公开(公告)号：DE102014019927B3

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102014019927

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Ausführen einer anodischen Oxidation (210) einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht; undStimulieren (220) der anodischen Oxidation unabhängig von dem anziehenden, elektrischen Feld,wobei das Verfahren (200) ferner das Ausführen einer maskierten Schadensimplantation von zumindest einem Teil der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats vor der anodischen Oxidation aufweist, und/oderwobei das Stimulieren der anodischen Oxidation das Anlegen eines Magnetfeldes an die Oberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.

公开(公告)号：DE102012216969B4

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102012216969

申请日：2012-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102);wenigstens eine Elektrode (21), die in wenigstens einem Graben angeordnet ist, der sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) hineinerstreckt;ein Halbleitervia (4), das sich in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) innerhalb des Halbleiterkörpers (100) an die zweite Oberfläche (102) erstreckt, wobei das Halbleitervia (4) elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) durch eine Via-Isolationsschicht (5) isoliert ist; undwobei die wenigstens eine Elektrode (21) sich in einer ersten lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) durch die Via-Isolationsschicht (5) erstreckt und elektrisch an das Halbleitervia (4) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102013110180B4

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102013110180

申请日：2013-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Transistor mit einem Sourcebereich (20), einem Drainbereich (40) und einer Gateelektrode (60), die in einem ersten Trench (65) vorgesehen ist, der in einer oberen Oberfläche (10) eines Halbleitersubstrates (1) angeordnet ist, und eine Steuerelektrode (70), die in einem zweiten Trench (150) vorgesehen ist, der in der oberen Oberfläche (10) des Halbleitersubstrates (1) angeordnet ist, wobei der zweite Trench (150) eine zweite Gestalt hat, die von einer ersten Gestalt des ersten Trenches (65) verschieden ist, wobei eine laterale Distanz (d) zwischen dem ersten und zweiten Trench (65, 150) so gewählt ist, dass ein Bodybereich (31) benachbart zu der Gateelektrode (60) vollständig verarmt ist, wenn eine Spannung entsprechend einer Schwellenspannung des Transistors an die Gateelektrode (60) angelegt ist.

公开(公告)号：DE102016103587A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103587

申请日：2016-02-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Vielzahl von Trenches (1051, 1052), die sich in einen Halbleiterkörper (102) von einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102) erstrecken. Jeder der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) und eine zwischen den wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) angeordnete elektrisch isolierende Struktur (106). Jeder Trench (1051) einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst eine erste Elektrode (1111) und eine zweite Elektrode (1112), und die erste Elektrode (1111) ist elektrisch verbunden mit einem Steuerelektrodenpin (G). Jeder Trench (1052) einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst eine erste Elektrode (1121) und eine zweite Elektrode (1122). Wenigstens eine Elektrode aus der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden (1121, 1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem ersten Hilfselektrodenpin (AE1), und wenigstens eine andere Elektrode aus dem Trench (1051) der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden des Trenches (1052) der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2).

公开(公告)号：DE102015121563A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121563

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  OSTERMANN THOMAS ,  SORGER MICHAEL

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat erstrecken. Jeder Graben umfasst eine Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite, die entlang des Grabens verteilt sind. Zumindest eine elektrisch leitfähige Grabenstruktur befindet sich in jedem Graben. Das Halbleiterbauelement umfasst eine elektrisch isolierende Schicht, die zwischen dem Halbleitersubstrat und einer Elektrodenstruktur angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst eine vertikale elektrisch leitfähige Struktur, die sich durch die elektrisch isolierende Schicht erstreckt. Die vertikale elektrisch leitfähige Struktur bildet eine elektrische Verbindung zwischen der Elektrodenstruktur und einer elektrisch leitfähigen Grabenstruktur, die sich in einem ersten Graben befindet, an einer ersten vergrößerten Breitenregion. Die elektrisch isolierende Schicht ist zwischen einer zweiten vergrößerten Breitenregion aus der Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite des ersten Grabens und einer Elektrodenstruktur über der zweiten vergrößerten Breitenregion ohne jegliche vertikale elektrische Verbindungen durch die elektrisch isolierende Schicht an der zweiten vergrößerten Breitenregion angeordnet.

