer having a locally adapted and/or predefined layer thickness profile is produced. Preferably the spread of the ion beam is more than 1, preferably more than 5 mm, or less than 100 mm, preferably less than 50 mm. The ion beam is an argon ion beam with a gauss-like current density distribution. The ion beam is guided in traces over the layer and the trace distance is less than the half-width spread of the beam.

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