公开(公告)号：DE102011079138B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102011079138

申请日：2011-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: Vertikales Transistorbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102); ein Driftgebiet (13); wenigstens ein Sourcegebiet (11) und wenigstens ein Bodygebiet (12), die zwischen dem Driftgebiet (13) und der ersten Oberfläche (101) angeordnet sind, wobei das Bodygebiet (12) zwischen dem Sourcegebiet (11) und dem Driftgebiet (13) angeordnet ist; wenigstens eine Gateelektrode (15), die benachbart zu dem Bodygebiet (12) angeordnet ist, und ein Gatedielektrikum (16), das zwischen der Gateelektrode (15) und dem wenigstens einen Bodygebiet (12) angeordnet ist; ein Draingebiet (14), das zwischen dem Driftgebiet (13) und der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (41), die das wenigstens eine Sourcegebiet (11) elektrisch kontaktiert und die elektrisch gegenüber der Gateelektrode (15) isoliert ist und oberhalb der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; eine Drainelektrode (42), die das Draingebiet (14) elektrisch kontaktiert und die auf der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; wenigstens eine Gateverbindungselektrode (21), die elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, die sich in dem Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Driftgebiet (13) und dem Draingebiet (14) zu der zweiten Oberfläche (102) erstreckt und die elektrisch an die wenigstens eine Gateelektrode (15) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102014105968B4

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102014105968

申请日：2014-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Trenchtransistor-Zellanordnung in einem Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche, eine Hauptlateralseite (107) des Halbleiterkörpers (105) zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche, die eine erste Länge (l1) längs einer ersten lateralen Richtung parallel zu den ersten und zweiten Hauptoberflächen hat, wobei die erste Länge (l1) gleich wie oder größer als Längen (l2, l3, l4) von anderen lateralen Seiten (113, 115, 117) des Halbleiterkörpers (105) ist, und wobei die Trenchtransistor-Zellanordnung lineare Gatetrenchteile (1001, 1002, ..., (1000 + n)) umfasst und wenigstens 50% der linearen Gatetrenchteile (1001, 1002, ..., (1000 + n)) sich längs einer zweiten lateralen Richtung (x2) oder senkrecht zu der zweiten lateralen Richtung (x2) erstrecken, wobei ein Winkel zwischen den ersten und zweiten lateralen Richtungen (x1, x2) in einem Bereich von 45° ± 15° liegt.

公开(公告)号：DE102015109545A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets und von dem Feldelektrodendielektrikum in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements beabstandet ist, wobei die Feldelektrode in einem Graben angeordnet ist, der in einer Bodenebene des Halbleiterkörpers einen Boden aufweist, und wobei das Lawinengebiet zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich näher an der Bodenebene befindet als an einer durch das Sourcegebiet definierten Oberfläche des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102013213734B4

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102013213734

申请日：2013-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  G01R19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein Feld von in den Halbleiterkörper (100) integrierten Transistorzellen, wobei mehrere der Transistorzellen (102) einen Leistungstransistor (T1) bilden und mindestens eine der Transistorzellen (101) einen Sense-Transistor (T2) bildet; und eine erste Source-Elektrode (41'), die auf dem Halbleiterkörper (100) aufgebracht, mit der/den Transistorzelle(n) (101) des Sense-Transistors (T2) elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Leistungstransistors (T1) elektrisch isoliert ist; gekennzeichnet durch eine zweite Source-Elektrode (41), die auf dem Halbleiterkörper (100) aufgebracht ist und die Transistorzellen (102; 101) sowohl des Leistungstransistors (T1) als auch des Sense-Transistors (T2) bedeckt und die erste Source-Elektrode (41') mindestens teilweise derart bedeckt, dass die zweite Source-Elektrode (41) nur mit den Transistorzellen (102) des Leistungstransistors (T1) elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen (101) des Sense-Transistors (T2) elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102014107000B4

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102014107000

申请日：2014-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das einen Transistor mit einer Zellstruktur aufweist, die eine Vielzahl von Transistorzellen (30) aufweist, welche monolithisch in einen Halbleiterkörper (100) integriert und elektrisch parallel geschaltet sind, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (100), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) entgegengesetzte Unterseite (12) aufweist; Erzeugen einer Vielzahl von ersten Gräben (71), die sich von der Oberseite (11) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstrecken; Erzeugen einer Vielzahl von zweiten Gräben (72), von denen sich ein jeder von der Oberseite (11) tiefer in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt als jeder der ersten Gräben (71); Erzeugen, an einer Oberfläche eines jeden der ersten Gräben (71), einer ersten Grabenisolationsschicht (81), die an einen ersten Teil (101) des Halbleiterkörpers (100) angrenzt; Erzeugen, an einer Oberfläche eines jeden der zweiten Gräben (72), einer zweiten Grabenisolationsschicht (82), Erzeugen, in einem jeden der ersten Gräben (71), einer Gateelektrode (53); und, nach der Herstellung der Gateelektroden elektrisches Isolieren eines zweiten Teils (102) des Halbleiterkörpers (100) gegenüber dem ersten Teil (101) des Halbleiterkörpers (100) durch Entfernen einer unteren Schicht (20) des Halbleiterkörpers (100).